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据《台北时报》报道,近日,中国台湾地区“经济部长”郭智辉表示,虽然台积电可以在美国、欧洲和日本建造先进的晶圆厂,但它不能将其最先进的工艺技术转移到海外的生产设施。
因为中国台湾有相关法规保护自己的技术,台积电目前无法在海外生产2nm芯片。
郭智辉上述言论是为了回应特朗普胜选后,业界对于台积电可能被迫提前在美国晶圆厂生产2nm芯片的担忧。
郭智辉补充说,“尽管台积电未来计划在海外生产2nm芯片,但其核心技术将留在台湾。”
图源:台北时报
台积电表示,2nm制程技术提供全世代的效能和功耗优势。相较于N3E,在相同功耗下,性能增加10~15%;在相同频率和复杂度下,功耗降低25~30%,同时芯片密度增加大于15%。
台积电的 2nm 将于明年下半年量产,目前新竹宝山 Fab20 厂进机流程已告一段落,7 月开始试产。高雄 Fab22 首座 P1 厂也即将完工,预计 12 月进行设备装机,最快将于明年第二季试产。
台积电首席执行官魏哲家表示,2nm 工艺的规划产能已经超过 3nm 工艺。据悉2nm晶圆成本将达3万美元以上。
N2 和 N2P 都将使用台积电的 NanoFlex 技术,该技术允许芯片设计人员在同一块设计中混合和匹配来自不同库(高性能、低功耗、面积高效)的单元。
至于美国亚利桑那州的 Fab 21 ,目前只涉及 N4 和 N5 制造技术的芯片进行大批量生产。
图源:台积电
虽然依据中国台湾技术保护法规定,台积电还不能赴海外生产。但专家认为,这是无法避免的议题。
且美国全力主导全球AI发展未来更将开启以AI技术主导半导体全新制造及寻求新材料的时代,台积电碍于情势,恐会提早启动2nm赴美生产。
L7805CV-DG/线性稳压器(LDO) | 0.5026 | |
AMS1117-3.3/线性稳压器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二极管 | 0.0325 | |
LM358DR2G/运算放大器 | 0.35 | |
CJ431/电压基准芯片 | 0.1237 | |
LM393DR2G/比较器 | 0.3582 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔离式USB芯片 | 23.39 | |
REF3012AIDBZR/电压基准芯片 | 0.9006 | |
SS8050/三极管(BJT) | 0.0345 | |
8S005/锡膏/锡浆 | 16.59 |
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