无线通信模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：EG800QEULC-N03-SNNSA 编号：C19273720

封装：SMD,17.7x15.8mm

Quectel EG800Q系列是一款专为M2M和IoT领域而设计的LTE Cat 1 bis无线通信模块，采用3GPP Rel-14 LTE技术，支持Cat 1 bis，支持最大下行速率10 Mbps和最大上行速率5 Mbps，外形设计紧凑。模块内置丰富的网络协议，集成多个工业标准接口，并支持多种驱动和软件功能（如Windows 8.1/ 10/ 11、Linux、Android等操作系统下的USB转串口驱动等），极大地拓展了其在M2M和IoT领域的应用范围。

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￥83.76
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￥79.34
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￥65

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型号：SIM7020E 编号：C194746

封装：SMD,17.6x15.7mm

品牌：SIMCOM(芯讯通无线科技)

SIM7020系列是支持Cat-NB无线通信模式的LPWA模块。该系列采用LCC封装，尺寸紧凑，仅为17.6mm * 15.7mm，非常适合紧凑型产品设计。

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型号：EC600NCNLC-N06-SNNSA 编号：C2916203

封装：SMD

品牌：Quectel(移远)

是专为M2M和IoT领域而设计的LTE Cat 1无线通信模块，支持最大下行速率10 Mbps和最大上行速率5 Mbps，超小尺寸，超高性价比。采用镭雕工艺，镭雕工艺具有外观更好看、金属质感强、散热更好、信息不容易被抹除、更能适应自动化需求等优点。内置丰富的网络协议，集成多个工业标准接口，并支持多种驱动和软件功能（如Windows 8/8.1/10/11、Linux、Android等操作系统下的USB转串口驱动），极大地拓展了其在M2M和IoT领域的应用范围。

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型号：EC600NCNLA-N05-SNNSA 编号：C2916202

封装：SMD

品牌：Quectel(移远)

EC600N-CN 是专为M2M 和IoT 领域而设计的LTE Cat 1 无线通信模块，支持最大下行速率10 Mbps 和最大上行速率5 Mbps，超小尺寸，超高性价比。内置丰富的网络协议，集成多个工业标准接口，并支持多种驱动和软件功能（如Windows 7/ 8/8.1/ 10/ 11、Linux、Android 等操作系统下的USB 转串口驱动），极大地拓展了其在M2M 和IoT 领域的应用范围。

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型号：RPM870-H14E2A 编号：C19471398

封装：-

品牌：ROHM(罗姆)

RPM870-H14是一款支持IrDA Ver. 1.2 (Low Power)的红外无线通信收发模块，适用于移动设备。集成红外LED、PIN光电二极管和LSI，具有低功耗和关断功能。

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￥32.36
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型号：RPM870-H14E2 编号：C19490182

封装：-

品牌：ROHM(罗姆)

RPM870-H14是一款支持IrDA Ver. 1.2 (Low Power)的无线通信收发模块，适用于移动设备。模块内含红外LED、光电二极管和LSI，具有低功耗和掉电功能。

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￥44.26
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型号：ESP32-S3FN8 编号：C2913196

封装：QFN-56-EP(7x7)

品牌：ESPRESSIF(乐鑫)

ESP32-S3是一款低功耗的MCU系统级芯片(SoC)，支持2.4GHz Wi-Fi和低功耗蓝牙(Bluetooth LE)无线通信。芯片集成了高性能的Xtensa 32位LX7双核处理器、超低功耗协处理器、Wi-Fi基带、蓝牙基带、RF模块以及外设。

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￥20.64
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￥16.99

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型号：KST2222AMTF-HXY 编号：C46682453

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管（BJT）具有0.6A的集电极电流IC和40V的集电极-发射极电压VCEO，适用于广泛的电子设备。其直流电流增益HFE范围在100至300之间，确保了信号放大时的稳定性和效率。特别值得一提的是，该三极管的过渡频率FT高达300MHz，使其成为高速开关和高频应用的理想选择。此款三极管适合于需要快速响应和高频率处理能力的电路设计中，如无线通信模块、音频处理设备等，能够满足对性能有较高要求的应用场景。

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型号：DSX321G-20M 编号：C110936

封装：SMD3225-4P

品牌：KDS(大真空)

