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型号：STM32G0B1RCT6 编号：C3034735

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达256KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

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型号：STM32F091RCT6 编号：C89056

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

基于 ARM 的 32 位 MCU，高达 256 KB 闪存，具备 CAN、12 个定时器、ADC、DAC 和通信接口，工作电压 2.0-3.6V。

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型号：STM32G431KBT6TR 编号：C5270317

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。核心：具有浮点单元的32位Arm Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备内存保护单元（MPU）和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：用于三角函数加速的CORDIC，滤波器数学加速器FMAC。

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型号：STM32F302RCT6 编号：C133230

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带FPU的ARM Cortex-M4 32位CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，DSP指令和MPU（内存保护单元）。工作条件:VDD、VDA电压范围：2.0 V至3.6 V。存储器:128至256 KB的闪存。高达40 KB的SRAM，前16 KB实现硬件奇偶校验。CRC计算单元。复位和电源管理:上电/掉电复位（POR/PDR）

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型号：STM32G431K6T6 编号：C730097

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存，支持ECC，有专有代码读取保护（PCROP）和可保护存储区域，1 KB OTP。 22 KB SRAM，前16 KB有硬件奇偶校验；程序增强器：指令和数据总线上有10 KB SRAM，带硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR/BOR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机和关机），VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz振荡器带校准，内部16 MHz RC（可选PLL，±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）。多达86个快速I/O，均可映射到外部中断向量，部分I/O有5 V容限能力

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型号：STM32G474RBT3 编号：C1235414

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDA电压范围：1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波器数学加速器。存储器:512 Kbytes闪存，支持ECC，双存储体可读写，有专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 Kbyte OTP。96 Kbytes SRAM，前32 Kbytes有硬件奇偶校验。32 Kbytes SRAM在指令和数据总线上，有硬件奇偶校验（CCM SRAM）。外部静态存储器接口FSMC，支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。四路SPI存储器接口

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型号：STM32F103CBU6 编号：C55506

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

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型号：STM32F373C8T6 编号：C404020

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带浮点单元（FPU）和内存保护单元（MPU）的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机），RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，用于RTC的32kHz振荡器（带校准），内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40kHz振荡器

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型号：STM32F105R8T6 编号：C80986

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

连接线路，基于 ARM 的 32 位 MCU，具有 64/256 KB 闪存、USB OTG、以太网、10 个定时器、2 个 CAN、2 个 ADC、14 个通信接口。

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型号：STM32L151RDT6 编号：C1121902

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40℃ 至 105℃ 温度范围。305nA 待机模式（3 个唤醒引脚）。1.15μA 待机模式 + RTC。0.475μA 停止模式（16 个唤醒线）。1.35μA 停止模式 + RTC。11μA 低功耗运行模式。230μA/MHz 运行模式

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型号：STM32G431K8T6 编号：C730098

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存，支持ECC，有专有代码读取保护（PCROP）和可保护存储区域，1 KB OTP。 22 KB SRAM，前16 KB有硬件奇偶校验；程序增强器：指令和数据总线上有10 KB SRAM，带硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR/BOR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机和关机），VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz振荡器带校准，内部16 MHz RC（可选PLL，±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）。多达86个快速I/O，均可映射到外部中断向量，部分I/O有5 V容限能力

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型号：STM32L476RET6 编号：C71075

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71 V至3.6 V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下为300 nA：为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式下为30 nA（5个唤醒引脚）。待机模式下为120 nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式下为420 nA。停止2模式下为1.1 μA，带RTC的停止2模式下为1.4 μA

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型号：STM32F103RET7 编号：C1337363

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存

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型号：STM32L452CET6 编号：C5269876

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，具备FlexPowerControl。供电电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为145nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式下为22nA（5个唤醒引脚）。待机模式下为106nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式下为375nA。停止2模式下为2.05μA，带RTC时为2.40μA

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型号：STM32H573VIT6 编号：C7545121

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体（ST）最先进的专利技术。Arm Cortex-M33 CPU，带有TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，具备MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。8 Kbyte指令缓存，允许从闪存和外部存储器零等待状态执行；4 Kbyte外部存储器数据缓存。1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）；1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达2 Mbytes带ECC的嵌入式闪存，2个存储体可读写；每个存储体高达48 Kbyte的DATA闪存，具备高循环能力（100 K周期）；1 Kbyte OTP（一次性可编程）；640 Kbytes SRAM（64 Kbyte SRAM2带ECC和320 Kbyte SRAM3带灵活ECC）；4 Kbytes备份SRAM，在最低功耗模式下可用；灵活的外部存储器控制器，高达16位数据总线，支持SRAM、PSRAM、FRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND存储器；一个Octo-SPI存储器接口，支持即时解密，支持串行PSRAM/NAND/NOR、Hyper RAM/闪存帧格式；两个SD/SDIO/MMC接口。内部振荡器：64 MHz HSI、48 MHz HSI48、4 MHz CSI、32 kHz LSI；外部振荡器：4-50 MHz HSE、32.768 kHz LSE。高达139个快速I/O，具备中断能力（大多数5 V耐压）；高达10个I/O，独立电源低至1.08 V。睡眠、停止和待机模式；VBAT为RTC、32x 32位备份寄存器供电

