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HCI杭晶电子:差分晶振在光通信模块中的应用及关键技术解析

2026-01-04 09:27:17阅读量:144

随着光通信技术向高速率、高密度、低功耗方向演进,时钟信号的稳定性和抗干扰能力成为影响系统性能的关键因素。差分晶振(Differential Crystal Oscillator)凭借其独特的信号传输机制,逐渐成为光模块(如400G/800G光收发器)中的核心时钟源。

 

一、光通信模块的时钟需求挑战

 

在光通信系统中,光模块需完成电信号与光信号的高效转换,其核心组件(如激光驱动器、TIA跨阻放大器、CDR时钟数据恢复电路)对时钟信号的要求极为严苛:

 

1、低相位噪声与低抖动(Jitter):高速信号传输(如56Gbps PAM4、112Gbps NRZ)要求时钟抖动低于100 fs(飞秒级),以避免误码率(BER)上升。

 

2、抗电磁干扰(EMI):高密度光模块内部电磁环境复杂,传统单端时钟易受串扰影响。

 

3、温度稳定性:光模块需在-40°C至85°C宽温范围内保持频率稳定性(±2.5 ppm以下)。

 

二、差分晶振的技术优势

 

相较于单端晶振(Single-Ended Oscillator),差分晶振通过输出一对相位相反的差分信号(如LVDS、LVPECL格式),显著提升了系统性能:

 

1、抗干扰能力增强

共模噪声抑制:差分信号通过接收端减法处理,可消除传输路径中的共模噪声(如电源波动、电磁辐射)。

降低EMI辐射:差分信号的对称特性使电磁场相互抵消,辐射强度较单端信号降低约20 dB。

 

2、信号完整性优化

高摆率(Slew Rate):差分驱动可实现更快的边沿跳变,减少信号上升/下降时间,适用于56Gbps及以上高速SerDes接口。

阻抗匹配简化:差分走线天然具备100Ω特征阻抗,与高速PCB设计兼容性更好。

 

3、低功耗设计

典型差分晶振(如LVDS输出)功耗仅为单端晶振的60%~70%,有助于满足光模块的低功耗要求(如QSFP-DD功耗规范)。

 

三、差分晶振在光模块中的典型应用

 

1、高速SerDes时钟源

应用场景:为PAM4调制器、CDR电路提供基准时钟。

案例参数:100G/400G光模块常用156.25 MHz或312.500 MHz差分晶振,抖动性能<50 fs RMS(集成带宽12 kHz-20 MHz)。

 

2、多通道同步

应用场景:在CFP2/QSFP-DD等多通道光模块中,通过差分时钟树实现多路信号的相位同步。

关键技术:多输出差分晶振(如4路LVDS)可减少时钟偏斜(Skew)至±50 ps以内。

 

3、温度补偿方案

温补差分晶振(Differential TCXO):在光模块中,通过内置温度传感器和补偿算法,实现全温范围内频偏≤±2.5ppm。

 

四、行业趋势与选型建议

 

1、技术发展趋势

高频化:支持224 GHz频率的差分晶振已进入量产,适配1.6T光模块需求。

小型化:2520封装(2.5×2.5 mm)逐步替代5032/7050,满足CPO(共封装光学)的紧凑布局。

集成化:内置电源滤波器和扩频功能的差分晶振可进一步简化电路设计。

 

2、选型关键指标(工业级)

 

参数

典型要求

频率范围

10-3000MHz

频率稳定度(总频差)

±25 ppm

相位抖动

<100 fs RMS(12k-20M)

输出类型

LVDS/LVPECL/HCSL

工作温度

-40°C ~ +105°C

功耗

<80 mW(LVDS)

 

3、 选型关键指标(高稳高精度要求)

 

温补差分晶振(TCXO LVDS/LVPECL),杭晶TC32D6/TC32P6/TC53H8系列满足客户高稳高精度要求。

 

参数

典型要求

频率范围

10-3000MHz

频率精度

±1.0ppm

稳定度

±2.5ppm@-40+85°C

相位抖动

<100 fs RMS(12k-20M)

输出类型

LVDS/LVPECL

工作温度

-40°C ~ +85°C

功耗

<80 mW(LVDS)

 

综上,差分晶振凭借其抗干扰、低抖动、高集成度等特性,已成为高速光通信模块中不可替代的核心器件。随着光通信向800G/1.6T时代迈进,差分时钟技术将持续推动行业突破性能边界。

 

杭晶型号展示

 

商品编码

厂家型号

规格

品牌名称

类目

产品展示

C7503564

1532D-156.250K33DTSTL

封装尺寸3225,频点156.25MHz,输出方式LVDS,电压3.3V,常温频差±10ppm,工作温度:-40-85℃,频率稳定度±15ppm

HCI(杭晶)

有源差分晶振

(晶体振荡器)

 

C3034307

CO53D6-25.000-33JDTSTL

封装尺寸5032,频点25MHz,输出方式LVDS,电压3.3V,常温频差±10ppm,工作温度:-40-85℃,频率稳定度±20ppm

HCI(杭晶)

有源差分晶振

(晶体振荡器)

 

C2916928

CO53D6-156.250-33KDTSN

 

封装尺寸5032,频点156.25MHz,输出方式LVDS,电压3.3V,常温频差±10ppm,工作温度:-40-85℃,频率稳定度±15ppm

HCI(杭晶)

有源差分晶振

(晶体振荡器)

 

C2962757

CO53D6-200.000-33KDTSTL

 

封装尺寸5032,频点200MHz,输出方式LVDS,电压3.3V,常温频差±10ppm,工作温度:-40-85℃,频率稳定度±15ppm

HCI(杭晶)

有源差分晶振

(晶体振荡器)

 

C2992367

CO53D6-100.000-33KDTSNL

 

封装尺寸5032,频点100MHz,输出方式LVDS,电压3.3V,常温频差±10ppm,工作温度:-40-85℃,频率稳定度±15ppm

HCI(杭晶)

有源差分晶振

(晶体振荡器)

 

C2925607

CO53D6-125.000-33KDTSN

 

封装尺寸5032,频点125MHz,输出方式LVDS,电压3.3V,常温频差±10ppm,工作温度:-40-85℃,频率稳定度±15ppm

HCI(杭晶)

有源差分晶振

(晶体振荡器)