BSC028N06NS
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N通道，60 V，100 A，0.0025 ohm，TDSON，表面安装
- 英文描述MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
- 数据手册BSC028N06NS数据手册Datasheet PDF
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BSC028N06NS概述
BSC028N06NS是一款60V N沟道功率MOSFET，针对服务器、台式机和平板电脑充电器等开关模式电源(SMPS)中的同步整流进行了优化。MOSFET的RDS(on)比替代器件低40%。显着降低的栅极电荷和输出电荷可实现高系统效率和功率密度。OptiMOS?功率MOSFET非常适合高频开关和DC-DC转换器。
最高系统效率
更少的并联需求
增加功率密度
节省空间
非常低的电压过冲
卓越的耐热性
应用
电源管理，替代能源，电机驱动与控制，工业
最高系统效率
更少的并联需求
增加功率密度
节省空间
非常低的电压过冲
卓越的耐热性
应用
电源管理，替代能源，电机驱动与控制，工业
BSC028N06NS中文参数
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TDSON-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:100 A
Rds On-漏源导通电阻:2.8 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V
Qg-栅极电荷:37 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
Pd-功率耗散:83 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:8 ns
正向跨导-最小值:50 S
高度:1.27 mm
长度:5.9 mm
产品类型:MOSFET
上升时间:38 ns
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TDSON-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:100 A
Rds On-漏源导通电阻:2.8 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V
Qg-栅极电荷:37 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
Pd-功率耗散:83 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:8 ns
正向跨导-最小值:50 S
高度:1.27 mm
长度:5.9 mm
产品类型:MOSFET
上升时间:38 ns
BSC028N06NS引脚图
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