无线通信模块_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23

此款NPN型三极管（BJT）具备0.6A的集电极电流（IC）和40V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），适用于需要中等功率处理能力的设计。其直流电流增益（HFE）在200至450之间，表明了它在放大信号方面的高效性。此外，这款三极管拥有高达250MHz的过渡频率（FT），使其在高频应用中表现出色。该产品适合应用于无线通信设备、音频处理以及各种需要高效率信号放大和切换的电子模块中。其性能参数确保了在不同应用场景下的稳定性和可靠性。

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型号：TLV74318PDBVR-MS 编号：C30197477

封装：SOT-23-5

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款低压差线性稳压器LDO，它具有低噪声、低静态电流和低压差特性，具有低噪声、固定输出电压1.8V,被广泛应用于：便携式电子设备、无线通信模块、医疗设备、物联网（IoT）设备等

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型号：TLV74333PDBVR-MS 编号：C30197481

封装：SOT-23-5

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款低压差线性稳压器LDO，它具有低噪声、低静态电流和低压差特性，具有低噪声、固定输出电压3.3V,被广泛应用于：便携式电子设备、无线通信模块、医疗设备、物联网（IoT）设备等

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￥0.516895 ￥0.5441
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型号：TLV74330PDBVR-MS 编号：C30197480

封装：SOT-23-5

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款低压差线性稳压器LDO，它具有低噪声、低静态电流和低压差特性，具有低噪声、固定输出电压3V,被广泛应用于：便携式电子设备、无线通信模块、医疗设备、物联网（IoT）设备等

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型号：FJX3904TF-HXY 编号：C46682473

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管具有0.2A的集电极电流IC，适用于多种电子设备的信号放大与开关应用。其VCEO（集电极-发射极电压）为40V，能够提供足够的电压耐受能力以保护电路安全。直流电流增益HFE范围在100到300之间，确保了稳定且高效的性能表现。该三极管的过渡频率FT高达300MHz，使其在高频应用中表现出色。凭借这些特性，它非常适合用于构建无线通信模块、音频处理电路及其他需要高频率响应和稳定放大的消费电子产品中。

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型号：BC860C-HXY 编号：C47506923

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）具有0.1A的集电极电流(IC)和45V的集电极-发射极击穿电压(VCEO)，适合于需要中等功率处理能力的应用环境。其直流电流增益(HFE)在420至800之间，能够实现高效稳定的信号放大功能。此外，它拥有100MHz的过渡频率(FT)，确保在高频工作条件下依然保持良好的性能表现。该三极管非常适合应用于无线通信模块、家庭音频设备及其他对增益控制有较高要求且需兼顾频率响应的电子电路中。

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型号：2SC2873-Y-MS 编号：C52287384

封装：SOT-89

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款2SC2873-Y-MS是一款NPN型硅双极结晶体管，它与2SA1213-构成互补对管,其核心参数适配中小功率场景：50V集射极耐压、2A连续集电极电流，满足主流低压电路需求，应用精准聚焦：凭借高速开关与低损耗特性，广泛用于消费电子的音频功率放大、电源管理模块的开关控制，还适配工业自动化设备驱动电路及无线通信设备的信号处理单元。

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型号：2SA1213-Y-MS 编号：C52287385

封装：SOT-89

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款2SA1213-Y-MS是一款PNP型硅外延晶体管，采用SOT-89封装，与2SC2873-Y-MS构成互补对管,核心参数适配中小功率场景：-50V集射极耐压、-2A连续集电极电流，满足主流低压电路需求；0.5V低饱和压降减少损耗,应用精准聚焦：凭借低噪声、高增益特性，广泛用于消费电子的音频功率放大，也适配电源管理模块的开关控制，还可用于工业自动化设备驱动电路及无线通信设备信号处理。

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型号：TLV74315PDBVR-MS 编号：C30197476

封装：SOT-23-5

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款低压差线性稳压器LDO，它具有低噪声、低静态电流和低压差特性，具有低噪声、固定输出电压1.5V,被广泛应用于：便携式电子设备、无线通信模块、医疗设备、物联网（IoT）设备等

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型号：TLV74328PDBVR-MS 编号：C30197479

封装：SOT-23-5

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款低压差线性稳压器LDO，它具有低噪声、低静态电流和低压差特性，具有低噪声、固定输出电压2.8V,被广泛应用于：便携式电子设备、无线通信模块、医疗设备、物联网（IoT）设备等

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型号：TLV74312PDBVR-MS 编号：C30197475

