IRFP4668PBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，200 V，130 A，0.008 ohm，TO-247AC，通孔
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab)TO-247AC Tube
- 数据手册IRFP4668PBF数据手册Datasheet PDF
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IRFP4668PBF概述
国际整流器公司的IRFP4668PBF是200V单N沟道HEXFET功率MOSFET，采用TO-247AC封装。这款MOSFET具有改善的栅极，雪崩特性和动态dV/dt坚固性，快速开关的特点。适用于SMPS，不间断电源，高速电源开关，硬开关和高频电路中的高效同步整流。
增强的体二极管dV/dt和dI/dt功能
全面表征的电容和雪崩SOA
漏极至源极电压（Vds）为200V
栅极至源极电压为±30V
Vgs 10V时导通电阻Rds（on）为8mohm
25°C时520W的功耗Pd
工作结温范围为-55°C至175°C
应用
电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品
增强的体二极管dV/dt和dI/dt功能
全面表征的电容和雪崩SOA
漏极至源极电压（Vds）为200V
栅极至源极电压为±30V
Vgs 10V时导通电阻Rds（on）为8mohm
25°C时520W的功耗Pd
工作结温范围为-55°C至175°C
应用
电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品
IRFP4668PBF中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 130 A | 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 最大漏源电压 | 200 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | TO-247AC | 最高工作温度 | +175 °C |
| 安装类型 | 通孔 | 长度 | 15.87mm |
| 引脚数目 | 3 | 系列 | HEXFET |
| 最大漏源电阻值 | 10 mΩ | 最低工作温度 | -55 °C |
| 通道模式 | 增强 | 典型栅极电荷@Vgs | 161 nC @ 10 V |
| 最大栅阈值电压 | 5V | 高度 | 20.7mm |
| 最小栅阈值电压 | 3V | 宽度 | 5.31mm |
| 最大功率耗散 | 520000 mW | 晶体管材料 | Si |
IRFP4668PBF引脚图
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