IRFB3306PBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，160 A，0.0042 ohm，TO-220AB，通孔
- 英文描述Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube
- 数据手册IRFB3306PBF数据手册Datasheet PDF
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IRFB3306PBF概述
IRFB3306PBF是一款HEXFET®单N沟道功率MOSFET，增强栅极，雪崩，动态dV/dt耐用性能。适用于高效同步整流，用于SMPS，硬开关和高频电路。
完全表征电容值与雪崩SOA
增强型主体二极管dV/dt与di/dt功能
应用
电源管理，工业
完全表征电容值与雪崩SOA
增强型主体二极管dV/dt与di/dt功能
应用
电源管理，工业
IRFB3306PBF中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 160 A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 60 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | TO-220AB | 宽度 | 4.82mm |
| 安装类型 | 通孔 | 长度 | 10.66mm |
| 引脚数目 | 3 | 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大漏源电阻值 | 4 mΩ | 典型栅极电荷@Vgs | 85 nC @ 10 V |
| 通道模式 | 增强 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大栅阈值电压 | 4V | 系列 | HEXFET |
| 最小栅阈值电压 | 2V | 晶体管材料 | Si |
| 最大功率耗散 | 230000 mW | 高度 | 9.02mm |
IRFB3306PBF引脚图
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