STB15810
- 厂商名称ST意法半导体
- 元件分类MOS管
- 中文描述N沟道 100 V、3.4 mΩ typ.、110 A、STripFET™ F7nPower MOSFET，采用 D²PAK 封装<br />
- 英文描述<span>N-channel 100 V, 3.4 mΩ typ., 110 A, STripFET™ F7nPower MOSFET in a D²PAK package</span><br />
- 数据手册STB15810数据手册Datasheet PDF
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STB15810概述
STB15810是N沟道功率MOSFET采用STripFET™F7技术，具有增强型沟槽栅极结构，导通电阻极低，同时还能降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。
100%通过雪崩测试
超低导通电阻
应用
开关应用
100%通过雪崩测试
超低导通电阻
应用
开关应用
STB15810中文参数
类型:N沟道
漏源电压(Vdss):100V
连续漏极电流(Id):110A
功率(Pd):250W
漏源电压(Vdss):100V
连续漏极电流(Id):110A
功率(Pd):250W
STB15810引脚图
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