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封装：UFQFN-32

特性：超低功耗平台，1.65V至3.6V电源，-40至125℃温度范围。 0.23μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.35μA停止模式（16个唤醒线）。 0.6μA停止模式 + RTC + 8KB RAM保留。运行模式下低至76μA/MHz。 5μs唤醒时间（从闪存）

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型号：STM32L071CBT6 编号：C79758

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台，1.65V至3.6V电源，-40℃至125℃温度范围。 0.29μA待机模式（3个唤醒引脚）。 0.43μA停止模式（16个唤醒线）。 0.86μA停止模式+RTC+20KB RAM保留。运行模式下低至93μA/MHz。 5μs唤醒时间（从闪存）

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型号：STM32L051K8T6 编号：C915970

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留

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型号：STM32G0B1KBU6 编号：C5159549

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达128KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

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型号：STM32H503CBT6 编号：C17700273

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU 配备 FPU，频率高达 250 MHz，具备 MPU、375 DMIPS（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令。 8 KB 指令缓存，允许从闪存执行 0 等待状态（频率高达 250 MHz）。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark®（4.092 CoreMark®/MHz）。 128 KB 带 ECC 的嵌入式闪存，两个可同时读写的存储体。 2 KB OTP（一次性可编程）。 32 KB 带 ECC 的 SRAM，2 KB 备份 SRAM（在最低功耗模式下可用）

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型号：STM32G0B1RET6 编号：C2829307

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达512KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

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型号：STM32G474VCT6 编号：C730131

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速；FMAC：滤波数学加速器。

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型号：STM32G431RBT3 编号：C2970001

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。核心：具有浮点单元的32位Arm Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备内存保护单元（MPU）和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：用于三角函数加速的CORDIC，滤波器数学加速器FMAC。

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型号：STM32U575ZGT6 编号：C5271004

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗，采用带 Trust Zone 的 FPU Arm Cortex-M33、具有 1Mbytes 闪存的 160 MHz MCU

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型号：STM32F207ZGT6 编号：C13542

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU（最高120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。高达1 Mbyte的闪存。 512字节的一次性可编程（OTP）内存。高达128 + 4 Kbytes的SRAM。灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式

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型号：STM32H743ZGT6 编号：C730184

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：32位Arm Cortex-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1），以及DSP指令。高达2MB的闪存，支持边读边写。高达1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），高达864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达100MHz。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护。高达168个具有中断能力的I/O端口

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型号：STM32WB55RGV6 编号：C401505

封装：QFN-68-EP(8x8)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗双核64 MHz Arm Cortex-M4 + 32MHz Cortex-M0+ MCU，具有1 MB Flash存储器、蓝牙5, 802.15.4、USB、LCD和AES-256

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型号：STM32F030C6T6 编号：C62514

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理。数字和I/O电源：VDD = 2.4V至3.6V

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型号：STM32G030K8T6TR 编号：C724044

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C。存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STM32F103C8T6-TD 编号：C47108719

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

拥有 64KB 的闪存（Flash），可用于存储程序代码；还有 20KB 的随机存取存储器（SRAM），供程序运行时数据存储。烧录需使用第三方烧录器。请勿使用ST-link以免报错。

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型号：STM32F030CCT6 编号：C81787

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理。数字和I/O电源：VDD = 2.4V至3.6V

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型号：STM32F103CBT6-TD 编号：C46614420

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

工作电压：2V ~ 3.6V CPU位数：32-Bit CPU内核：ARM Cortex-M3 主频（MAX)：96MHz ROM类型：FLASH APM32 Series 32-bit 128 kB Flash 20 kB RAM FPU LQFP-64 烧录需使用第三方烧录器。请勿使用ST-link以免报错。

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型号：STM32L031K6T6 编号：C94085

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源。 -40℃至 125℃温度范围。 0.23μA 待机模式（2 个唤醒引脚）。 0.35μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.6μA 停止模式 + RTC + 8KB RAM 保留

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型号：STM32F072RBT6 编号：C46046

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。64至128 KB的闪存。16 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:数字和I/O电源：VDD = 2.0V至3.6V。模拟电源：VDDA = VDD至3.6V

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型号：STM32L011E4Y6TR 编号：C2052908

封装：WLCSP-25

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源。 -40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.23μA 待机模式（2 个唤醒引脚）。 0.29μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.54μA 停止模式 + RTC + 2KB RAM 保留

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型号：STM32G0B0CET6 编号：C2826978

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

主流超值系列，Arm Cortex-M0+ 32 位 MCU，高达 512KB 闪存、144KB RAM、6x USART、定时器、ADC、通信。 I/F，2-3.6V

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型号：STM32F103RBH6TR 编号：C2055283

封装：BGA-64

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。 64或128 KB的闪存。 20 KB的SRAM。 2.0至3.6V应用电源和I/O。 POR、PDR和可编程电压检测器（PVD）

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型号：STM32G071KBU6 编号：C529350

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。存储器：高达128 Kbytes的闪存，带有保护和可安全区域；36 Kbytes的SRAM（32 Kbytes带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STM32G0B1RBT6 编号：C5143679

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达128KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

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型号：STM32L431RCT6TR 编号：C529447

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F091RCT6TR 编号：C2053480

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

基于 ARM 的 32 位 MCU，高达 256 KB 闪存，具备 CAN、12 个定时器、ADC、DAC 和通信接口，工作电压 2.0-3.6V。

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型号：STM32L432KBU6 编号：C94784

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗，电源电压范围为1.71V至3.6V，温度范围为 -40℃至85/105/125℃。关机模式电流为8nA（2个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（2个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC的停止2模式电流为1.28μA。运行模式电流为84μA/MHz。具备批量采集模式（BAM）。从停止模式唤醒时间为4μs

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型号：STM32G474CCT6 编号：C730124

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速；FMAC：滤波数学加速器。

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型号：STM32G0B1CEU6 编号：C2829190

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达512KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

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型号：STM32F303VBT6 编号：C1338563

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 并配备 FPU（最高 72 MHz），具备单周期乘法和硬件除法功能，90 DMIPS（来自 CCM），支持 DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围为 2.0V 至 3.6V。存储器：128 至 256 Kbytes 的闪存；高达 40 Kbytes 的 SRAM，前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验；程序加速：指令和数据总线上 8 Kbytes 的 SRAM，具备硬件奇偶校验（CCM）。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，具备校准功能；内部 8 MHz RC，可选 x 16 PLL；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：均可映射到外部中断向量；多个 5V 耐压。互连矩阵

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