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国产闪存出货超3亿颗,业内首款128层QLC将量产!

2021-09-14 18:17:42阅读量:512

导读:9月14日,长江存储首席运营官程卫华中国闪存市场峰会上表示,长江存储64层闪存颗粒出货超3亿颗,128层QLC已经准备量产。


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图:程卫华在中国闪存市场峰会上


程卫华在演讲中提到,随着5G手机市场渗透率快速提升,嵌入式存储市场规模也快速增长。目前,长江存储64层闪存颗粒出货超3亿颗


同时,长江存储于去年4月推出的128层QLC 3D NAND闪存(型号:X2-6070)已经准备量产。据悉,X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量


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图:长江存储发布的全球首款128层QLC闪存芯片


中国首次在闪存规格上超过三星等内存大厂也标志着中国打破了美日韩在闪存市场上的定价


“这款产品已经达到全球主流产品的位置,表明中国芯片产品在国际市场已由跟跑进入并跑时期”华中科技大学计算机学院院长冯丹教授曾表示。


同时据程卫华介绍,长江存储发布的128层512Gb TLC(3 bit/cell)已实现量产,闪存良率也做到相当高的水准,产品也已经进入高端智能手机和企业级的应用。芯片大师曾报道主控、存储颗粒全自主,国产“最强”SSD发布!采用的就是是长江存储128层3D TLCNAND。


而长江存储从64层芯片到128层弯道超车,直接越过了96层技术。长江存储首席执行官杨士宁曾表示:“从64层芯片量产至128层芯片问世,仅用7个月,还有一半时间是在疫情之中。


据悉,128层QLC 3D NAND 闪存和128层512Gb TLC(3 bit/cell)闪存均采用长江存储自主研发的Xtacking® 2.0版本。而据程为华介绍,长江存储的Xtacking技术架构进入3.0阶段,产能到明年年中将满载。