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首页 > 热门关键词 > STM32仿真器
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  • 1+

    ¥72.7
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    ¥62.32
  • 30+

    ¥56
  • 100+

    ¥50.69
  • 有货
  • 特性:核心:32位ARM Cortex M7 CPU,带FPU、自适应实时加速器和8KB数据缓存与8KB指令缓存,允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行,频率高达216MHz,具备MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 高达512KB的闪存,具备保护机制(读写保护、专有代码读出保护)。 528字节的OTP内存。 SRAM:256KB(包括64KB用于关键实时数据的数据TCM RAM)+ 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM。 灵活的外部存储器控制器,具备高达32位数据总线:支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器。 双模式Quad-SPI。 时钟、复位和电源管理。 1.7V至3.6V应用电源和I/O
    数据手册
    • 1+

      ¥73.57
    • 10+

      ¥64.32
    • 30+

      ¥58.69
    • 100+

      ¥53.96
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)允许从闪存零等待状态执行,频率高达180 MHz,有MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达2 MB闪存,分两个存储体,支持边读边写;高达256 + 4 KB SRAM,包括64 KB CCM(核心耦合内存)数据RAM;灵活的外部存储器控制器,数据总线高达32位,支持SRAM、PSRAM、SDRAM、LPSDR SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥75.47
    • 10+

      ¥63.22
    • 30+

      ¥56.9
  • 有货
  • 超低功耗,配备 FPU Arm Cortex-M4 MCU 120 MHz,具有 512 KB 闪存、USB OTG、DFSDM、CHROM-ART
    数据手册
    • 1+

      ¥78.29
    • 10+

      ¥67.3
    • 30+

      ¥60.6
  • 有货
  • 特性:动态效率线,具备增强批量采集模式 (eBAM)。1.7 V 至 3.6 V 电源。40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围。内核:带有浮点单元 (FPU) 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器 (ART Accelerator™) 允许从闪存零等待状态执行,频率高达 100 MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。高达 1.5 Mbytes 的闪存。320 Kbytes 的 SRAM。灵活的外部静态内存控制器,具有高达 16 位数据总线:SRAM、PSRAM、NOR 闪存。双模式 Quad-SPI 接口
    数据手册
    • 1+

      ¥97.46
    • 10+

      ¥84.91
    • 60+

      ¥77.27
    • 120+

      ¥70.86
  • 有货
  • 特性:双核:32 位 Arm Cortex-M7 内核,带双精度 FPU 和 16KB 数据、16KB 指令缓存,频率高达 480MHz,有 MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和 DSP 指令;32 位 Arm Cortex-M4 内核,带 FPU、自适应实时加速器,频率高达 240MHz,有 MPU、300 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和 DSP 指令。
    数据手册
    • 1+

      ¥120.86
    • 10+

      ¥114.74
    • 30+

      ¥104.14
  • 有货
  • 特性:核心:32位Arm Cortex-M0+ CPU,频率高达48 MHz。工作温度:-40℃至85℃/105℃/125℃。存储器:高达32 KB的带保护闪存。6 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围:2.0 V至3.6 V
    • 1+

      ¥5.97
    • 10+

      ¥4.79
    • 30+

      ¥4.2
    • 100+

      ¥3.62
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。存储器:16至32 Kbytes的闪存,4 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:数字和I/O电源:2.0至3.6 V;模拟电源:V(DDA) = 从V(DD)至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;V(BAT)为RTC和备份寄存器供电。时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器;32 kHz用于RTC的振荡器,带校准;内部8 MHz RC,有x6 PLL选项;内部40 kHz RC振荡器。多达39个快速I/O:所有可映射到外部中断向量;多达26个I/O具有5 V容限能力
    数据手册
    • 1+

      ¥8.74
    • 10+

      ¥7.23
    • 30+

      ¥6.4
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。存储器:16至32 Kbytes的闪存,4 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:数字和I/O电源:2.0至3.6 V;模拟电源:V(DDA) = 从V(DD)至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;V(BAT)为RTC和备份寄存器供电。时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器;32 kHz用于RTC的振荡器,带校准;内部8 MHz RC,有x6 PLL选项;内部40 kHz RC振荡器。多达39个快速I/O:所有可映射到外部中断向量;多达26个I/O具有5 V容限能力
    数据手册
    • 1+

