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型号：STM32G0B1RCT6 编号：C3034735

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达256KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

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型号：STM32F071CBU6 编号：C1337276

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。存储器：64至128 KB的闪存；16 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：数字和I/O电源：VDD = 2.0 V至3.6 V；模拟电源：VDDA = VDD至3.6 V；选定的I/Os：VDDIO2 = 1.65 V至3.6 V；上电/掉电复位 (POR/PDR)；可编程电压检测器 (PVD)；低功耗模式：睡眠、停止、待机；V BAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器，带校准功能；内部8 MHz RC，可选x6 PLL；内部40 kHz RC振荡器；基于外部同步自动微调的内部48 MHz振荡器。多达87个快速I/O：均可映射到外部中断向量；多达68个I/O具有5V容限能力，19个具有独立电源VDDIO2

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型号：STM32G431RBT6 编号：C431633

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有FPU的Arm 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，具有213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDDA电压范围：1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速。FMAC：滤波数学加速器。存储器：128 Kbytes的闪存，支持ECC，具备专有代码读出保护（PCROP）、可测量存储区和1 Kbyte OTP。22 Kbytes的SRAM，前16 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器：指令和数据总线上有10 Kbytes的SRAM，具备硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理:上电/掉电复位（POR/PDR/BOR）

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型号：STM32F411CEU6 编号：C60420

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备BAM（批量采集模式）。核心：带有FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存存储器零等待状态执行，频率高达100 MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。存储器：高达512 Kbytes的闪存存储器，128 Kbytes的SRAM。

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型号：STM32F103RCT6TR 编号：C39704

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。存储器：256至512 Kbytes的闪存，高达64 Kbytes的SRAM，具有4个片选的灵活静态存储器控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器，LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC带校准，32 kHz振荡器用于RTC带校准。低功耗：睡眠、停止和待机模式，V_BAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器（最多21个通道），转换范围：0至3.6 V，三重采样和保持能力，温度传感器，2个12位D/A转换器。 DMA：12通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、DAC、SDIO、I²Ss、SPIs、I²C和USART

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型号：STM32F100R8T6B 编号：C29928

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU，最高频率 24 MHz，1.25 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1）性能。单周期乘法和硬件除法。 16 至 128 Kbytes 的闪存。 4 至 8 Kbytes 的 SRAM。 2.0 至 3.6V 应用电源和 I/O。 POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD）

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型号：STM32F102C8T6 编号：C2969848

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：Arm 32位Cortex-M3 CPU。最高频率48 MHz，在0 WS内存访问时，性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。 64或128 KB的闪存。 10或16 KB的SRAM。 2.0至3.6V的应用电源和I/O

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型号：STM32G474RBT3 编号：C1235414

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDA电压范围：1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波器数学加速器。存储器:512 Kbytes闪存，支持ECC，双存储体可读写，有专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 Kbyte OTP。96 Kbytes SRAM，前32 Kbytes有硬件奇偶校验。32 Kbytes SRAM在指令和数据总线上，有硬件奇偶校验（CCM SRAM）。外部静态存储器接口FSMC，支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。四路SPI存储器接口

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型号：STM32L471VGT6 编号：C2836688

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式下1.1μA，带RTC时1.4μA

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型号：STM32F413RGT6 编号：C468260

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备增强批量采集模式 (eBAM)。1.7 V 至 3.6 V 电源。40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围。内核：带有浮点单元 (FPU) 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器 (ART Accelerator™) 允许从闪存零等待状态执行，频率高达 100 MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)，支持 DSP 指令。高达 1.5 Mbytes 的闪存。320 Kbytes 的 SRAM。灵活的外部静态内存控制器，具有高达 16 位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR 闪存。双模式 Quad-SPI 接口

