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UNI-SEMIC(宇力半导体)+U3213E

UNI-SEMIC(宇力半导体)的U3213E系统框图
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UNI-SEMIC(宇力半导体)的U3213E系统框图
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芯片简介

U3213E是一款高性能、低成本的PWM控制功率开关,适用于离线式小功率降压型应用。该器件外围电路简单,所需元件数量少。其内部集成了高压启动模块和高耐压MOSFET,有助于提升系统的浪涌耐受能力。与传统的PWM功率开关不同,U3213E内部没有固定的时钟来驱动MOSFET,其系统开关频率可根据负载变化自动调节。芯片采用多模式PWM控制技术,有效简化了外围电路设计,改善了线性调整率与负载调整率,并消除了系统工作中的可闻噪声。此外,芯片内部的峰值电流检测阈值可根据实际负载情况自动调节,从而有效降低空载下的待机功耗。U3213E集成了完备的、具备自恢复功能的保护特性,包括VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护以及VDD过压保护等。该系列产品支持离线式非隔离降压和升降压拓扑电路,适用于小家电电源和线性电源替代等场合,具有输出精度高和外围成本低的特点。其静态工作电流典型值为200uA,降低了对VDD电容容量的要求,并有助于提高系统效率。芯片内置200V高压启动单元和超低待机功耗设计(低于50mW)。它采用逐周期峰值电流限制和前沿消隐(约350ns)技术。通过结合调幅控制和调频控制的多模式工作,可在不同负载条件下优化效率并降低待机损耗。芯片内部集成有典型值为4ms的软启动电路。保护功能包括输出过压保护、过载保护/短路保护、异常过流保护以及过热保护(结温超过150~℃时触发)。此外,U3213E还集成了快速动态响应功能,以减少负载切换时的输出电压跌落。

商品特性:

  • 集成5A 200V MOSFET
  • 集成200V高压启动电路
  • 多模式控制,工作无噪声
  • 支持降压和升降压拓扑
  • 默认14.3V输出(FB引脚悬空)
  • 待机功耗低于50mW
  • 良好的线性调整率和负载调整率
  • 集成软启动电路
  • 内部保护功能:过载保护、逐周期电流限制、输出过压保护、VDD过压、欠压和电压箝位保护

应用领域:

  • 电信90V电源系统
  • 以太网POE
  • 工业控制
  • 逆变器系统

项目参考文件

类型名称操作

方案商品

  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

降压型 2.5A 2V~200V
U3213E
品牌
UNI-SEMIC(宇力半导体)
封装
ESOP-8
类目
DC-DC电源芯片
编号
C5252718
功能类型
降压型
工作电压
2V~200V
输出电压
14.3V
输出电流
2.5A

描述U3213E是一款高性能低成本PWM控制功率器,适用于离线式小功率降压型应用场合。集成5A 200V MOSFET,支持降压和升降压拓扑,内置多模式控制技术,具有高耐压MOSFET和完备的保护功能。

个

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