      ¥9.66
    • 10+

      ¥8.1
    • 30+

      ¥7.12
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C/105°C/125°C。 存储器:高达128 Kbytes的闪存,带有保护和可安全区域;36 Kbytes的SRAM(32 Kbytes带硬件奇偶校验)。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围1.7 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);可编程欠压复位(BOR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止、待机、关机;VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;32 kHz晶体振荡器,带校准;内部16 MHz RC,可选PLL(±1%);内部32 kHz RC振荡器(±5%)
    数据手册
    • 1+

      ¥10.05
    • 10+

      ¥8.43
    • 30+

      ¥7.42
    • 100+

      ¥6.38
    • 490+

      ¥5.91
  • 有货
  • 基于 ARM 的 32 位 MCU,高达 256 KB 闪存,具备 CAN、12 个定时器、ADC、DAC 和通信接口,工作电压 2.0-3.6V。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.8
    • 10+

      ¥9.26
    • 30+

      ¥8.29
    • 250+

      ¥7.3
  • 有货
  • STM32F042x4/x6 微控制器集成了高性能 ARM Cortex-M0 32 位 RISC 核心,工作频率高达 48 MHz,具有高速嵌入式存储器(高达 32 KB 的 Flash 存储器和 6 KB 的 SRAM),以及广泛的增强型外设和 I/O。所有设备均提供标准通信接口(一个 I2C、两个 SPI/一个 I2S、一个 HDMI CEC 和两个 USART),一个 USB 全速设备(无晶体),一个 CAN,一个 12 位 ADC,四个 16 位定时器,一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.38
    • 10+

      ¥10.64
    • 30+

      ¥9.55
    • 100+

      ¥7.74
  • 有货
    • 1+

      ¥13.15
    • 10+

      ¥11.62
    • 30+

      ¥10.54
    • 100+

      ¥9.53
    • 500+

      ¥9.08
    • 1000+

      ¥8.89
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。 存储器:64至128 KB的闪存;16 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:数字和I/O电源:VDD = 2.0 V至3.6 V;模拟电源:VDDA = VDD至3.6 V;选定的I/Os:VDDIO2 = 1.65 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止、待机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器;用于RTC的32 kHz振荡器,带校准功能;内部8 MHz RC,有x6 PLL选项;内部40 kHz RC振荡器;基于外部同步自动微调的内部48 MHz振荡器。 多达87个快速I/O:均可映射到外部中断向量;多达68个具有5V容限能力的I/O,19个具有独立电源VDDIO2
    数据手册
    • 1+

      ¥14.02
    • 10+

      ¥11.81
    • 30+

      ¥10.13
    • 100+

      ¥8.71
  • 有货
  • 特性:1.65 V至3.6 V电源。 -40至125 ℃温度范围。 0.27 μA待机模式(2个唤醒引脚)。 0.4 μA停止模式(16个唤醒线)。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。 88 μA/MHz运行模式
    数据手册
    • 1+

      ¥14.19
    • 10+

      ¥12.06
    • 30+

      ¥10.73
  • 有货
  • 特性:核心:基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 带 FPU(最高 72 MHz),单周期乘法和硬件除法,DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围:2.0 V 至 3.6 V。 内存:128 至 256 KB 的闪存;高达 40 KB 的 SRAM,前 16 KB 实现硬件奇偶校验。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准;内部 8 MHz RC,有 x 16 PLL 选项;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有可映射到外部中断向量;多个 5 V 容忍。 互连矩阵
    数据手册
    • 1+

      ¥26.89
    • 10+

      ¥23.4
    • 30+

      ¥21.33
    • 100+

      ¥19.24
    • 500+

      ¥18.27
    • 1000+

      ¥17.84
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl,电源电压1.71V至3.6V,温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式30nA(5个唤醒引脚)。 待机模式120nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式420nA。 停止2模式1.1μA,带RTC时1.4μA。 运行模式100μA/MHz(LDO模式)。 运行模式39μA/MHz(@3.3V SMPS模式)
    数据手册
    • 1+

