IRFB3077PBF
- 厂商名称英飞凌
- 元件分类MOS管
- 中文描述英飞凌Infineon MOSFET，HEXFET系列，N沟道，Si，Vds=75 V，210 A，3引脚TO-220AB封装
- 英文描述Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube
- 数据手册IRFB3077PBF数据手册Datasheet PDF
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IRFB3077PBF概述
IRFB3077PBF是一款75V单N沟道HEXFET®功率MOSFET，采用Trench MOSFET技术实现极低的导通电阻和快速开关性能。适用于高效同步整流，用于SMPS，不间断电源，高速电源开关，硬开关和高频电路。
改良的门极，雪崩与动态dv/dt耐用性
完全表征电容值与雪崩SOA
增强体二极管dV/dt与dI/dt功能
应用
电源管理
改良的门极，雪崩与动态dv/dt耐用性
完全表征电容值与雪崩SOA
增强体二极管dV/dt与dI/dt功能
应用
电源管理
IRFB3077PBF中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 210 A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 75 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | TO-220AB | 典型栅极电荷@Vgs | 160 nC @ 10 V |
| 安装类型 | 通孔 | 高度 | 9.02mm |
| 引脚数目 | 3 | 宽度 | 4.82mm |
| 最大漏源电阻值 | 3 mΩ | 长度 | 10.66mm |
| 通道模式 | 增强 | 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大栅阈值电压 | 4V | 系列 | HEXFET |
| 最小栅阈值电压 | 2V | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 370 W | 晶体管材料 | Si |
IRFB3077PBF引脚图
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