图:程卫华在中国闪存市场峰会上
程卫华在演讲中提到,随着5G手机市场渗透率快速提升,嵌入式存储市场规模也快速增长。目前,长江存储64层闪存颗粒出货超3亿颗。
同时,长江存储于去年4月推出的128层QLC 3D NAND闪存(型号:X2-6070)已经准备量产。据悉,X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。
图:长江存储发布的全球首款128层QLC闪存芯片
这是中国首次在闪存规格上超过三星等内存大厂,也标志着中国打破了美日韩在闪存市场上的定价权。
“这款产品已经达到全球主流产品的位置,表明中国芯片产品在国际市场已由跟跑进入并跑时期。”华中科技大学计算机学院院长冯丹教授曾表示。
同时据程卫华介绍,长江存储发布的128层512Gb TLC(3 bit/cell)已实现量产,闪存良率也做到相当高的水准,产品也已经进入高端智能手机和企业级的应用。芯片大师曾报道主控、存储颗粒全自主,国产“最强”SSD发布!采用的就是是长江存储128层3D TLCNAND。
而长江存储从64层芯片到128层弯道超车,直接越过了96层技术。长江存储首席执行官杨士宁曾表示:“从64层芯片量产至128层芯片问世,仅用7个月,还有一半时间是在疫情之中。”
据悉,128层QLC 3D NAND 闪存和128层512Gb TLC(3 bit/cell)闪存均采用长江存储自主研发的Xtacking® 2.0版本。而据程为华介绍,长江存储的Xtacking技术架构进入3.0阶段,产能到明年年中将满载。
LR8341A-T33/线性稳压器(LDO) | 0.143 | |
SN65LBC184DR/RS-485/RS-422芯片 | 3.75 | |
ADS1256IDBR/模数转换芯片ADC | 42.32 | |
ADS1220IPWR/模数转换芯片ADC | 16.35 | |
TMS320F28035PNT/单片机(MCU/MPU/SOC) | 18.66 | |
TPS54331DR/DC-DC电源芯片 | 0.8793 | |
ADS1115IDGSR/模数转换芯片ADC | 6.22 | |
AMC1200BDWVR/隔离放大器 | 3.69 | |
DRV8870DDAR/电机驱动芯片 | 1.7 | |
ISO3082DWR/RS-485/RS-422芯片 | 2.7 |
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