      ¥35.01
    • 10+

      ¥30.04
    • 30+

      ¥27.09
  • 有货
  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU(最高 72 MHz),单周期乘法和硬件除法,90 DMIPS(来自 CCM),DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围:2.0V 至 3.6V。 存储器:128 至 256 Kbytes 的闪存;高达 40 Kbytes 的 SRAM,前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验;8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上,带硬件奇偶校验(CCM)。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准;内部 8 MHz RC,有 x 16 PLL 选项;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有可映射到外部中断向量;多个 5V 耐压。 互连矩阵
    数据手册
    • 1+

      ¥40.91
    • 10+

      ¥35.49
    • 30+

      ¥32.05
  • 有货
  • 特性:动态效率线,具备增强批量采集模式 (eBAM)。1.7 V 至 3.6 V 电源。40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围。内核:带有浮点单元 (FPU) 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器 (ART Accelerator™) 允许从闪存零等待状态执行,频率高达 100 MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。高达 1.5 Mbytes 的闪存。320 Kbytes 的 SRAM。灵活的外部静态内存控制器,具有高达 16 位数据总线:SRAM、PSRAM、NOR 闪存。双模式 Quad-SPI 接口
    数据手册
    • 1+

      ¥43.24
    • 10+

      ¥37.52
    • 30+

      ¥32.64
    • 100+

      ¥29.72
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU(最高72 MHz),单周期乘法和硬件除法,带浮点单元(FPU)和内存保护单元(MPU)的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。存储器:64至256 Kbytes的闪存,32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围2.0至3.6 V,上电/掉电复位(POR/PDR),可编程电压检测器(PVD),低功耗模式(睡眠、停止、待机),RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器,用于RTC的32kHz振荡器(带校准),内部8 MHz RC(带x16 PLL选项),内部40kHz振荡器
    数据手册
    • 1+

      ¥44.47
    • 10+

      ¥38.12
    • 30+

      ¥31.91
    • 100+

      ¥28.1
  • 有货
  • 特性:动态效率线,具备批量采集模式(BAM)。 电源电压:1.7 V至3.6 V。 温度范围:-40℃至85/105/125℃。 内核:带有浮点单元(FPU)的32位Cortex®-M4 CPU,自适应实时加速器(ART Accelerator™),可实现从闪存零等待状态执行,频率高达100 MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。
    数据手册
    • 1+

      ¥44.72
    • 10+

      ¥38.56
    • 30+

      ¥34.26
    • 100+

      ¥30.55
  • 有货
  • 特性:32位Arm Cortex-M7内核,带双精度FPU和L1缓存:16 Kbytes数据缓存和16 Kbytes指令缓存;频率高达480 MHz,具备MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 128 Kbytes闪存。 1 Mbyte RAM:192 Kbytes TCM RAM(含64 Kbytes ITCM RAM + 128 Kbytes DTCM RAM用于时间关键程序),864 Kbytes用户SRAM,4 Kbytes备份域SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口,运行频率高达133 MHz。 灵活的外部内存控制器,高达32位数据总线:SRAM、PSRAM、NOR闪存同步模式时钟高达133 MHz,SDRAM/LPSDR SDRAM 8/16位,NAND闪存。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动防篡改、安全固件升级支持、安全访问模式。 多达168个I/O端口,具备中断能力
    数据手册
    • 1+

      ¥46.35
    • 10+

      ¥39.96
    • 60+

      ¥36.07
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU和自适应实时加速器(ART Accelerator),允许从闪存零等待状态执行,频率高达168 MHz,有内存保护单元,210 DMIPS / 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。内存:高达1 Mbyte闪存;高达192 + 4 Kbytes SRAM,包括64 Kbyte CCM(核心耦合内存)数据RAM;512字节OTP内存;灵活的静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。LCD并行接口,支持8080/6800模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥52.13
    • 10+

      ¥49.52
    • 30+

      ¥47.94
    • 90+

      ¥46.6
  • 有货
  • 特性:采用FlexPowerControl实现超低功耗。 电源电压范围:1.71V至3.6V。 温度范围:-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为320nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式25nA(5个唤醒引脚)。 待机模式108nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式426nA。 停止2模式2.57µA,带RTC的停止2模式2.86µA
    数据手册
    • 1+

