NTGS5120PT1G
- 厂商名称Onsemi
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管,MOSFET,P通道,60 V,2.5 A,0.072 ohm,TSOP,表面安装
- 英文描述P-channel MOSFET Transistor,2.9 A,-60 V,6-pin TSOP
- 数据手册NTGS5120PT1G数据手册Datasheet PDF
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NTGS5120PT1G概述
NTGS5120PT1G是安森美生成的一款单P沟道功率MOSFET，主要特性：60 V V(BR)DSS，低RDS(on)，采用TSOP-6封装，4.5V栅极等级。功能应用：负载开关、打印机和通信设备的电源开关、低电流逆变器和DC-DC、低电流逆变器和DC-DC等。
终端应用：
打印机、PC、调制解调器、机顶盒以及其他计算和数字消费产品
终端应用：
打印机、PC、调制解调器、机顶盒以及其他计算和数字消费产品
NTGS5120PT1G中文参数
| 制造商: | onsemi | Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V |
| 产品种类: | MOSFET | Qg-栅极电荷: | 18.1 nC |
| 技术: | Si | 最小工作温度: | - 55 C |
| 安装风格: | SMD/SMT | 最大工作温度: | + 150 C |
| 封装 / 箱体: | TSOP-6 | Pd-功率耗散: | 1.4 W |
| 晶体管极性: | P-Channel | 通道模式: | Enhancement |
| 通道数量: | 1 Channel | 配置: | Single |
| Vds-漏源极击穿电压: | 60 V | 下降时间: | 4.9 ns |
| Id-连续漏极电流: | 2.5 A | 上升时间: | 4.9 ns |
| Rds On-漏源导通电阻: | 110 mOhms | 典型关闭延迟时间: | 38 ns |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | 典型接通延迟时间: | 8.7 ns |
NTGS5120PT1G引脚图
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