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型号：STM32F730R8T6 编号：C478453

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有浮点单元（FPU）、自适应实时加速器（ART Accelerator™）和L1缓存的32位Arm® Cortex®-M7 CPU，8KB数据缓存和8KB指令缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216MHz，具备内存保护单元（MPU），462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 64KB闪存，具备保护机制（读写保护、专有代码读出保护（PCROP））。 528字节一次性可编程（OTP）内存。 SRAM：256KB（包括64KB用于关键实时数据的数据紧耦合内存（TCM）RAM）+ 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM（在最低功耗模式下可用）。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND内存。双模式四路串行外设接口（Quad-SPI）。 1.7V至3.6V应用电源和I/O。上电复位（POR）、掉电复位（PDR）、可编程电压检测器（PVD）和欠压复位（BOR）

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型号：STM32F373RBT6 编号：C154712

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带FPU（浮点单元）和MPU（内存保护单元）的DSP指令，1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。内存：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式：睡眠、停止、待机，VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，32 kHz带校准的RTC振荡器，内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40 kHz振荡器。多达84个快速I/O，所有可映射到外部中断向量，多达45个5 V耐压I/O

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型号：STM32U575VIT6 编号：C5270999

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗，采用带 Trust Zone 的 FPU Arm Cortex-M33、具有 1Mbytes 闪存的 160 MHz MCU

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型号：STM32F446VET6TR 编号：C2054064

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达180 MHz，具备MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC（精度1%）、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。低功耗：支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电，20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC：多达24个通道，三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器

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型号：STM32F415VGT6 编号：C118210

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存0等待状态执行，频率高达168 MHz，有内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。内存：高达1 Mbyte闪存；高达(192 + 4) Kbytes SRAM，含64 Kbyte CCM（核心耦合内存）数据RAM；灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。

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型号：STM32F103VDT6 编号：C41527

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32L476RET6 编号：C71075

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71 V至3.6 V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下为300 nA：为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式下为30 nA（5个唤醒引脚）。待机模式下为120 nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式下为420 nA。停止2模式下为1.1 μA，带RTC的停止2模式下为1.4 μA

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￥55.53
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￥48.23
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型号：STM32F413ZGT6 编号：C1340055

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备增强批量采集模式 (eBAM)。1.7 V 至 3.6 V 电源。40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围。内核：带有浮点单元 (FPU) 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器 (ART Accelerator™) 允许从闪存零等待状态执行，频率高达 100 MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)，支持 DSP 指令。高达 1.5 Mbytes 的闪存。320 Kbytes 的 SRAM。灵活的外部静态内存控制器，具有高达 16 位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR 闪存。双模式 Quad-SPI 接口

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￥62.73
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￥53.04
60+
￥48.35
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型号：STM32WB5MMGH6TR 编号：C5184586

封装：LFLGA-86

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗模块 - 双核64 MHz Arm Cortex-M4 + 32 MHz Cortex-M0+ MCU，具有1 MB Flash存储器、蓝牙LE 5.2、802.15.4、Zigbee、Thread、USB、LCD和AES-256

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1+
￥67.07
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￥63.67
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￥57.78
100+
￥52.64

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型号：STM32F407ZGT7 编号：C1337111

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。存储器：高达 1 M 字节闪存；高达 192 + 4 K 字节 SRAM，包括 64 K 字节 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；512 字节 OTP 内存；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

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￥78.45
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￥52.0168 ￥56.54
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￥46.8096 ￥50.88

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型号：STM32L152RET6 编号：C1337532

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源供电。40°C至105°C温度范围。290 nA待机模式（3个唤醒引脚）。1.11 μA待机模式 + RTC。560 nA停止模式（16个唤醒线）

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￥82.44
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￥68.2
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￥61.31
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型号：STM32G473RET3 编号：C5270351

