合科泰作为国家级高新技术企业，深耕功率半导体领域30余年，专注于MOSFET的技术研发与规模化生产。公司拥有位于西南和华南区域的三大制造基地，月产能达800KK，是国内少数掌握SGT（屏蔽栅沟槽）与超结工艺的功率器件厂商。
核心支撑能力
研发团队：50+半导体工程师组成的专项团队，累计获得20余项MOSFET相关专利，主导SGT工艺国产化突破。
测试中心：配备X-RAY检测机、高温反偏测试系统等高端设备，全流程执行IATF16949汽车级品质标准。
智能制造：万级无尘车间实现芯片划片-固晶-测试全自动化，关键工序良率达99.8%，确保MOS管参数一致性。
核心技术：SGT工艺赋能卓越性能
合科泰MOS管采用自主研发的SGT工艺，通过深沟槽结构与屏蔽栅设计，实现三大突破：
1.超低导通电阻：如HKTG90N03仅3.8mΩ，较传统沟槽型MOSFET降低40%损耗。
2.高频开关特性：大幅降低米勒电容，有助于显著降低开关损耗，适用于高频电源场景。
3.高可靠性：雪崩能量承受能力显著提升，抗浪涌能力强，满足工业级应用需求。
明星产品推荐
1.HKTG90N03（PDFN5x6封装）
参数：30V，90A，Rds(on)=3.8mΩ（Typ）
优势：采用SGT工艺，极低内阻，最高结温达175℃，优化高温性能。
应用：高功率马达驱动、电动车BMS电池保护。
PDFN5x6封装
2.HKTD90N03（TO-252封装）
参数：30V，90A，Rds(on)=3.8mΩ（Typ）
优势：工业级可靠性，高耐压设计，低热阻封装，适合大电流场景。
应用：电动车控制器、储能系统DC-DC转换。
TO-252封装
3.HKTQ80N03（PDFN3x3封装）
参数：30V，80A，Rds(on)=5.2mΩ（Typ）
优势：小尺寸封装（3x3mm），高频开关优化，适用于空间受限场景。
应用：快充VBUS开关。
PDFN3x3封装
品质与交付保障
全流程品控：从芯片划片到成品测试，16道检测工序（如X-RAY、超声扫描）。
快速交付：6000㎡智能仓库，常备库存100亿只，24小时内发货。
环保认证：符合RoHS、REACH标准，通过IATF16949汽车级认证。
应用领域
合科泰MOS管凭借先进的SGT和超结工艺，提供从低压到高压的全系列MOSFET产品，具有低导通电阻、高可靠性及优异的开关特性，广泛应用于新能源汽车、智能家电、工业控制、储能系统等领域，为客户提供高效、可靠的功率解决方案。为客户提供高效、可靠的功率解决方案。
