IRLML2402TRPBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N通道，20 V，1.2 A，0.25 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述N-Channel MOSFET，1.2 A，20 V HEXFET，3-Pin SOT-23 Infineon
- 数据手册IRLML2402TRPBF数据手册Datasheet PDF
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IRLML2402TRPBF概述
IRLML2402PBF是一款N沟道HEXFET®功率MOSFET，开关损耗更低，可靠性更高。Infineon利用先进的加工技术实现了单位硅面积的极低导通电阻。这一优点与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计者提供了用于各种应用的极其高效和可靠的器件。
业界标准引脚排列
MSL1，消费产品认证
低轮廓（<1.1mm）
快速开关速度
超低导通电阻
业界标准引脚排列
MSL1，消费产品认证
低轮廓（<1.1mm）
快速开关速度
超低导通电阻
IRLML2402TRPBF中文参数
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:1.2 A
Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-12 V，+12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:700 mV
Qg-栅极电荷:2.6 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
Pd-功率耗散:540 mW
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:4.8 ns
正向跨导-最小值:1.3 S
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:1.2 A
Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-12 V，+12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:700 mV
Qg-栅极电荷:2.6 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
Pd-功率耗散:540 mW
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:4.8 ns
正向跨导-最小值:1.3 S
IRLML2402TRPBF引脚图
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