SI2309CDS-T1-GE3
- 厂商名称Vishay
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管,MOSFET,P通道,60 V,1.6 A,0.285 ohm,SOT-23,表面安装
- 英文描述MOSFET Transistor,1.2 A,60 V,3-Pin SOT-23,TO-236
- 数据手册SI2309CDS-T1-GE3数据手册Datasheet PDF
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SI2309CDS-T1-GE3概述
SI2309CDS-T1-GE3是一款P沟道60V功率MOSFET,±20V栅源电压。采用TrenchFET®功率MOSFET技术。
无卤素
应用
音频,信号处理
无卤素
应用
音频,信号处理
SI2309CDS-T1-GE3中文参数
| 制造商: | Vishay | Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V |
| 产品种类: | MOSFET | Qg-栅极电荷: | 2.7 nC |
| 技术: | Si | 最小工作温度: | - 55 ℃ |
| 安装风格: | SMD/SMT | 最大工作温度: | + 150 ℃ |
| 封装 / 箱体: | SOT-23-3 | Pd-功率耗散: | 1.7 W |
| 晶体管极性: | P-Channel | 通道模式: | Enhancement |
| 通道数量: | 1 Channel | 配置: | Single |
| Vds-漏源极击穿电压: | 60 V | 下降时间: | 10 ns |
| Id-连续漏极电流: | 1.6 A | 晶体管类型: | 1 P-Channel |
| Rds On-漏源导通电阻: | 345 mOhms | 典型关闭延迟时间: | 15 ns |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | 典型接通延迟时间: | 5 ns |
SI2309CDS-T1-GE3引脚图
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