HGTG20N60B3D

厂商名称ON安森美
元件分类IGBT管
中文描述IGBT,40A,1.8V,165W,600V,TO-247,3引脚
英文描述HGTG20N60B3D-IGBTSingleTransistor,GeneralPurpose,40A,1.8V,165W,600V,TO-247,3Pins
数据手册HGTG20N60B3D数据手册Datasheet PDF
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HGTG20N60B3D概述

HGTG20N60B3D是一款600VN沟道IGBT,带反并联超快二极管。UFS系列MOS门控高压开关器件结合了MOSFET和双极晶体管的优势。该器件具有MOSFET的高输入阻抗,以及双极晶体管的低导通损耗。低导通压差,在25°C和150°C之间变化小。IGBT的反并联二极管采用RHRP3060。IGBT适合在中等频率下工作,适用于许多高压开关应用,具有低传导损耗。制造工艺经过优化,更好的控制和可重复性,从而严格控制规格,并提高EMI性能。该产品是通用型,适用于许多不同的应用。

140ns下降时间(TJ=150°C)

HGTG20N60B3D中文参数

制造商:onsemi

产品种类:IGBT晶体管

技术:Si

封装/箱体:TO-247-3

安装风格:ThroughHole

配置:Single

集电极—发射极最大电压VCEO:600V

集电极—射极饱和电压:1.8V

栅极/发射极最大电压:20V

在25C的连续集电极电流:20A

Pd-功率耗散:165W

最小工作温度:-40C

最大工作温度:+150C

系列:HGTG20N60B3D

封装:Tube

集电极连续电流:40A

集电极最大连续电流Ic:40A

栅极—射极漏泄电流:+/-100nA

高度:20.82mm

长度:15.87mm

HGTG20N60B3D引脚图

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