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体先进的专利技术。Arm 32 位 Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达 170 MHz，213 DMIPS，具备 MPU、DSP 指令。工作条件：VDD、VDDA 电压范围 1.71 V 至 3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC 用于三角函数加速；FMAC：滤波数学加速器。存储器：512 Kbytes 闪存，支持 ECC，双存储体可读写，具备专有代码读出保护（PCROP）、可安全存储区域，1 Kbyte OTP；96 Kbytes SRAM，前 32 Kbytes 有硬件奇偶校验；32 Kbytes SRAM 在指令和数据总线上，有硬件奇偶校验（CCM SRAM）。外部静态存储器接口 FSMC，支持 SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器；Quad-SPI 存储器接口。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR/BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机和关机；VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。时钟管理：4 至 48 MHz 晶体振荡器；32 kHz 振荡器带校准；内部 16 MHz RC 带 PLL 选项 (±1%)；内部 32 kHz RC 振荡器 (±5%)

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￥84.16
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￥72.8
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￥65.88
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型号：STM32F429BGT6 编号：C122914

封装：LQFP-208(28x28)

品牌：ST(意法半导体)

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

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￥89.44
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￥80.14
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￥74.47
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￥69.72

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型号：STM32C011F6U6TR 编号：C5456206

封装：UFQFPN-20(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex®-M0+ CPU，频率高达48 MHz。工作温度：-40°C至85°C / 105°C / 125°C。存储器: -高达32 KB的带保护的闪存。6 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理: -电压范围：2.0 V至3.6 V

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￥6.41
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￥5.33
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￥4.74
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￥4.07
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￥3.77

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型号：STM32F100C4T6B 编号：C8312

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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1+
￥8.71
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￥7.28
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￥6.49
250+
￥5.61
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￥5.21
1000+
￥5.03

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型号：STM32L051K8U6 编号：C94770

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：1.65 V至3.6 V电源。 -40至125℃温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。 88 μA/MHz运行模式

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￥8.74
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￥7.16
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￥6.29
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￥5.3
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￥4.87
980+
￥4.67

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型号：STM32F103RBT6-TD 编号：C49211288

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

STM32F103RBT6-TD：128KB 闪存，20KB SRAM，64 引脚 LQFP。

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10+
￥10.18
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￥9.03
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￥7.85
480+
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型号：STM32H503CBU6 编号：C25503101

封装：UFQFPN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU 配备 FPU，频率高达 250 MHz，具备 MPU、375 DMIPS（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令。 8 Kbyte 指令缓存，允许从闪存进行零等待状态执行（频率高达 250 MHz）。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark®（4.092 CoreMark®/MHz）。 128 Kbyte 嵌入式闪存，带 ECC，两个可读写存储体。 2 Kbyte OTP（一次性可编程）。 32 Kbyte SRAM，带 ECC

1+
￥12.16
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￥11.08
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￥10.4
260+
￥9.71

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型号：STM32F103RCT6-TD 编号：C49211289

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

STM32F103-TD 系列有多种变体，RCT6 主要特点是256KB Flash + 48KB SRAM + 64 引脚，适合中等复杂度应用

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￥13.51
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￥11.45
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￥10.15
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￥8.83

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型号：STM32U031C8T6 编号：C23172783

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

是基于高性能 Arm Cortex-M0+ 32 位 RISC 内核的超低功耗微控制器，工作频率高达 56 MHz。嵌入高速存储器（高达 64 Kbyte 闪存和 12 Kbyte 带硬件奇偶校验的 SRAM），以及广泛的增强型 I/O 和连接到 APB 和 AHB 总线的外设，还有一个 32 位多 AHB 总线矩阵。还嵌入了用于嵌入式闪存和 SRAM 的保护机制，如读取保护和写入保护。提供 12 位 ADC、12 位 DAC、嵌入式轨到轨模拟比较器、一个运算放大器、一个低功耗 RTC、一个通用 32 位定时器、一个专用于电机控制的 16 位 PWM 定时器、三个通用 16 位定时器和两个 16 位低功耗定时器。还嵌入了多达 21 个电容感应通道。具有标准和高级通信接口，即三个 I2C、两个 SPI、四个 USART 和两个低功耗 UART

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