FGA25N120ANTDTU
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类IGBT管
- 中文描述IGBT,25A,2.5V,312W,1.2kV,TO-3P,3引脚
- 英文描述IGBT N-Ch 1200V 50A NPT Trench TO3PN Fairchild FGA25N120ANTDTU,50 A 1200 V,1MHz,3-Pin TO-3P
- 数据手册FGA25N120ANTDTU数据手册Datasheet PDF
- 在线购买
FGA25N120ANTDTU概述
FGA25N120ANTD是采用通孔TO-3P封装的1200V、25A NPT沟槽IGBT。IGBT提供卓越的传导、开关性能、高雪崩耐用性和易于并行操作。该器件非常适合谐振或软开关应用。
集电极发射极电压VCES为1.2KV
25°C时的集电极电流为50A
二极管在25°C时的连续正向电流为50A
工作结温范围为-55°C至150°C
25°C时的最大功耗为312W
在IC=50 A时，集电极到发射极的饱和电压为2.65V
IF=25A时的最大二极管正向电压为3V
二极管峰值反向恢复电流为40A
集电极发射极电压VCES为1.2KV
25°C时的集电极电流为50A
二极管在25°C时的连续正向电流为50A
工作结温范围为-55°C至150°C
25°C时的最大功耗为312W
在IC=50 A时，集电极到发射极的饱和电压为2.65V
IF=25A时的最大二极管正向电压为3V
二极管峰值反向恢复电流为40A
FGA25N120ANTDTU中文参数
制造商:onsemi
产品种类:IGBT晶体管
技术:Si
封装/箱体:TO-3P-3
安装风格:Through Hole
配置:Single
集电极—发射极最大电压VCEO:1200 V
集电极—射极饱和电压:2 V
栅极/发射极最大电压:20 V
在25 C的连续集电极电流:50 A
Pd-功率耗散:312 W
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
系列:FGA25N120ANTD
封装:Tube
商标:onsemi/Fairchild
集电极连续电流:25 A
集电极最大连续电流Ic:50 A
栅极—射极漏泄电流:+/-250 nA
高度:18.9 mm
长度:15.8 mm
产品种类:IGBT晶体管
技术:Si
封装/箱体:TO-3P-3
安装风格:Through Hole
配置:Single
集电极—发射极最大电压VCEO:1200 V
集电极—射极饱和电压:2 V
栅极/发射极最大电压:20 V
在25 C的连续集电极电流:50 A
Pd-功率耗散:312 W
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
系列:FGA25N120ANTD
封装:Tube
商标:onsemi/Fairchild
集电极连续电流:25 A
集电极最大连续电流Ic:50 A
栅极—射极漏泄电流:+/-250 nA
高度:18.9 mm
长度:15.8 mm
FGA25N120ANTDTU引脚图
爆款物料推荐
型号
价格