一、FTE03R20D产品简介
FTE03R20D 是一款专为苛刻高压脉冲应用设计的高度集成功率器件。它采用SOP-8封装，内部集成了一对高压低阈值、且电气隔离的N沟道与P沟道增强型MOSFET。其栅源极集成了电阻和稳压二极管，形成钳位保护结构，能有效抑制输入端异常，完美满足高压脉冲应用的需求。
FTE03R20D是一款高压、高速的互补型MOSFET对管。它采用先进的垂直双扩散与硅栅工艺，兼具双极晶体管的功率处理能力与MOSFET的高输入阻抗、正温度系数特性，从而有效避免了热失控和二次击穿风险。
FTE03R20D 200V的高击穿电压和2A的峰值输出电流能力，使其能够有效驱动如压电式换能器等负载。
二、FTE03R20D的产品特性
产品类型：N沟道和P沟道增强型MOSFET对管。
集成设计：集成栅极电阻和齐纳二极管。
高耐压：允许输入电压高达200V。
高速开关性能
低导通电阻：N沟道MOSFET RDS(on) =3Ω，P沟道MOSFET RDS(on) =6Ω
独立且电气隔离的N沟道和P沟道
三、应用领域
高压脉冲发生器
放大器
缓冲器
压电式换能器驱动
通用线路驱动
逻辑电平接口
四、典型应用方案------压电式换能器驱动
FTE03R20D N+P增强型MOS管与MOS栅极驱动可组成推挽互补式脉冲电路，激励超声换能器产生所需频率超声波。具体应用电路如图3所示，使用两个MOS管，N管和P管直接驱动超声换能器，通过使用MOS栅极驱动器控制两个MOS开关的导通时序，在超声换能器（压电式）两端产生高压双极性脉冲或单极性脉冲，形成逆压电效应发出超声波。
N+P MOSFET互补推挽电路因其双向对称驱动能力、低导通损耗、高开关速度、电源供电的灵活性、低输出阻抗以及相对简单的结构，成为驱动超声换能器的理想选择之一，它能够高效、精确地提供换能器所需的高频、高压、双向电流。
五、FTE03R20D在超声领域的典型应用方案
医学超声诊断应用
医学超声成像原理如图4所示：成像系统首先通过发射电路（由FTE03R20D与MOS栅极驱动器组成）产生高频电信号，驱动超声探头将其转换为超声波。超声波在人体组织中传播，遇组织界面产生反射或散射；回波被探头接收并转换为电信号，经处理后最终形成超声图像。该图像通过解析反射、散射、衰减、频移（多普勒效应）等声学特性的变化，来呈现被测组织的二维或三维形状与结构。
超声流量计
图5所示为时差法超声波流量计框图，其核心原理是通过精确测量超声波信号在流体中顺流方向与逆流方向传播的时间差来确定流体流量。如图6所示，当超声波穿越流动的流体时，流体流动会导致顺流传播时间缩短、逆流传播时间延长。通过检测并计算这两个方向传播时间的差值，即可推算出流体的流速，进而确定流量。
在该流量计的换能器激励电路中，可采用FTE03R20D芯片与栅极驱动器组合的方案来产生所需的高频激励电信号。
六、更多产品选型
除集成N+P增强型MOSFET对管，也可采用分立元器件组合搭建互补电路，以下为更多相关产品选型：
|
PartNumber |
BVDSX |
VGS(th) |
IDSS |
RDS(on) |
Remark |
|
FTF15C35G FTE15C35G |
350V |
N 管：1V~3V P 管：-1V~-3V |
N 管：300mA P 管：-200mA |
N 管：15Ω P 管：30Ω |
N+P对管 |
|
FTZ15N35G FTX15N35G |
350V |
1V~3V |
300mA |
15Ω |
N型 |
|
FTF15N35D |
350V |
1V~3V |
300mA |
15Ω |
N+N双管 |
|
FTZ30P35G FTX30P35G |
-350V |
-1V~-3V |
-200mA |
30Ω |
P型 |
|
FTF30P35D |
-350V |
-1V~-3V |
-200mA |
30Ω |
P+P双管 |
|
FTD03N20G |
200V |
1V~2.4V |
2A |
3Ω |
N型 |
|
FTD03P20G |
-200V |
-1.4V~-2.4V |
-2A |
6Ω |
P型 |
【购买指引】
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商品编号 |
厂家型号 |
规格 |
品牌名称 |
类目 |
|
C46532093 |
SOP-8 |
ARK(方舟微) |
场效应管(MOSFET) |
|
|
C41432016 |
PDFN3333 |
ARK(方舟微) |
场效应管(MOSFET) |
|
|
C3031434 |
SOP-8 |
ARK(方舟微) |
场效应管(MOSFET) |
|
|
C3031430 |
SOT-23 |
ARK(方舟微) |
场效应管(MOSFET) |
|
|
C3031431 |
SOT-89 |
ARK(方舟微) |
场效应管(MOSFET) |
|
|
C19184458 |
PDFN3333 |
ARK(方舟微) |
场效应管(MOSFET) |
|
|
C3031432 |
SOT-23 |
ARK(方舟微) |
场效应管(MOSFET) |
|
|
C3031433 |
SOT-89 |
ARK(方舟微) |
场效应管(MOSFET) |
|
|
C19184459 |
PDFN3333 |
ARK(方舟微) |
场效应管(MOSFET) |
|
|
C46531783 |
TO-252 |
ARK(方舟微) |
场效应管(MOSFET) |
|
|
C46531782 |
TO-252 |
ARK(方舟微) |
场效应管(MOSFET) |