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型号：STM32L476ZGT6 编号：C784816

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl，电源电压1.71V至3.6V，温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式1.1μA，带RTC时1.4μA。运行模式100μA/MHz（LDO模式）。运行模式39μA/MHz（@3.3V SMPS模式）

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型号：STM32WBA5MMGH6TR 编号：C49304689

封装：LGA-76(8x12.5)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗、小尺寸、经过认证的2.4 GHz无线模块。支持蓝牙低功耗（Bluetooth LE）、Zigbee 3.0、OpenThread、动态和静态并发模式以及IEEE 802.15.4专有协议。凭借良好的接收器灵敏度和高输出功率信号，提供一流的射频性能。其低功耗特性可延长电池使用寿命，适用于小型纽扣电池。无需射频专业知识，是加速应用开发和降低相关成本的最佳方式。该模块的协议栈完全免版税。

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型号：STM32H743BIT6 编号：C89418

封装：LQFP-208(28x28)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。32位Arm Cortex-M7内核，具有双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，具备MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达2MB的闪存，支持读写操作。高达1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），高达864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行速度高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达100MHz。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护

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型号：STM32F207IGT6 编号：C503073

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

特性：Arm 32位Cortex-M3 CPU（最高120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现闪存零等待状态执行性能，具备MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。高达1 Mbyte的闪存。 512字节的OTP内存。高达128 + 4 Kbytes的SRAM。灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式

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￥87.6895 ￥105.65
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￥76.0879 ￥104.23
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型号：STM32F030C6T6TR 编号：C106925

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F030x4、STM32F030x6、STM32F030x8 和 STM32F030xC 微控制器集成了高性能的 Arm Cortex -M0 32 位 RISC 内核，工作频率为 48 MHz，高速嵌入式存储器（高达 256 KB 的 Flash 存储器和高达 32 KB 的 SRAM），以及一系列增强型外设和 I/O。所有设备提供标准通信接口（最多两个 I2C、最多两个 SPI 和最多六个 USART）、一个 12 位 ADC、七个通用 16 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。这些微控制器的工作温度范围为 -40 至 +85°C，供电电压范围为 2.4 至 3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。这些微控制器包括四种不同封装的设备，引脚数从 20 到 64 不等。根据所选设备的不同，包含不同的外设组合。

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型号：STM32C011F6P6 编号：C5456198

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达48 MHz。工作温度：-40℃至85℃ / 105℃ / 125℃。内存：高达32 KB带保护的闪存，6 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V，具备上电/掉电复位（POR/PDR）、可编程欠压复位（BOR），低功耗模式包括睡眠、停止、待机、关机。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz带校准的晶体振荡器，内部48 MHz RC振荡器（±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STM32C011F6P6TR 编号：C7021404

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。核心：Arm 32位Cortex-M0+ CPU，频率高达48 MHz。工作温度：-40℃至85℃/105℃/125℃。存储器:高达32 KB的带保护的闪存。6 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元

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型号：STM32C011F6U6TR 编号：C5456206

封装：UFQFPN-20(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex®-M0+ CPU，频率高达48 MHz。工作温度：-40°C至85°C / 105°C / 125°C。存储器: -高达32 KB的带保护的闪存。6 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理: -电压范围：2.0 V至3.6 V

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型号：STM32F030R8T6TR 编号：C106926

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理。数字和I/O电源：VDD = 2.4V至3.6V

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型号：STM32C071G8U6 编号：C44521811

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含先进的专利技术。核心：32 位 Arm Cortex-M0+ CPU，频率高达 48 MHz。工作温度范围：-40℃至 85℃/105℃/125℃。高达 128 Kbytes 的闪存，带有保护和可安全区域。24 Kbytes 的 SRAM，带有硬件奇偶校验。CRC 计算单元

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型号：STM32G071R8T6 编号：C432214

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32L072CBT6 编号：C465977

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65 V 至 3.6 V 电源，-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29 μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.43 μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.86 μA 停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM 保留。运行模式下低至 93 μA/MHz。 5 μs 唤醒时间（从闪存）。 12 位 ADC 转换在 10 ksps 时为 41 μA

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型号：STM32WLE5CBU6 编号：C1121847

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

Sub-GHz 无线微控制器。 Arm Cortex-M4 @48 MHz，具有 128 KB 闪存、48 KB SRAM。 LoRa、(G)FSK、(G)MSK、BPSK 调制。 AES 256 位。多协议片上系统。

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型号：STM32F207VET6 编号：C59126

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU（最高 120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator，允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：高达 1 Mbyte 的闪存；512 字节的 OTP 存储器；高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM；支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器；LCD 并行接口，8080/6800 模式。时钟、复位和电源管理：1.8 至 3.6 V 应用电源 + I/O；POR、PDR、PVD 和 BOR；4 至 26 MHz 晶体振荡器；内部 16 MHz 工厂校准 RC；带校准的 32 kHz RTC 振荡器；带校准的内部 32 kHz RC。

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型号：STM32H523CEU6 编号：C26082147

封装：UFQFPN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，带TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，允许从闪存和外部存储器零等待状态执行。 4 Kbyte外部存储器数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Dyrystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达512 Kbyte的嵌入式闪存，带ECC，双存储体可读写。每个存储体高达48 Kbyte，数据闪存具有高循环能力（100 K周期）

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