NCD57000DWR2G
- 厂商名称Onsemi
- 元件分类栅极驱动IC
- 中文描述IGBT驱动器，高压侧和低压侧，7.1A，3.3V至5V电源，60ns/66ns延迟
- 英文描述Gate Drivers GALVANIC ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
- 数据手册NCD57000DWR2G数据手册Datasheet PDF
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NCD57000DWR2G概述
NCD57000是一款具有内部电流隔离的大电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其功能包括互补输入、开漏故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确UVLO、DESAT保护、DESAT软关断，以及为系统设计提供便利的独立高低（OUTH和OUTL）驱动器输出。NCD57000在输入侧适应5 V和3.3 V信号，在驱动器侧适应宽偏置电压范围，包括负电压能力。
IGBT米勒平台电压下的高电流输出(+4/-6 A)
用于增强型IGBT驱动的低输出阻抗
具有精确匹配的短传播延迟
有源米勒钳位防止杂散栅极导通
具有可编程延迟的DESAT保护
DESAT的负电压（低至-9 V）能力
IGBT短路时软关断
短路期间的IGBT栅极钳位
IGBT栅极有源下拉
偏压灵活性的严格UVLO阈值
宽偏置电压范围，包括负VEE2
3.3V至5V输入电源电压
专为AEC-Q100认证而设计
5000 V电流隔离（满足UL1577要求）
1200 V工作电压（根据VDE0884-11要求）
应用
电源管理，电机驱动与控制，工业与制造业
IGBT米勒平台电压下的高电流输出(+4/-6 A)
用于增强型IGBT驱动的低输出阻抗
具有精确匹配的短传播延迟
有源米勒钳位防止杂散栅极导通
具有可编程延迟的DESAT保护
DESAT的负电压（低至-9 V）能力
IGBT短路时软关断
短路期间的IGBT栅极钳位
IGBT栅极有源下拉
偏压灵活性的严格UVLO阈值
宽偏置电压范围，包括负VEE2
3.3V至5V输入电源电压
专为AEC-Q100认证而设计
5000 V电流隔离（满足UL1577要求）
1200 V工作电压（根据VDE0884-11要求）
应用
电源管理，电机驱动与控制，工业与制造业
NCD57000DWR2G中文参数
通道数:1放大器
驱动配置:高压侧和低压侧
电源开关类型:IGBT、MOSFET、SiC MOSFET
针脚数:16引脚
驱动器封装类型:WSOIC
输入类型:反相，非反相
拉电流:7.8A
灌电流:7.1A
电源电压最小值:3.3V
电源电压最大值:5V
工作温度最小值:-40°C
工作温度最高值:125°C
输入延迟:60ns
输出延迟:66ns
驱动配置:高压侧和低压侧
电源开关类型:IGBT、MOSFET、SiC MOSFET
针脚数:16引脚
驱动器封装类型:WSOIC
输入类型:反相，非反相
拉电流:7.8A
灌电流:7.1A
电源电压最小值:3.3V
电源电压最大值:5V
工作温度最小值:-40°C
工作温度最高值:125°C
输入延迟:60ns
输出延迟:66ns
NCD57000DWR2G引脚图
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