特性：3225尺寸的微型、轻量级贴片晶体谐振器。高度：DSX321G（超过12MHz）为0.75mm；DSX321G（12MHz及以下）为0.85mm。出色的耐热性、高精度和高可靠性（适用于手机或无线通信系统等，频率老化规格为±1×10⁻⁶/7年或±3×10⁻⁶/5年）。应用：电信产品、短距离无线模块和其他小型设备，如数码摄像机（DVC）、数码静态相机（DSC）、个人电脑（PC）

数据手册

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￥2.1243
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型号：MMZ1005AFZ151VT000 编号：C307756

封装：0402

品牌：TDK

特性：1005尺寸，适用于一般信号线的降噪解决方案。与MMZ-E系列相比，可在GHz频段实现高阻抗。对几GHz的干扰噪声（如LTE或Wi-Fi）或高频噪声具有出色的降噪效果。在0.7GHz至3GHz范围内实现特别高的阻抗，能减少传统MMZ-E系列无法减少的噪声。通过采用新开发的材料，在2.5GHz时实现行业最高阻抗（2013年8月TDK调）。工作温度范围：-55至+125℃。应用：确保使用高速信号（如LTE或Wi-Fi）的无线通信的通信灵敏度。用于智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除

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￥0.218595 ￥0.2301
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型号：SMMBT4401LT1G-HXY 编号：C46682407

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款NPN型三极管（BJT）具备0.6A的集电极电流（IC）和40V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），适用于需要中等功率处理能力的设计。其直流电流增益（HFE）在200至450之间，表明了它在放大信号方面的高效性。此外，这款三极管拥有高达250MHz的过渡频率（FT），使其在高频应用中表现出色。该产品适合应用于无线通信设备、音频处理以及各种需要高效率信号放大和切换的电子模块中。其性能参数确保了在不同应用场景下的稳定性和可靠性。

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￥0.34672 ￥0.394
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型号：TLV74315PDBVR-MS 编号：C30197476

封装：SOT-23-5

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款低压差线性稳压器LDO，它具有低噪声、低静态电流和低压差特性，具有低噪声、固定输出电压1.5V,被广泛应用于：便携式电子设备、无线通信模块、医疗设备、物联网（IoT）设备等

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型号：TLV74318PDBVR-MS 编号：C30197477

封装：SOT-23-5

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款低压差线性稳压器LDO，它具有低噪声、低静态电流和低压差特性，具有低噪声、固定输出电压1.8V,被广泛应用于：便携式电子设备、无线通信模块、医疗设备、物联网（IoT）设备等

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型号：BC860C-HXY 编号：C47506923

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）具有0.1A的集电极电流(IC)和45V的集电极-发射极击穿电压(VCEO)，适合于需要中等功率处理能力的应用环境。其直流电流增益(HFE)在420至800之间，能够实现高效稳定的信号放大功能。此外，它拥有100MHz的过渡频率(FT)，确保在高频工作条件下依然保持良好的性能表现。该三极管非常适合应用于无线通信模块、家庭音频设备及其他对增益控制有较高要求且需兼顾频率响应的电子电路中。

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￥0.0774
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型号：Q22FA1280002500 编号：C22453572

封装：SMD2016-4P

品牌：EPSON(爱普生)

作为通信模块的参考时钟被商业化，适用于需要高精度的场景，也可作为无线通信和微型计算机的时钟，用于需要小型化的应用（如真无线立体声、智能手表等）。使用多年积累的元件加工技术制造的产品，有助于提高客户系统的性能。

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型号：FJX3904TF-HXY 编号：C46682473

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管具有0.2A的集电极电流IC，适用于多种电子设备的信号放大与开关应用。其VCEO（集电极-发射极电压）为40V，能够提供足够的电压耐受能力以保护电路安全。直流电流增益HFE范围在100到300之间，确保了稳定且高效的性能表现。该三极管的过渡频率FT高达300MHz，使其在高频应用中表现出色。凭借这些特性，它非常适合用于构建无线通信模块、音频处理电路及其他需要高频率响应和稳定放大的消费电子产品中。

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￥5.769 ￥6.41
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￥3.105 ￥3.45

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型号：SMMBT2222ALT1G-HXY 编号：C46682389

