无线通信模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：TMR 1-1211 编号：C6885704

封装：-

品牌：TRACO POWER

单价：
￥70.98 / 个

有货

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型号：TEN 5-4811WI 编号：C6880679

封装：-

品牌：TRACO POWER

单价：
￥221.43 / 个

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型号：NTZD3155CT2G-VB 编号：C558222

封装：SC-75-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、光伏逆变器、无线通信设备等领域。SC75-6；N+P—Channel沟道,±20V；0.6/-0.3A；RDS(ON)=270/660mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.7/-0.8V；

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1+
￥0.9633
10+
￥0.9438
30+
￥0.9308
100+
￥0.9177

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型号：TMR 1-2423 编号：C6885706

封装：-

品牌：TRACO POWER

单价：
￥76.22 / 个

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型号：TMR 1-0511SM 编号：C6559734

封装：-

品牌：TRACO POWER

单价：
￥101.42 / 个

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型号：MPZ1005AFZ100NT000 编号：C1533911

封装：0402

品牌：TDK

特性：1005形状类型的电源线降噪组件。与MPZ-E系列相比，可在GHz频段实现高阻抗。对LTE或Wi-Fi等几GHz的干扰噪声或高频噪声具有出色的降噪效果。在0.7GHz至5GHz范围内实现特别高的阻抗，能够降低传统MPZ-E系列无法降低的噪声。高度可靠的多层集成单片结构。工作温度范围：- 55至+125°C。应用：确保使用LTE或Wi-Fi等高速信号的无线通信的通信灵敏度。用于智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除

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5+
￥1.7188
50+
￥1.3122
150+
￥1.1379

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型号：SMMBT2222ALT1G-HXY 编号：C46682389

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管（BJT）具备0.6A的集电极电流(IC)能力，最大集电极-发射极电压(VCEO)为40V，适用于对耐压有一定要求的应用环境。其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间，确保了良好的信号放大性能。特征频率(FT)高达300MHz，使其在高频应用中表现出色，保证了高效稳定的运行。该三极管非常适合于消费电子产品中的信号放大、音频处理以及无线通信模块等应用场景，能够有效提升电路的整体性能，满足复杂电路设计的需求。

20+
￥0.1311
200+
￥0.1282
600+
￥0.1263
3000+
￥0.1243

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型号：TEN 5-4812WI 编号：C6880683

封装：-

品牌：TRACO POWER

单价：
￥221.72 / 个

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型号：2PB710ARL-HXY 编号：C47506926

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）具备1A的集电极电流IC，适用于需要较高电流承载能力的应用场景。其最大集电极-发射极电压VCEO为60V，确保在宽电压范围内的稳定操作。直流电流增益HFE在100至300之间，使得它在信号放大方面表现卓越。特征频率FT达到150MHz，适合于中高频应用环境。该组件广泛应用于无线通信模块、音频设备及消费类电子产品中，能够有效提升产品的性能和效率，确保信号处理的精确性和可靠性。

10+
￥0.2097
100+
￥0.2051
300+
￥0.202
1000+
￥0.1989

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型号：BFS17NTA-HXY 编号：C47506925

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款NPN型三极管（BJT）适用于高频放大与开关应用，具有IC电流能力为0.1A，最大集电极-发射极电压VCEO达到11V。其直流电流增益HFE范围在50至300之间，显示了良好的放大性能。特别值得一提的是，它的过渡频率FT高达7000MHz，表明它在高频环境下仍能保持优秀的性能表现。该三极管是构建无线通信设备、射频模块等电子产品的理想选择，能满足对信号放大和处理的高要求。

5+
￥1.479
50+
￥1.1716
150+
￥1.0398
500+
￥0.8754
3000+
￥0.8022
6000+
￥0.7583

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型号：AT2402E 编号：C2901458

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：杭州中科微

AT2402E是一款应用于无线通信的集成收发功能的射频前端单芯片，内部集成了功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、收发模式切换的开关控制电路等电路子模块。芯片集成了天线端口、发射端口以及接收端口的射频阻抗匹配电路，可以不需要重新设计芯片的外围阻抗电路。芯片内部还集成了必要的谐波滤波电路，无需复杂的外围滤波器，可以大大地降低芯片应用方案的复杂度并提高芯片的性能。同时，该芯片还集成了功率检测电路，可以非常准确地跟随输出功率的变化并输出相应的电压信号。

