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封装：LQFP-64(10x10)

特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.29 μA待机模式（3个唤醒引脚）。0.43 μA停止模式（16个唤醒线）。0.86 μA停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM保留。运行模式下低至93 μA/MHz。5 μs唤醒时间（从闪存）

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型号：STM32WLE4JCI6 编号：C3606718

封装：UFBGA-73

品牌：ST(意法半导体)

Sub-GHz 无线微控制器。 Arm Cortex-M4 @48 MHz，具有 256 KB 闪存、64 KB SRAM。 (G)FSK、(G)MSK、BPSK 调制。 AES 256 位。多协议片上系统。

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型号：STM32H523ZCT6 编号：C26082148

封装：LQFP-44-(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32L451CCU6 编号：C2969793

封装：UFQFN-48

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl: -电源电压1.71V至3.6V。 -温度范围 -40℃至85/125℃。 -VBAT模式下145 nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式22 nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式106 nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式375 nA。 -停止2模式2.05 µA，带RTC时2.40 µA。 -运行模式84 µA/MHz

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型号：STM32U545CET6 编号：C22456529

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。供电电压为1.71V至3.6V。工作温度范围为 -40°C至 +85/125°C。低功耗背景自主模式（LPBAM）：具有DMA的自主外设，功能可低至Stop 2模式。VBAT模式：为RTC、32×32位备份寄存器和2KB备份SRAM供电。关机模式电流为90nA（23个唤醒引脚）。待机模式电流为200nA（23个唤醒引脚）

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型号：STM32L100RBT6 编号：C146557

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。供电电压范围：1.8V至3.6V。工作温度范围：-40℃至85℃。待机模式（2个唤醒引脚）：0.3μA。待机模式 + RTC：0.9μA。停止模式（16个唤醒线）：0.57μA

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型号：STM32L151CBT6 编号：C8362

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源，-40°C 至 85°C/105°C 温度范围。 0.3μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.9μA 待机模式 + RTC。 0.57μA 停止模式（16 个唤醒线）。 1.2μA 停止模式 + RTC

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型号：STM32L071CZU6 编号：C529425

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源，-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.43μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.86μA 停止模式 + RTC + 20KB RAM 保留。运行模式低至 93μA/MHz

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型号：STM32L433RBT6 编号：C1340751

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32WB30CEU5A 编号：C2846828

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗双核 Arm Cortex-M4 MCU 64 MHz、Cortex-M0+ 32 MHz，带 512 KB 闪存、蓝牙 LE 5.2、802.15.4、Zigbee、Thread、AES-256

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型号：STM32G474QCT6 编号：C730128

封装：LQFP-128(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速；FMAC：滤波数学加速器。

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型号：STM32L082KZU6 编号：C1339784

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32MP135AAF3 编号：C20033858

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32L433CBU6 编号：C1339026

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。 -电源电压范围：1.71V至3.6V。 -温度范围：-40℃至85/105/125℃。 -VBAT模式下电流为200nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式电流为280nA

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型号：STM32F102RBT6 编号：C1337810

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：Arm 32位Cortex-M3 CPU。最高频率48 MHz，在0 WS内存访问时，性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。 64或128 KB的闪存。 10或16 KB的SRAM。 2.0至3.6V的应用电源和I/O

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型号：STM32U535RCI6Q 编号：C24290143

封装：UFBGA-64(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32H7S3I8T6 编号：C22460831

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-M7 CPU，带有MPU和DP-FPU，L1缓存：32 + 32 Kbyte指令和数据缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达600 MHz，1284 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 64 Kbytes用户闪存，可用于用户代码和/或外部存储器配置。SRAM共620 Kbytes（548 Kbytes可选ECC激活），包括64 + 64 Kbytes指令和数据TCM RAM用于关键实时指令，384 Kbytes AXI SRAM（128 Kbytes可选重映射到TCM RAM完全激活），4 Kbytes备份SRAM（在最低功耗模式下可用），灵活的外部存储器控制器，数据总线高达32位，支持SRAM、PSRAM、FRAM、SDR/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器，多达2x八进制SPI存储器接口或1个八进制SPI + 1个六进制SPI，支持串行PSRAM/NAND/NOR、HyperRAM/HyperFlash帧格式，运行频率高达200 MHz，2x SD/SDIO/MMC接口。 2x DMA控制器，用于减轻CPU负担，2x双端口DMA，支持FIFO和链表。 PSA 2级和SESIP 3级认证（认证中），灵活的生命周期方案，基于证书或密码的调试认证（支持调试重新打开/回归），基于唯一引导入口和安全隐藏保护区域（HDP）的信任根，通过嵌入式根安全服务（RSS）实现安全固件安装/更新（SFI/SFU），使用硬件唯一密钥（HUK）的安全数据存储，2个AES协处理器，其中一个具有DPA抗性，公钥加速器，仅具有ECC验证功能的DPA抗性，串行和并行外部存储器的实时加密/解密，HASH硬件加速器，真随机数发生器，符合NIST SP800-90B，96位唯一ID，1 Kbyte OTP（一次性可编程），主动篡改检测，硬件安全存储（专用安全闪存区域）。 NeoChrom图形处理器（GPU2D），加速任意角度旋转、缩放和透视校正纹理映射，Chrom-ART加速器（DMA2D）用于增强图形内容创建，Chrom-GRC（GFXMMU）允许高达20%的图形资源优化，硬件JPEG编解码器，LCD-TFT控制器支持高达XGA分辨率，灵活的存储器控制器FMC8/16用于并行显示支持，数字相机并行接口，具有像素格式转换和裁剪功能。 1.71 V至3.6 V应用电源和I/O，POR、PVD和BOR，专用USB电源，嵌入3.3 V内部稳压器为内部PHY供电，嵌入式LDO稳压器为VCORE和/或外部电路供电，高功率效率的SMPS降压转换器稳压器直接为VCORE和/或外部电路供电，内部振荡器：64 MHz HSI、48 MHz HSI48、4 MHz CSI、32 kHz LSI，外部振荡器：4-50 MHz HSE、32.768 kHz LSE

