安邦半导体：碳化硅创新筑新能

在功率半导体领域，碳化硅（SiC）正以 “后起之秀” 的姿态重塑行业格局。作为第三代宽禁带半导体材料的代表，碳化硅拥有远超传统硅材料的物理特性 ——禁带宽度是硅的 3 倍，热导率是硅的 3 倍，击穿场强是硅的 10 倍。这些特性赋予了碳化硅器件 “天生强者” 的基因：能在更高温度、更高频率、更高电压的环境下稳定工作，同时实现更低的能量损耗。​

 

 

如今，碳化硅器件已成为多个战略新兴产业的 “刚需”：

 

新能源汽车

主逆变器、车载充电机（OBC）中采用碳化硅器件，可延长续航里程 10% 以上，同时缩短充电时间。

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储能系统

在光伏逆变器、储能变流器中，碳化硅器件能提升能量转换效率，减少发热损耗，延长设备寿命。​

 

 

工业控制

高频感应加热、伺服电机驱动等领域，借助碳化硅的高频特性，可简化电路设计，提升控制精度。​

 

 

智能电网

高压直流输电、柔性交流输电系统中，碳化硅器件的高耐压特性有效降低了输电损耗。​

 

 

我们的产品：技术创新的实践者​

 

在碳化硅器件的产业化浪潮中，我们始终以技术突破回应市场需求。旗下第四代碳化硅 MPS 肖特基二极管（涵盖 650V、1200V、1700V 电压等级），正是碳化硅材料优势的典型载体 —— 通过先进薄片技术提升电流密度、降低导通损耗，结合抗浪涌技术增强工况适应性，为各领域客户提供兼具高效与可靠的功率解决方案。​

 

从材料革命到产业升级，碳化硅器件正在改写电力电子的未来。无论你是寻求能效突破的开发者，还是布局技术迭代的企业，了解碳化硅，都将为你打开新的可能性。​

 

 

序号	物料编码	型号	封装	商品类型
1	C50132424	ASYD010120C	TO-247-2	碳化硅肖特基
2	C50132425	ASYD010170C	TO-247-2	碳化硅肖特基
3	C50132426	ASYD020120C	TO-247-2	碳化硅肖特基
4	C50132427	ASYD025170C	TO-247-2	碳化硅肖特基
5	C50132428	ASYD040120C	TO-247-2	碳化硅肖特基
6	C50132429	ASYD050170C	TO-247-2	碳化硅肖特基
7	C50132430	ASYD060120C	TO-247-2	碳化硅肖特基