“矽普半导体”成立于2017年10月，是一家专业从事于半导体分立器件研发、设计及销售的高新技术企业。公司专注于功率半导体器件进口替代，努力成为国内领先，国际知名的行业厂商。公司总部位于合肥市高新区，研发中心位于上海张江高科，深圳龙华区设有办事处。公司技术人员占比30%，核心成员均有行业内十余年的研发经验，精通功率半导体器件的技术、应用、市场。 矽普半导体产品以20V-250V的中低压MOSFET和1200V高压 SiC MOS为主，公司产品型号丰富，广泛运用于消费类电子与家电、新能源、工业马达驱动、汽车电子等市场领域。
矽普半导体产品已导入国内知名企业，有着一套完整的研发、销售和服务体系。结合自身技术优势，与行业内知名晶圆代工厂和一线封装测试代工厂紧密合作，在芯片设计、晶圆流片、封装测试、可靠性测试方面建立了完善的质量管理体系，确保产品优质和供货稳定。
产品类型及市场应用
1、小电流MOSFET类型：击穿电压选择范围-100V至100V，电流选择范围100mA至10A，并有多种流行封装外形可供选择。小电流MOSFET通过采用先进的沟槽栅工艺技术和封装工艺技术，使产品具有体积小、低导通阻抗、低阈值电压、高可靠性等特点。主要应用于消费类电子，智能家居，智能穿戴，移动通讯、锂电保护等多种应用领域。
2、低压MOSFET类型：产品击穿电压选择范围-60V至100V，电流选择范围3.5A至150A，封装外形包括TO-252、DFN2*2、DFN3*3、DFN5*6、SOP-8多种封装，主要作用是变频、变压、变流、功率放大和功率管理，对设备正常运行起到关键作用。主要应用于工业新能源类，散热风扇、光伏新能源、户外便携储能、智能家居、BMS保护等多种应用领域。
3、SGT MOSFET类型：与传统沟槽型MOSFET相比，SGT MOSFET采用了更优的工艺设计，内阻低、开关损耗小，同等功耗下芯片面积可减少40%，EAS能力更强，具有高稳定性和可靠性、高开关速度、高应用效率等优点。有TO-252、TO-263、DFN2*2、DFN3*3、DFN5*6、SOP-8多种封装外形，为客户设计提供更多更优选择。主要应用于工业新能源类，储能光伏逆变器、充电桩、车载充电器、无人机、割草机、电动工具、锂电保护、通信电源等多种应用领域。
4、SiC MOSFET类型：产品击穿电压1200V，SiC MOSFET采用沟槽结构以及更优工艺设计，具有较低的栅电荷 Qg，开关频率高，导通电阻随温度的变化低等特点，可广泛应用于高压、高温、高频、大电流应用领域。主要应用于电动车充电桩、开关电源，光伏逆变器，储能变流器，车载充电器等领域。
