IRFR9024NTRPBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管,MOSFET,P通道,55 V,11 A,0.175 ohm,TO-252AA,表面安装
- 英文描述Power Field-Effect Transistor,11A I(D),55V,0.175ohm,1-Element,P-Channel,Silicon,Metal-oxide Semiconductor FET,TO-252AA,LEAD FREE,DPAK-3
- 数据手册IRFR9024NTRPBF数据手册Datasheet PDF
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IRFR9024NTRPBF概述
IRFR9024NTRPBF是HEXFET®第五代单P沟道功率MOSFET，采用先进的处理技术，单位硅面积导通电阻极低。这一优势与快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，提供了极为高效的器件和可靠的运行。该器件专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5W。
先进的工艺技术
完全符合雪崩等级
低静态漏极至源极导通电阻
动态dV/dt额定值
应用车用
车用,电源管理
先进的工艺技术
完全符合雪崩等级
低静态漏极至源极导通电阻
动态dV/dt额定值
应用车用
车用,电源管理
IRFR9024NTRPBF中文参数
| 制造商: | Infineon | Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
| 产品种类: | MOSFET | Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V |
| 技术: | Si | Qg-栅极电荷: | 19 nC |
| 安装风格: | SMD/SMT | 最小工作温度: | - 55 ℃ |
| 封装 / 箱体: | TO-252-3 | 最大工作温度: | + 150 ℃ |
| 晶体管极性: | P-Channel | Pd-功率耗散: | 38 W |
| 通道数量: | 1 Channel | 通道模式: | Enhancement |
| Vds-漏源极击穿电压: | 55 V | 高度: | 2.3 mm |
| Id-连续漏极电流: | 11 A | 长度: | 6.5 mm |
| Rds On-漏源导通电阻: | 175 mOhms |
IRFR9024NTRPBF引脚图
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