封装：SOT-23-5

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款低压差线性稳压器LDO，它具有低噪声、低静态电流和低压差特性，具有低噪声、固定输出电压1.2V,被广泛应用于：便携式电子设备、无线通信模块、医疗设备、物联网（IoT）设备等

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型号：ESP32-WROVER-B-N16R8 编号：C529591

封装：SMD,31.4x18mm

品牌：ESPRESSIF(乐鑫)

是一款通用型Wi-Fi + Bluetooth + Bluetooth LE MCU模组，功能强大，用途广泛，可以用于低功耗传感器网络和要求极高的任务，例如语音编码、音频流和MP3解码等。模组集成了传统蓝牙、低功耗蓝牙和Wi-Fi，具有广泛的用途：Wi-Fi支持极大范围的通信连接，也支持通过路由器直接连接互联网；而蓝牙可以让用户连接手机或者广播Bluetooth LE Beacon以便于信号检测。芯片的睡眠电流小于5μA，使其适用于电池供电的可穿戴电子设备。模组支持的数据传输速率高达150Mbps，天线输出功率达到20dBm，可实现最大范围的无线通信

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￥37.68
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￥32.24

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型号：BCW89-HXY 编号：C47506904

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）专为精细控制与放大设计，具有集电极电流IC为0.1A的特性，适用于低功率需求场景。其最大集-射极电压VCEO可达65V，保证了元件在不同电路条件下的稳定性与可靠性。直流电流增益HFE范围为125至250，表明其具备优秀的电流放大能力，能够有效提升信号处理精度。此外，该三极管的过渡频率FT为100MHz，使其在高频应用中表现出色，非常适合于无线通信设备等需要高效率和快速响应的电子模块中。

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型号：MMS8550HE3-H-HXY 编号：C46682483

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP三极管（BJT）具备0.5A的集电极电流（IC）和25V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），适用于多种电子设备。其直流电流增益（HFE）范围为200至350，确保了有效的信号放大功能。该三极管的过渡频率（FT）达到150MHz，显示出在高频应用中的卓越性能。这些特性使其成为需要高精度和快速响应的电路设计的理想选择，如无线通信模块和消费类电子产品中实现信号放大与开关控制的关键组件。

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￥0.09792 ￥0.1088
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型号：SMMBT4403LT1G-HXY 编号：C46682412

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）适用于多种电子设备中，具备0.6A的集电极电流(IC)能力，以及高达40V的集电极-发射极电压(VCEO)，确保了在不同电路中的稳定表现。其直流电流增益(HFE)范围为100至300，能够有效放大信号，而200MHz的过渡频率(FT)则表明它在高频应用中同样表现出色。该三极管非常适合用于需要高灵敏度和快速响应的电路设计，如无线通信模块或音频处理装置，提供了可靠性能与灵活性。

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￥0.119412 ￥0.1284
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型号：KN4403S-HXY 编号：C46682475

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款PNP型三极管（BJT）专为中等功率电路设计，集电极电流（IC）可达0.6A，集电极-发射极电压（VCEO）最高支持40V，适合于多种电子设备应用。其直流电流增益（HFE）在100到300之间，确保了信号放大的高效与稳定。此款三极管的过渡频率（FT）为200MHz，表现出卓越的高频操作性能。它适用于构建音频放大器、电源管理电路及无线通信模块，能够满足对元件性能和稳定性有较高要求的应用场景。

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型号：KST2222AMTF-HXY 编号：C46682453

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管（BJT）具有0.6A的集电极电流IC和40V的集电极-发射极电压VCEO，适用于广泛的电子设备。其直流电流增益HFE范围在100至300之间，确保了信号放大时的稳定性和效率。特别值得一提的是，该三极管的过渡频率FT高达300MHz，使其成为高速开关和高频应用的理想选择。此款三极管适合于需要快速响应和高频率处理能力的电路设计中，如无线通信模块、音频处理设备等，能够满足对性能有较高要求的应用场景。

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￥0.76653 ￥0.8517
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型号：TMR 4811 编号：C6559795

封装：-

品牌：TRACO POWER

单价：
￥107.92 / 个

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型号：NSVMMBT5401LT3G-HXY 编号：C46682408

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款PNP型三极管（BJT）具有0.6A的集电极电流（IC）和高达150V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），非常适合需要高电压处理能力的应用。其直流电流增益（HFE）范围为100至200，确保了信号放大的稳定性和效率。过渡频率（FT）达到100MHz，使得它在中高频段应用中表现出色。该三极管适用于无线通信设备、电源管理模块以及各类消费电子产品中的信号放大与开关电路，保证了在多种电子设计中的灵活性和可靠性。