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管（BJT）具备0.6A的集电极电流(IC)能力，最大集电极-发射极电压(VCEO)为40V，适用于对耐压有一定要求的应用环境。其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间，确保了良好的信号放大性能。特征频率(FT)高达300MHz，使其在高频应用中表现出色，保证了高效稳定的运行。该三极管非常适合于消费电子产品中的信号放大、音频处理以及无线通信模块等应用场景，能够有效提升电路的整体性能，满足复杂电路设计的需求。

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￥0.219387 ￥0.2359
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￥0.174747 ￥0.1879
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型号：MCI0603TM1N5SHBP 编号：C49247142

封装：0201

品牌：INPAQ(佳邦)

特性：特殊陶瓷材料和线圈结构,提供高达20GHz的高频应用范围。小尺寸和低剖面。有多种尺寸可供选择。出色的可焊性和耐热性。应用：RF和无线通信。信息技术设备,包括计算机、电信、雷达探测器、汽车电子、手机、寻呼机、音频设备、个人数字助理(PDA)、无钥匙遥控系统和低压电源模块

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￥0.0091
1000+
￥0.0089
3000+
￥0.0088
15000+
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型号：BCW89-HXY 编号：C47506904

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）专为精细控制与放大设计，具有集电极电流IC为0.1A的特性，适用于低功率需求场景。其最大集-射极电压VCEO可达65V，保证了元件在不同电路条件下的稳定性与可靠性。直流电流增益HFE范围为125至250，表明其具备优秀的电流放大能力，能够有效提升信号处理精度。此外，该三极管的过渡频率FT为100MHz，使其在高频应用中表现出色，非常适合于无线通信设备等需要高效率和快速响应的电子模块中。

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￥0.16227 ￥0.1803
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￥0.12726 ￥0.1414
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￥0.10782 ￥0.1198
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￥0.08604 ￥0.0956
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型号：MMS8550HE3-H-HXY 编号：C46682483

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP三极管（BJT）具备0.5A的集电极电流（IC）和25V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），适用于多种电子设备。其直流电流增益（HFE）范围为200至350，确保了有效的信号放大功能。该三极管的过渡频率（FT）达到150MHz，显示出在高频应用中的卓越性能。这些特性使其成为需要高精度和快速响应的电路设计的理想选择，如无线通信模块和消费类电子产品中实现信号放大与开关控制的关键组件。

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￥0.18702 ￥0.2078
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￥0.12429 ￥0.1381
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￥0.09288 ￥0.1032

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型号：SMMBT4403LT1G-HXY 编号：C46682412

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）适用于多种电子设备中，具备0.6A的集电极电流(IC)能力，以及高达40V的集电极-发射极电压(VCEO)，确保了在不同电路中的稳定表现。其直流电流增益(HFE)范围为100至300，能够有效放大信号，而200MHz的过渡频率(FT)则表明它在高频应用中同样表现出色。该三极管非常适合用于需要高灵敏度和快速响应的电路设计，如无线通信模块或音频处理装置，提供了可靠性能与灵活性。

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￥0.221154 ￥0.2378
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￥0.173445 ￥0.1865
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型号：2PB710ARL-HXY 编号：C47506926

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）具备1A的集电极电流IC，适用于需要较高电流承载能力的应用场景。其最大集电极-发射极电压VCEO为60V，确保在宽电压范围内的稳定操作。直流电流增益HFE在100至300之间，使得它在信号放大方面表现卓越。特征频率FT达到150MHz，适合于中高频应用环境。该组件广泛应用于无线通信模块、音频设备及消费类电子产品中，能够有效提升产品的性能和效率，确保信号处理的精确性和可靠性。

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￥0.33975 ￥0.3775
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￥0.27063 ￥0.3007
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￥0.23607 ￥0.2623
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￥0.18936 ￥0.2104
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￥0.17901 ￥0.1989

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型号：2SC2873-Y-MS 编号：C52287384

封装：SOT-89

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款2SC2873-Y-MS是一款NPN型硅双极结晶体管，它与2SA1213-构成互补对管,其核心参数适配中小功率场景：50V集射极耐压、2A连续集电极电流，满足主流低压电路需求，应用精准聚焦：凭借高速开关与低损耗特性，广泛用于消费电子的音频功率放大、电源管理模块的开关控制，还适配工业自动化设备驱动电路及无线通信设备的信号处理单元。

