
W25N01GVZEIG
- 厂商名称WINBOND
- 元件分类NAND FLASH
- 中文描述NAND闪存1G-bit Serial NAND flash,3V
- 英文描述1Gb Serial NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size and set Buffer Read Mode as default
- 数据手册W25N01GVZEIG数据手册Datasheet PDF
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W25N01GVZEIG概述
W25N01GV(1G位)串行SLC NAND闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供了存储解决方案。W25N SpiFlash系列采用流行的SPI接口和传统的大容量NAND非易失性存储器空间。它们非常适合将代码影射到RAM,直接从双/四SPI(XIP)执行代码,以及存储语音、文本和数据。该器件采用2.7V至3.6V单电源供电,工作电流低至25mA,待机电流为10µA。
W25N SpiFlash系列的所有器件都采用节省空间的封装,这在过去是典型的NAND闪存无法做到的。W25N01GV 1G位存储器阵列分为65,536个可编程页面,每个页面2,048字节。可以使用2,048字节内部缓冲器中的数据一次性对整个页面进行编程。页面可以64个为一组进行擦除(128KB块擦除)。W25N01GV有1,024个可擦除块。
W25N01GV支持标准串行外设接口(SPI)、双/四输入/输出SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2(/WP)和I/O3(/HOLD)。W25N01GV支持高达104MHz的SPI时钟频率,使用快速读取双通道/四通道I/O指令时,双通道I/O的等效时钟频率为208MHz(104MHz x 2),四通道I/O的等效时钟频率为416MHz(104MHz x 4)。
W25N01GV提供全新的连续读取模式,只需一条读取指令即可高效访问整个存储器阵列。保持引脚、写保护引脚和可编程写保护提供了进一步的控制灵活性。此外,该器件还支持JEDEC标准的制造商和器件ID、一个2048字节的唯一ID页、一个2048字节的参数页和十个2048字节的OTP页。为了提供更好的NAND闪存可管理性,W25N01GV还提供了用户可配置的内部ECC和坏块管理功能。
W25N SpiFlash系列的所有器件都采用节省空间的封装,这在过去是典型的NAND闪存无法做到的。W25N01GV 1G位存储器阵列分为65,536个可编程页面,每个页面2,048字节。可以使用2,048字节内部缓冲器中的数据一次性对整个页面进行编程。页面可以64个为一组进行擦除(128KB块擦除)。W25N01GV有1,024个可擦除块。
W25N01GV支持标准串行外设接口(SPI)、双/四输入/输出SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2(/WP)和I/O3(/HOLD)。W25N01GV支持高达104MHz的SPI时钟频率,使用快速读取双通道/四通道I/O指令时,双通道I/O的等效时钟频率为208MHz(104MHz x 2),四通道I/O的等效时钟频率为416MHz(104MHz x 4)。
W25N01GV提供全新的连续读取模式,只需一条读取指令即可高效访问整个存储器阵列。保持引脚、写保护引脚和可编程写保护提供了进一步的控制灵活性。此外,该器件还支持JEDEC标准的制造商和器件ID、一个2048字节的唯一ID页、一个2048字节的参数页和十个2048字节的OTP页。为了提供更好的NAND闪存可管理性,W25N01GV还提供了用户可配置的内部ECC和坏块管理功能。
W25N01GVZEIG中文参数
| 制造商: | Winbond | 电源电压-最小: | 2.7 V |
| 产品种类: | NAND闪存 | 电源电压-最大: | 3.6 V |
| 安装风格: | SMD/SMT | 电源电流—最大值: | 35 mA |
| 封装 / 箱体: | WSON-8 | 最小工作温度: | - 40 ℃ |
| 系列: | W25N01GV | 最大工作温度: | + 85 ℃ |
| 存储容量: | 1 Gbit | 有源读取电流(最大值): | 35 mA |
| 接口类型: | SPI | 商标: | Winbond |
| 组织: | 128 M x 8 | 最大时钟频率: | 104 MHz |
| 定时类型: | Asynchronous | 湿度敏感性: | Yes |
| 数据总线宽度: | 8 bit | 产品类型: | NAND Flash |
W25N01GVZEIG引脚图

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