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￥0.20052 ￥0.2228
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￥0.19611 ￥0.2179
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￥0.19314 ￥0.2146
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￥0.19026 ￥0.2114

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型号：CMPTA56-HXY 编号：C47506897

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）拥有0.5A的集电极电流（IC），适用于需要中等功率处理能力的电路设计。其集电极-发射极电压（VCEO）高达80V，为高电压应用提供了可靠保障。直流电流增益（HFE）范围在100至400之间，使其成为放大和开关应用的理想选择，特别适合于信号增强需求的场合。此外，该三极管的过渡频率（FT）为50MHz，表明它也能胜任一些基本的高频工作环境，如无线通信设备中的低噪声放大器或信号处理模块，确保了良好的性能与稳定性。

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￥0.20286 ￥0.2254
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￥0.19242 ￥0.2138

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型号：CMKT5078TR-HXY 编号：C46682434

封装：SOT-363

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款NPN和PNP组合型三极管（BJT）系列，专为精细控制与高效能应用设计。NPN型元件支持最高0.15A的集电极电流（IC），集电极-发射极电压（VCEO）达50V；其直流电流增益（HFE）范围为120至560，确保了优秀的信号放大性能。特征频率（FT）高达180MHz，适合需要快速响应的应用场景。该系列产品适用于各种小型电子设备，如无线通信模块、便携式消费电子产品等，有助于实现设备的高效能运作与信号处理的精准度。

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￥0.36558 ￥0.4062
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￥0.34686 ￥0.3854

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型号：PBHV8115T-HXY 编号：C47506857

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN三极管（BJT）具有1A的集电极电流（IC）和150V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），适用于需要高耐压保护的电路设计。其直流电流增益（HFE）范围在100至300之间，能够提供良好的信号放大效果，特别适合于低功耗应用。此外，该三极管的过渡频率（FT）高达100MHz，表明它具备处理高频信号的能力，使其成为音频设备及无线通信模块等需要高效能元件的理想选择。此款三极管为电路设计师提供了兼具稳定性和灵活性的解决方案。

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￥0.42219 ￥0.4691
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￥0.4005 ￥0.445

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型号：CXT2222ATR-HXY 编号：C47506887

封装：SOT-89

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管（BJT）具备0.6A的集电极电流IC，适用于需要中等电流驱动的电路。其最大集电极-发射极电压VCEO为40V，能够适应多种电源电压的应用场景。直流电流增益HFE范围在100到300之间，确保了信号放大的稳定性和效率。特征频率FT达到300MHz，表明它在高频应用中同样表现出色。该三极管非常适合构建无线通信模块、音频处理以及需要快速响应和高精度的消费电子设备中。

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￥0.4536 ￥0.504
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￥0.44298 ￥0.4922
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￥0.42885 ￥0.4765

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型号：FMMT4240-HXY 编号：C47506871

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款NPN三极管（BJT）专为高效能应用设计，集电极电流IC可达2A，确保了在高负载情况下的稳定操作。其集电极-发射极电压VCEO为50V，适合需要中等耐压的应用场景。拥有高达200的直流电流增益HFE，能够有效放大信号，提升电路性能。特征频率FT达到100MHz，表明它具备快速开关能力，适用于高频电路设计。该三极管广泛应用于各种电子设备中，如无线通信模块、音频放大器等，是实现高性能电路设计的理想选择。

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￥0.48114 ￥0.5346
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￥0.47061 ￥0.5229
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￥0.4635 ￥0.515
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￥0.45648 ￥0.5072

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型号：TLV74325PDBVR-MS 编号：C30197478

封装：SOT-23-5

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款低压差线性稳压器LDO，它具有低噪声、低静态电流和低压差特性，具有低噪声、固定输出电压2.5V,被广泛应用于：便携式电子设备、无线通信模块、医疗设备、物联网（IoT）设备等

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型号：CMPT4403TR-HXY 编号：C46682474

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）具备0.6A的集电极电流（IC）能力，最大集电极-发射极电压（VCEO）可达40V，适用于需要中等功率处理能力的电路。其直流电流增益（HFE）范围在100至300之间，保证了信号放大时的良好线性度和稳定性。此外，该三极管拥有200MHz的过渡频率（FT），使其在高频应用中表现出色。无论是构建音频放大器还是无线通信模块，这款三极管都是理想的选择，能够满足设计者对于性能和可靠性的双重需求。

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型号：VBTA5220N 编号：C516981

封装：SC-75-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、光伏逆变器、无线通信设备等领域。SC75-6；N+P—Channel沟道,±20V；0.6/-0.3A；RDS(ON)=270/660mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.7/-0.8V；

数据手册