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INA190 具有皮安级 IB 和 ENABLE 引脚的 40V 双向超精密电流检测放大器

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型号：INA190A3IDCKR 编号：C2058578

封装：SC-70-6

INA190 具有皮安级 IB 和 ENABLE 引脚的 40V 双向超精密电流检测放大器

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型号：SN65HVDA540QDR 编号：C2671440

封装：SOIC-8

符合ISO 11898标准的5V CAN收发器，支持3V至5.25V范围内的MCU数字/模拟I/O电压。具备低功耗待机模式、ESD保护、高电磁抗干扰性等特性。

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型号：PIC16F1827T-I/SS 编号：C48242

封装：SSOP-20-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：C编译器优化架构。 256字节数据EEPROM，高达8K字节线性程序内存寻址。高达384字节线性数据内存寻址。具有自动上下文保存功能的中断能力。 16级深度硬件堆栈，可选溢出/下溢复位。直接、间接和相对寻址模式：两个完整的16位文件选择寄存器（FSRs），FSRs可读取程序和数据内存

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型号：TLV320DAC3101IRHBR 编号：C2651664

封装：VQFN-32-EP(5x5)

TLV320DAC3101 具有 1.29W D 级立体声扬声器放大器、60mW 耳机驱动器和音频处理功能的立体声音频 DAC

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型号：THS4531AIDGKR 编号：C2059556

封装：VSSOP-8

THS4531A 超低功耗、RRO、全差动放大器

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型号：RT424012 编号：C1524591

封装：插件,29x12.7mm

品牌：TE Connectivity(泰科电子)

特性：2极8A，2C型（转换）或2A型（常开）触点。直流或交流线圈。 5kV/10mm线圈-触点，加强绝缘。环境温度高达85°C。 WG版本：符合IEC60335-1标准的产品。回流焊版本：适用于通孔回流焊工艺。应用：锅炉控制。定时器

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型号：ATTINY88-AU 编号：C111451

封装：TQFP-32(7x7)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：高性能、低功耗AVR 8位微控制器。先进的RISC架构。123条强大指令。大多数单时钟周期执行。32 x 8通用工作寄存器。全静态操作

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型号：TRS3122ERGER 编号：C473384

封装：VQFN-24-EP(4x4)

TRS3122E 是一款具有两个驱动器和两个接收器的 RS-232 接口设备，支持混合电压操作。所有 RS-232 输入和输出均受保护，数据速率可达 1000 kbps。

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型号：OPA2209AIDR 编号：C2057330

封装：SOIC-8

OPA2209 双通道、2.2nV/rtHz、18MHz、RRO、36V 精密运算放大器

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型号：STM8L151C6T6 编号：C51330

封装：LQFP-48(7x7)

特性：工作条件：工作电源范围 1.8V 至 3.6V（掉电时低至 1.65V）；温度范围：-40℃ 至 85℃、105℃ 或 125℃。低功耗特性：5 种低功耗模式（等待、低功耗运行 (5.1μA)、低功耗等待 (3μA)、带完整 RTC 的活动暂停 (1.3μA)、暂停 (350nA)）；功耗：195μA/MHz@440μA；每个 I/O 超低泄漏：50nA；从暂停快速唤醒：4.7μs。先进的 STM8 内核：哈佛架构和 3 级流水线；最大频率 16MHz，16 CISC MIPS 峰值；多达 40 个外部中断源。复位和电源管理：低功耗、超安全的 BOR 复位，有 5 个可选阈值；超低功耗 POR/PDR；可编程电压检测器 (PVD)。时钟管理：1 至 16MHz 晶体振荡器；32kHz 晶体振荡器；内部 16MHz 工厂校准 RC；内部 38kHz 低功耗 RC；时钟安全系统。低功耗 RTC：带闹钟中断的 BCD 日历；通过周期性中断从暂停自动唤醒

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型号：ATMEGA328P-PU 编号：C33901

封装：DIP-28-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：高性能、低功耗的Atmel AVR 8位微控制器系列，采用先进的RISC架构。 131条强大指令，多数单时钟周期执行。 32×8通用工作寄存器。全静态操作，在20MHz下吞吐量高达20MIPS。片上2周期乘法器。高耐久性非易失性内存段，具备4/8/16/32KB系统内自编程闪存程序存储器、256/512/512/1KB EEPROM、512/1K/1K/2K内部SRAM

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型号：TCA9535RGER 编号：C527428

封装：VQFN-24-EP(4x4)

TCA9535 是一款用于 I²C 总线和 SMBus 的 16 位 I/O 扩展器，支持中断输出和配置寄存器。

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型号：MX25R6435FZNIL0 编号：C2802849

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

64Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 8,388,608 x 8。

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型号：LM6132BIMX/NOPB 编号：C473334

封装：SOIC-8

LM6132 双通道、24V、10MHz、低功耗运算放大器

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型号：E104-BT52 编号：C2917163

封装：-

品牌：EBYTE(亿佰特)

基于蓝牙协议5.0版本的串口转BLE蓝牙主从一体模块，体积小、功耗低，工作在 2.4GHz 频段。基于dialog的DA14531芯片研发，该模块使用通用的 AT 指令设置参数，操作简单快捷。模块仅支持蓝牙主机、从机和观察者模式，模块在功能上支持低功耗广播、数据透传、空中配置。

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型号：STM32L431KBU6 编号：C2826408

封装：UFQFPN-32(5x5)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

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型号：STM32L471RET6 编号：C110060

封装：LQFP-64(10x10)

特性：超低功耗，采用 FlexPowerControl：电源电压范围为 1.71V 至 3.6V。温度范围为 -40℃ 至 85/105/125℃。VBAT 模式下为 300nA，为 RTC 和 32x32 位备份寄存器供电。关机模式为 30nA（5 个唤醒引脚）。待机模式为 120nA（5 个唤醒引脚）。带 RTC 的待机模式为 420nA。停止 2 模式为 1.1μA，带 RTC 的停止 2 模式为 1.4μA。运行模式为 100μA/MHz

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型号：LTC1983ES6-5#TRPBF 编号：C580474

封装：TSOT-23-6

采用 ThinSOT 封装的 100mA 稳压充电泵负输出转换器

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型号：STM32L073VZT6 编号：C1337565

封装：LQFP-100(14x14)

特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.29 μA待机模式（3个唤醒引脚）。0.43 μA停止模式（16个唤醒线）。0.86 μA停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM保留。运行模式下低至93 μA/MHz。5 μs唤醒时间（从闪存）

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型号：FS32K144UAT0VLLT 编号：C513785

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：NXP(恩智浦)

特性：电压范围：2.7 V至5.5 V。环境温度范围：HSRUN模式下为 -40℃至105℃，RUN模式下为 -40℃至150℃。 Arm Cortex-M4F/M0+ 32位CPU核心。支持高达112 MHz频率（HSRUN模式），每MHz 1.25 Dhrystone MIPS。基于Armv7架构和Thumb-2 ISA的Arm核心。集成数字信号处理器（DSP）。可配置嵌套向量中断控制器（NVIC）。单精度浮点单元（FPU）

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型号：AD8039ARZ-REEL7 编号：C96525

封装：SOIC-8

低功耗、350MHz电压反馈型放大器

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￥33.23
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￥26.04
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型号：LTC6820HMS#3ZZTRPBF 编号：C514444

封装：MSOP-16

isoSPI隔离式通信接口

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￥33.67
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￥29.14
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￥24.03
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￥21.31
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￥20.05
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型号：AD8622ARZ-REEL7 编号：C60249

封装：SOIC-8