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GOSEMICON(顾邦半导体)+GBI1633SMAR

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芯片简介

60V、3A 降压转换器,集成了 150mΩ 高侧 MOSFET。该器件具有 4.5V 至 60V 的宽输入范围,适用于来自未稳压源(如工业或汽车应用)的各种应用。该器件采用峰值电流模式,支持通过外部电阻设置宽范围可调开关频率。该器件在休眠模式下的静态电流为 100uA,关断电流为 1uA,使其适用于电池供电系统。该器件集成了多种保护功能,如逐周期电流限制、热关断保护、输出过压保护和输入电压欠压保护。它采用 8 引脚 eSOP-8L 封装。

商品特性:

  • 宽输入范围:4.5V-60V
  • 高达 3A 连续输出电流
  • 0.75V ± 1% 反馈参考电压
  • 集成 150mΩ 高侧功率 MOSFET
  • 可调频率 200KHz 至 2.0MHz
  • 轻载时的脉冲跳跃模式
  • 休眠模式下 100uA 静态电流
  • 可编程软启动时间
  • 采用 eSOP-8L 封装

应用领域:

  • 12V、24V、48V 工业电源系统
  • 工业自动化与电机控制
  • 汽车配件

项目参考文件

方案商品

  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

降压型 3A 4.5V~60V
GBI1633SMAR
品牌
GOSEMICON(顾邦半导体)
封装
ESOP-8
类目
DC-DC电源芯片
编号
C5451749
功能类型
降压型
工作电压
4.5V~60V
输出电压
750mV~60V
输出电流
3A

描述GBI1633是一款60V、3A的非同步降压DC-DC转换器,具备高效睡眠模式。支持4.5V至60V的宽输入电压范围,最高3A连续输出电流。集成150mΩ高侧功率MOSFET,支持可调开关频率200kHz至2.0MHz。轻载时采用脉冲跳过模式(PSM),静态电流低至100μA,关断电流1μA。具备多种保护功能,如逐周期电流限制、热关断保护、输出过压保护和输入欠压保护。采用8引脚eSOP-8L封装。

个

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