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￥0.44821 ￥0.4718
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￥0.24985 ￥0.263
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￥0.23617 ￥0.2486

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型号：2SA1213-Y-MS 编号：C52287385

封装：SOT-89

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款2SA1213-Y-MS是一款PNP型硅外延晶体管，采用SOT-89封装，与2SC2873-Y-MS构成互补对管,核心参数适配中小功率场景：-50V集射极耐压、-2A连续集电极电流，满足主流低压电路需求；0.5V低饱和压降减少损耗,应用精准聚焦：凭借低噪声、高增益特性，广泛用于消费电子的音频功率放大，也适配电源管理模块的开关控制，还可用于工业自动化设备驱动电路及无线通信设备信号处理。

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型号：TLV74328PDBVR-MS 编号：C30197479

封装：SOT-23-5

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款低压差线性稳压器LDO，它具有低噪声、低静态电流和低压差特性，具有低噪声、固定输出电压2.8V,被广泛应用于：便携式电子设备、无线通信模块、医疗设备、物联网（IoT）设备等

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￥0.53428 ￥0.5624
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￥0.42028 ￥0.4424
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￥0.36328 ￥0.3824
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￥0.32053 ￥0.3374
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￥0.28633 ￥0.3014
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￥0.26923 ￥0.2834

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型号：TLV74330PDBVR-MS 编号：C30197480

封装：SOT-23-5

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款低压差线性稳压器LDO，它具有低噪声、低静态电流和低压差特性，具有低噪声、固定输出电压3V,被广泛应用于：便携式电子设备、无线通信模块、医疗设备、物联网（IoT）设备等

5+
￥0.53428 ￥0.5624
50+
￥0.42028 ￥0.4424
150+
￥0.36328 ￥0.3824
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￥0.32053 ￥0.3374
2500+
￥0.28633 ￥0.3014
5000+
￥0.26923 ￥0.2834

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型号：TLV74325PDBVR-MS 编号：C30197478

封装：SOT-23-5

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款低压差线性稳压器LDO，它具有低噪声、低静态电流和低压差特性，具有低噪声、固定输出电压2.5V,被广泛应用于：便携式电子设备、无线通信模块、医疗设备、物联网（IoT）设备等

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￥0.53466 ￥0.5628
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￥0.42066 ￥0.4428
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￥0.36366 ￥0.3828
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￥0.32091 ￥0.3378
2500+
￥0.28671 ￥0.3018
5000+
￥0.26961 ￥0.2838

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型号：TLV74312PDBVR-MS 编号：C30197475

封装：SOT-23-5

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款低压差线性稳压器LDO，它具有低噪声、低静态电流和低压差特性，具有低噪声、固定输出电压1.2V,被广泛应用于：便携式电子设备、无线通信模块、医疗设备、物联网（IoT）设备等

5+
￥0.54416 ￥0.5728
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￥0.43016 ￥0.4528
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￥0.37316 ￥0.3928
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￥0.33041 ￥0.3478
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￥0.29621 ￥0.3118
5000+
￥0.27911 ￥0.2938

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型号：TLV74333PDBVR-MS 编号：C30197481

封装：SOT-23-5

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款低压差线性稳压器LDO，它具有低噪声、低静态电流和低压差特性，具有低噪声、固定输出电压3.3V,被广泛应用于：便携式电子设备、无线通信模块、医疗设备、物联网（IoT）设备等

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￥0.577695 ￥0.6081
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￥0.463695 ￥0.4881
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￥0.406695 ￥0.4281
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￥0.329745 ￥0.3471
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￥0.31255 ￥0.329

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型号：BFS17NTA-HXY 编号：C47506925

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款NPN型三极管（BJT）适用于高频放大与开关应用，具有IC电流能力为0.1A，最大集电极-发射极电压VCEO达到11V。其直流电流增益HFE范围在50至300之间，显示了良好的放大性能。特别值得一提的是，它的过渡频率FT高达7000MHz，表明它在高频环境下仍能保持优秀的性能表现。该三极管是构建无线通信设备、射频模块等电子产品的理想选择，能满足对信号放大和处理的高要求。

5+
￥1.3311 ￥1.479
50+
￥1.05444 ￥1.1716
150+
￥0.93582 ￥1.0398
500+
￥0.78786 ￥0.8754
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