VBGED1401一款采用LFPAK56封装的单N沟道MOSFET，以40V耐压、150A超高电流承载能力及0.8mΩ（@VGS=10V）的导通电阻，刷新了中压MOSFET的性能极限。
它其创新的“晶圆+铜夹片”封装技术与SGT（Shielded Gate Trench）工艺结合，为工业电机、服务器电源及新能源汽车电控系统提供了兼具高功率密度与可靠性的解决方案，标志着中国功率半导体在“高频低损”赛道已跻身全球第一阵营。
一、性能突破
1. 参数碾压竞品，能效与空间双突破
超低导通损耗：0.8mΩ@10V驱动电压（竞品平均1.2-1.5mΩ），动态损耗降低30%，直接对标ONSEMI NTMYS1D3N04CTWG（1.15mΩ）和TI SQJ138EP-T1_GE3（1.5mΩ）。
大电流与快速响应：150A连续电流能力，结合SGT工艺的栅极屏蔽设计，开关速度比传统平面MOSFET提升40%，适配100kHz以上高频应用。
空间革命：LFPAK56封装面积较TO-220缩小70%，PCB布局自由度大幅提升，尤其适合高集成度电源模块。
2. 独创“铜夹片+晶圆”封装技术
热性能飞跃：铜夹片直接键合晶圆，热阻（RθJA）低至15℃/W，较传统封装散热效率提升50%，实测85℃环境满负载运行下温升仅22℃。
抗浪涌能力：SOA（安全工作区）宽度达竞品2倍，可承受200A脉冲电流（10ms），完美应对电机启动、短路保护等瞬态冲击。
3. 工业级可靠性设计
工作温度范围-55℃~175℃；
通过HTRB（高温反向偏压）测试，寿命预估超10万小时。
二、应用场景：从工业到汽车，能效革命全覆盖
1. 工业自动化
伺服驱动器：替换传统多颗并联方案，单颗VBGED1401即可支持30kW电机驱动，PCB面积缩减60%；
数据中心电源：12V/48V总线转换效率突破97.5%，助力欧盟CoC Tier 4能效达标。
2. 新能源汽车
电控系统：150A电流支持24V平台电源管理，开关损耗降低使续航提升约1.5%；
车载充电机（OBC）：0.8mΩ导通电阻使热损耗减少40%，支持22kW快充散热管理。
3. 消费电子
高端板卡供电：高频低损特性完美匹配GPU瞬时功耗需求，纹波电压降低至50mV以下。
成本优势
较同类进口产品价格低20%，但性能参数全面领先。
未来展望：微碧半导体的技术蓝图
2026年规划推出60V/0.8mΩ产品，进一步突破高频电源的能效天花板。
用户实测验证：
某头部储能厂商在充电管理中采用VBGED1401，整机效率提升1.2%；
工业机器人巨头实测电机响应延迟从1.2ms降至0.6ms，且零故障运行超2000小时。
从参数领先到场景制胜，不仅是技术的胜利，更是中国功率半导体产业链协同创新的缩影。在功率电子世界，0.2mΩ的差距，就是平庸与卓越的分水岭。
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商品编号 |
厂家型号 |
规格 |
品牌名称 |
类目 |
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C49253685 |
LFPAK56 |
VBsemi(微碧半导体) |
场效应管(MOSFET) |