      ¥53.1
    • 10+

      ¥46.57
    • 30+

      ¥40.61
  • 有货
  • STM32F205XX 和 STM32F207XX 系列基于高性能的 ARM CorteX-M3 32位RISC内核,工作频率可达120 MHz。该系列集成了高速嵌入式存储器(Flash 存储器最高达1 Mbyte,系统SRAM最高达128 Kbytes),备份SRAM最高达4 Kbytes,以及通过两个APB总线、两个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵连接的广泛增强型I/O和外设。这些设备还具有自适应实时内存加速器(ART Accelerator),允许在CPU频率高达120 MHz时从Flash存储器执行程序达到相当于零等待状态的性能。这种性能已经使用CoreMark基准测试进行了验证。所有设备都提供三个12位ADC、两个DAC、一个低功耗RTC、十二个通用16位定时器(包括两个用于电机控制的PWM定时器)、两个通用32位定时器、一个真随机数生成器(RNG)。它们还配备了标准和高级通信接口。新的高级外设包括SDIO、增强型灵活静态存储控制器(FSMC)接口(适用于引脚数量为100及以上的设备封装)和CMOS传感器的摄像头接口。这些设备也具备标准外设。最多可支持三个I2C、三个SPI、两个I2S、四个USART和两个UART、一个USB OTG全速接口和一个带有高速能力的USB OTG全速接口(带ULPI)、两个CAN、一个SDIO接口、以太网接口以及仅在STM32F207XX设备上可用的摄像头接口。STM32F205XX 和 STM32F207XX 系列的工作温度范围为-40至+105℃,供电电压范围为1.8 V至3.6 V。当设备在降低的温度范围内运行时,供电电压可以降至1.65 V。一套全面的节能模式使得设计低功耗应用成为可能。STM32F205XX 和 STM32F207XX 系列提供了四种封装形式,引脚数量从64到176不等。所包含的外设随所选设备的不同而变化。这些特性使得STM32F205XX 和 STM32F207XX 微控制器系列适用于广泛的应用领域:电机驱动与应用控制、医疗设备、工业应用如PLC、逆变器、断路器、打印机和扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVAC、家用音频设备。
    数据手册
    • 1+

      ¥56.32
    • 10+

      ¥48.6
    • 30+

      ¥43.9
    • 90+

      ¥39.95
  • 有货
  • 特性:核心:带有浮点单元(FPU)、自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)和L1缓存(4KB数据缓存和4KB指令缓存)的ARM 32位Cortex-M7 CPU,允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行,频率高达216 MHz,具备内存保护单元(MPU),462 DMIPS / 2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。
    数据手册
    • 1+

      ¥62.57
    • 10+

      ¥53.34
    • 30+

      ¥47.72
    • 100+

      ¥43
  • 有货
    • 1+

      ¥70.41
    • 10+

      ¥61.28
    • 30+

      ¥55.71
    • 100+

      ¥51.04
  • 有货
  • 特性:核心:基于 Arm 的 32 位 Cortex-M3 CPU(最高 120 MHz),带有自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现从闪存的零等待状态执行性能,具备 MPU,150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。 存储器:高达 1 Mbyte 的闪存,512 字节的 OTP 存储器,高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器,LCD 并行接口(8080/6800 模式)。
    数据手册
    • 1+

      ¥70.63
    • 10+

      ¥54.846 ¥60.94
    • 30+

      ¥44.032 ¥55.04
    • 100+

      ¥40.072 ¥50.09
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 采用FlexPowerControl实现超低功耗。 电源电压范围为1.71V至3.6V。 工作温度范围为-40℃至+85/125℃。 低功耗背景自主模式(LPBAM):带DMA的自主外设,功能可低至Stop 2模式。 VBAT模式:为RTC、32×32位备份寄存器和2K字节备份SRAM供电。 90nA关机模式(23个唤醒引脚)。 200nA待机模式(23个唤醒引脚)
    • 1+

      ¥72.35
    • 10+

      ¥61.58
    • 30+

      ¥55.01
    • 100+

      ¥49.51
  • 有货
    • 1+

      ¥77.68
    • 10+

      ¥69.6
    • 30+

      ¥64.68
    • 100+

      ¥60.55
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