IRLZ44NPBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 41 A, 0.022 ohm, TO-220AB, 通孔
- 英文描述N-channel MOSFET，IRLZ44N 47A 55V
- 数据手册IRLZ44NPBF数据手册Datasheet PDF
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IRLZ44NPBF概述
IRLZ44NPBF是一款55V单N通道HEXFET®功率MOSFET，具有极低的单位硅面积导通电阻和使用先进平面技术的快速开关性能。
175°C工作温度
动态dV/dt额定值
完全雪崩额定
逻辑电平栅极驱动
应用
电源管理
175°C工作温度
动态dV/dt额定值
完全雪崩额定
逻辑电平栅极驱动
应用
电源管理
IRLZ44NPBF中文参数
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:55 V
Id-连续漏极电流:47 A
Rds On-漏源导通电阻:35 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-16 V，+16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V
Qg-栅极电荷:48 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+175 C
Pd-功率耗散:83 W
通道模式:Enhancement
封装:Tube
商标:Infineon/IR
配置:Single
高度:15.65 mm
长度:10 mm
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:55 V
Id-连续漏极电流:47 A
Rds On-漏源导通电阻:35 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-16 V，+16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V
Qg-栅极电荷:48 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+175 C
Pd-功率耗散:83 W
通道模式:Enhancement
封装:Tube
商标:Infineon/IR
配置:Single
高度:15.65 mm
长度:10 mm
IRLZ44NPBF引脚图
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