芯片简介
ME2169是一款由基准电压源、振荡电路、误差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路、PWM/PFM控制电路等构成的CMOS升压型DC/DC控制器。 由于使用外接的低导通电阻的增强型N沟道功率MOSFET，因此适用于需要高效率、高输出电流的应用电路。 另外，可通过在VSENSE端子连接电流检测电阻 (RSENSE ) 来限制输出电流。由于将电流检测电压 (VSENSE) 设定为100mV ± 10%，因此可减少在RSENSE端产生的损耗。 ME2169外围的输出电容器可使用陶瓷电容器。并且，采用了小型的SOT23 - 6封装，因此可适用于高密度安装高精度高效率的应用。
商品特性：
- 具有可自由设置的电流限制功能：如当设定RSENS = 50mΩ时，限流值是2A。
- 占空比范围：基于PWM/PFM开关控制电路，最高可达78% (PWM模式)。
- 工作频率：1.0MHz
- 基准电压：1.25V ± 2.0%
- 消耗电流低：静止时60μA (典型值)
- 输出电流：3A (VIN = 3.6V，VOUT = 5.0V，且设定限流值设定不低于3A)
- 软启动时间：2ms（典型值）
- UVLO (欠压锁定) 功能：VDD < 2.3V
- 外接元器件：电感器、二极管、电容器、晶体管、电阻
应用领域：
- 移动电源、数码音响播放器
- LED照明、GPS、无绳收发机
- 其他携带设备