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1+
￥3.34
10+
￥2.64
30+
￥2.33
100+
￥1.95
500+
￥1.65
1000+
￥1.55

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型号：BC25PBTEB-KIT 编号：C2925054

封装：-

品牌：Quectel(移远)

是一款高性能、低功耗的NB-loT无线通信模块。尺寸仅为17.7mm×15.8mm×2.2mm,能最大限度地满足终端设备对小尺寸模块产品的需求,同时有效帮助客户减小产品尺寸并优化产品成本。在设计上兼容GSM/GPRS系列的M26模块,同时兼容NB-loT系列BC26、BC28和BC260Y-CN模块,方便客户快速、灵活的进行产品设计和升级。提供丰富的外部接口和协议栈,同时可支持中国移动OneNET和中国电信物联网开放平台,为客户的应用提供极大的便利。采用更易于焊接的LCC封装,可通过标准SMT设备实现模块的快速生产,为客户提供可靠的连接方式,并满足复杂环境下的应用需求。

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1+
￥228.96
30+
￥216

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型号：AN1003-245 编号：C100120

封装：SMD,10.3x3mm

品牌：Rainsun(霖昱微)

特性：重量轻、外形低，尺寸为10.3mm（长）X3.0mm（宽）X1.7mm（高）。方位角全向性。无铅。应用：2.4GHz和5-6GHz无线通信。 2.4GHz和5-6GHz模块

1+
￥2.5
10+
￥2.44
30+
￥2.41

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型号：ESP32-WROVER-IB-N16R8 编号：C2973663

封装：SMD,31.4x18mm

品牌：ESPRESSIF(乐鑫)

是一款通用型Wi-Fi + Bluetooth + Bluetooth LE MCU模组，功能强大，用途广泛，可以用于低功耗传感器网络和要求极高的任务，例如语音编码、音频流和MP3解码等。模组集成了传统蓝牙、低功耗蓝牙和Wi-Fi，具有广泛的用途：Wi-Fi支持极大范围的通信连接，也支持通过路由器直接连接互联网；而蓝牙可以让用户连接手机或者广播Bluetooth LE Beacon以便于信号检测。芯片的睡眠电流小于5μA，使其适用于电池供电的可穿戴电子设备。模组支持的数据传输速率高达150Mbps，天线输出功率达到20dBm，可实现最大范围的无线通信

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1+
￥31.31
10+
￥28.05
30+
￥26.05
100+
￥24.48

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型号：MMZ1005AFZ151VT000 编号：C307756

封装：0402

品牌：TDK

特性：1005尺寸，适用于一般信号线的降噪解决方案。与MMZ-E系列相比，可在GHz频段实现高阻抗。对几GHz的干扰噪声（如LTE或Wi-Fi）或高频噪声具有出色的降噪效果。在0.7GHz至3GHz范围内实现特别高的阻抗，能减少传统MMZ-E系列无法减少的噪声。通过采用新开发的材料，在2.5GHz时实现行业最高阻抗（2013年8月TDK调）。工作温度范围：-55至+125℃。应用：确保使用高速信号（如LTE或Wi-Fi）的无线通信的通信灵敏度。用于智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除

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20+
￥0.2174
200+
￥0.1707
600+
￥0.1447
2000+
￥0.1291
10000+
￥0.1156
20000+
￥0.1083

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型号：CC1312PSIPMOTR 编号：C33446057

封装：QFM-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

SimpleLink CC1312PSIP器件是一款经过射频认证的系统级封装(SiP) Sub-1GHz无线模块，支持Wi-SUN、无线M-Bus、IEEE802.15.4、支持IPv6的智能对象(6LoWPAN)、mioty、专有系统，包括TI15.4-Stack。CC1312PSIP微控制器(MCU)基于Arm Cortex M4F主处理器，并针对电网基础设施、楼宇自动化、零售自动化和医疗应用中的低功耗无线通信和高级传感进行了优化。

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1+
￥127.64
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￥123.18

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型号：RC6601A 编号：C5199450

封装：SMD,15x15mm

品牌：RF Crazy(智汉)

RC6601A是一款基于支持LoRa调制方式的低功耗广域网无线通信SoC芯片ASR6601设计的高性能、低功耗、低成本的射频模组。它集成了一个32位ARM Cortex-M4和一个射频收发器，一个滤波器，以及一个32MHz和一个32.768KHz晶振。充分利用ASR6601的功能和外围器件，保证了优秀的射频性能同时兼顾了低功耗设计。

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