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型号：STM32F334R8T7 编号：C1338974

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法DSP指令。高达64 KB的闪存。高达12 KB带硬件奇偶校验的SRAM。程序加速器：指令和数据总线上4 KB带硬件奇偶校验的SRAM（CCM）。 CRC计算单元。复位和电源管理。低功耗模式：睡眠、停止、待机。 VDD、VDA电压范围：2.0至3.6 V

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型号：STM32G483RET6 编号：C730135

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：采用带有浮点单元（FPU）的32位Arm Cortex-M4 CPU，具备自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，具有213 DMIPS，具备内存保护单元（MPU）和DSP指令。工作条件：VDD、VDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速；FMAC为滤波数学加速器。

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型号：STM32L476QGI6 编号：C1337942

封装：UFBGA-132

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl，电源电压1.71V至3.6V，温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式1.1μA，带RTC时1.4μA。运行模式100μA/MHz（LDO模式）。运行模式39μA/MHz（@3.3V SMPS模式）

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型号：STM32L451REY6TR 编号：C2053761

封装：WLCSP-64(3.4x3.7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl: -电源电压1.71V至3.6V。 -温度范围 -40℃至85/125℃。 -VBAT模式下145 nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式22 nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式106 nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式375 nA。 -停止2模式2.05 µA，带RTC时2.40 µA。 -运行模式84 µA/MHz

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￥56.16
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型号：STM32L4R5ZIT6 编号：C1339786

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F413RHT6 编号：C2969899

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备增强批量采集模式 (eBAM)。1.7 V 至 3.6 V 电源。40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围。内核：带有浮点单元 (FPU) 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器 (ART Accelerator™) 允许从闪存零等待状态执行，频率高达 100 MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)，支持 DSP 指令。高达 1.5 Mbytes 的闪存。320 Kbytes 的 SRAM。灵活的外部静态内存控制器，具有高达 16 位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR 闪存。双模式 Quad-SPI 接口

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型号：STM32WB55VCQ6 编号：C3215573

封装：UFBGA-129

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含先进的专利技术。2.4 GHz RF 收发器，支持蓝牙 5.3 规范、IEEE 802.15.4-2011 PHY 和 MAC，支持 Thread 和 Zigbee 3.0。RX 灵敏度：蓝牙低功耗 1 Mbps 时为 -96 dBm，802.15.4 时为 -100 dBm。可编程输出功率高达 +6 dBm，步长为 1 dB。集成巴伦以减少物料清单。支持 2 Mbps。支持广告扩展。专用 Arm 32 位 Cortex M0+ CPU 用于实时无线电层

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￥67.72
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￥66.12

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型号：STM32H7A3VIT6 编号：C730222

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 2MB 闪存的 Arm Cortex-M7 MCU、1376 KB SRAM、280 MHz CPU、L1 缓存、图形加速、外部存储器接口、SMPS 和大量外设

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型号：STM32H7R3L8H6 编号：C23898422

封装：TFBGA-225(13x13)

品牌：ST(意法半导体)

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￥74.3
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型号：STM32L451CET6 编号：C5269846

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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￥78.25
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￥67.13
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￥60.35

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型号：STM32MP135FAE7 编号：C7501745

封装：LFBGA-289(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-A7内核，L1为32K字节指令缓存/32K字节数据缓存，128K字节统一二级缓存，具备Arm NEON和Arm TrustZone。外部DDR内存高达1GB，支持LPDDR2/LPDDR3-1066 16位、DDR3/DDR3L-1066 16位；168K字节内部SRAM，包括128K字节AXI SYSRAM、32K字节AHB SRAM和8K字节备份域SRAM；双Quad-SPI内存接口；灵活的外部内存控制器，数据总线高达16位，可连接外部IC和SLC NAND内存，具备高达8位ECC。安全启动，TrustZone外设，12个防篡改引脚（包括5个主动防篡改引脚），具备温度、电压、频率和32kHz监控功能。 I/O电源为1.71V至3.6V（5V耐压I/O），具备POR、PDR、PVD和BOR，片上LDO（USB 1.8V、1.1V），备份稳压器（约0.9V），内部温度传感器，低功耗模式包括睡眠、停止、LPLV-停止、LPLV-停止2和待机模式，待机模式下DDR保留，可控制PMIC配套芯片。内部振荡器包括64MHz HSI振荡器、4MHz CSI振荡器、32kHz LSI振荡器；外部振荡器包括8-48MHz HSE振荡器、32.768kHz LSE振荡器；4个带分数模式的PLL。多达135个具备中断能力的安全I/O端口，多达6个唤醒功能。 2个总线矩阵，64位Arm AMBA AXI互连，最高266MHz；32位Arm AMBA AHB互连，最高209MHz

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￥75.42
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型号：STM32L452RET3 编号：C1339595

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，具备FlexPowerControl。供电电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为145nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式下为22nA（5个唤醒引脚）。待机模式下为106nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式下为375nA。停止2模式下为2.05μA，带RTC时为2.40μA

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型号：STM32L476MEY6TR 编号：C2053678

封装：UFBGA-81

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl，电源电压1.71V至3.6V，温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式1.1μA，带RTC时1.4μA。运行模式100μA/MHz（LDO模式）。运行模式39μA/MHz（@3.3V SMPS模式）

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