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特性:ARM 32位Cortex-M3 CPU内核,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理:2.0至3.6 V应用电源和I/O,POR、PDR和可编程电压检测器(PVD),4至16 MHz晶体振荡器,内部8 MHz工厂校准RC,内部40 kHz RC,用于CPU时钟的PLL,带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗:睡眠、停止和待机模式,VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器(最多16个通道),转换范围:0至3.6 V,双采样和保持能力,温度传感器。 7通道DMA控制器,支持的外设:定时器、ADC、SPI、I²C和USART
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  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。工作温度:-40℃至85℃/125℃。内存:高达64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围:1.7 V至3.6 V
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  • 特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M0 CPU,频率高达 48 MHz。 内存:16 至 64 KB 的闪存,4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:电压范围 2.4V 至 3.6V,上电/掉电复位(POR/PDR),低功耗模式(睡眠、停止、待机)。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器,32 kHz 带校准的 RTC 振荡器,内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL,内部 40 kHz RC 振荡器。 多达 55 个快速 I/O,均可映射到外部中断向量
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  • 特性:核心:32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)可实现从闪存零等待状态执行,频率高达 168 MHz,具备内存保护单元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。 存储器:高达 1 M 字节闪存;高达 192 + 4 K 字节 SRAM,包括 64 K 字节 CCM(核心耦合内存)数据 RAM;512 字节 OTP 内存;灵活的静态内存控制器,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。
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      ¥18.89
    • 1000+

      ¥18.5
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M0 CPU,频率高达 48 MHz。16 至 256 Kbytes 的闪存。4 至 32 Kbytes 的带硬件奇偶校验的 SRAM。CRC 计算单元。复位和电源管理。数字和 I/O 电源:VDD = 2.4V 至 3.6V
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  • 特性:采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71 V至3.6 V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200 nA,为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8 nA(5个唤醒引脚)。待机模式电流为28 nA(5个唤醒引脚)。带RTC的待机模式电流为280 nA。停止2模式电流为1.0 μA,带RTC的停止2模式电流为1.28 μA
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  • 主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU,高达128KB Flash,144KB RAM,6x USART,定时器,ADC,DAC,通讯。 I/F,1.7-3.6V
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      ¥8.57
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M3 CPU,最高频率 72 MHz,在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 存储器:64 至 256 Kbytes 的闪存,64 Kbytes 的通用 SRAM。 时钟、复位和电源管理:2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O,POR、PDR 和可编程电压检测器(PVD),3 至 25 MHz 晶体振荡器,内部 8 MHz 工厂校准 RC,内部 40 kHz RC 带校准,32 kHz 振荡器用于 RTC 带校准。
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  • 特性:动态效率线,带批量采集模式(BAM)。1.7V至3.6V电源。40℃至85/105/125℃温度范围。核心:带FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器(ART Accelerator™),允许从闪存零等待状态执行,频率高达84 MHz,内存保护单元,105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),以及DSP指令。高达256 KB的闪存。512字节的一次性可编程(OTP)内存。高达64 KB的静态随机存取存储器(SRAM)。时钟、复位和电源管理:1.7V至3.6V应用电源和I/O,POR、PDR、PVD和BOR,4至26 MHz晶体振荡器,内部16 MHz工厂校准RC,带校准的32 kHz RTC振荡器,带校准的内部32 kHz RC
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  • 特性:动态效率线,具备BAM(批量采集模式)。 核心:带有FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)允许从闪存存储器零等待状态执行,频率高达100 MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 存储器:高达512 Kbytes的闪存存储器,128 Kbytes的SRAM。
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  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速,FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存,支持ECC,具备专有代码读出保护(PCROP)和可安全存储区域,1 KB OTP。 22 KB SRAM,前16 KB实现硬件奇偶校验。 常规加速:指令和数据总线上有10 KB SRAM,带硬件奇偶校验(CCM SRAM)。 复位和电源管理:具备上电/掉电复位(POR/PDR/BOR)、可编程电压检测器(PVD)、低功耗模式(睡眠、停止、待机和关机)、VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器,32 kHz振荡器带校准,内部16 MHz RC可选PLL(±1%),内部32 kHz RC振荡器(±5%)
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  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),单周期乘法和硬件除法。 存储器:256至512 Kbytes的闪存,高达64 Kbytes的SRAM,具有4个片选的灵活静态存储器控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器,LCD并行接口,8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:2.0至3.6 V应用电源和I/O,POR、PDR和可编程电压检测器(PVD),4至16 MHz晶体振荡器,内部8 MHz工厂校准RC,内部40 kHz RC带校准,32 kHz振荡器用于RTC带校准。 低功耗:睡眠、停止和待机模式,V_BAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器(最多21个通道),转换范围:0至3.6 V,三重采样和保持能力,温度传感器,2个12位D/A转换器。 DMA:12通道DMA控制器,支持的外设:定时器、ADC、DAC、SDIO、I²Ss、SPIs、I²C和USART
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    • 1+

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  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU(最高 72 MHz),单周期乘法和硬件除法,90 DMIPS(来自 CCM),DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围:2.0V 至 3.6V。 存储器:128 至 256 Kbytes 的闪存;高达 40 Kbytes 的 SRAM,前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验;8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上,带硬件奇偶校验(CCM)。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准;内部 8 MHz RC,有 x 16 PLL 选项;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有可映射到外部中断向量;多个 5V 耐压。 互连矩阵
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  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M3 CPU,最高频率 72 MHz,在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 存储器:64 至 256 Kbytes 的闪存,64 Kbytes 的通用 SRAM。 时钟、复位和电源管理:2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O,POR、PDR 和可编程电压检测器(PVD),3 至 25 MHz 晶体振荡器,内部 8 MHz 工厂校准 RC,内部 40 kHz RC 带校准,32 kHz 振荡器用于 RTC 带校准。
    数据手册
    • 1+

      ¥26.48
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    • 1000+

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  • 特性:32位Arm Cortex-M7内核,带双精度FPU和L1缓存:16KB数据缓存和16KB指令缓存;频率高达480MHz,MPU,1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhystone 2.1),以及DSP指令。高达2MB的闪存,支持边读边写。高达1MB的RAM:192KB的TCM RAM(包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序),高达864KB的用户SRAM,以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口,运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器,具有高达32位数据总线:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存,同步模式下时钟频率高达100MHz。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护。高达168个具有中断能力的I/O端口
    数据手册
    • 1+

      ¥44.62
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      ¥32.32
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  • 特性:超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源。 -40℃至 125℃温度范围。 0.23μA 待机模式(2 个唤醒引脚)。 0.35μA 停止模式(16 个唤醒线)。 0.6μA 停止模式 + RTC + 8KB RAM 保留
    数据手册
    • 1+

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      ¥5.93
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      ¥4.27
    • 980+

      ¥4.15
  • 有货
  • 特性:ARM 32位Cortex-M3 CPU内核,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理:2.0至3.6 V应用电源和I/O,POR、PDR和可编程电压检测器(PVD),4至16 MHz晶体振荡器,内部8 MHz工厂校准RC,内部40 kHz RC,用于CPU时钟的PLL,带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗:睡眠、停止和待机模式,VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器(最多16个通道),转换范围:0至3.6 V,双采样和保持能力,温度传感器。 7通道DMA控制器,支持的外设:定时器、ADC、SPI、I²C和USART
    数据手册
    • 1+

      ¥14.97
    • 10+

      ¥13.03
    • 30+

      ¥11.67
  • 有货
  • 特性:核心:32 位 ARM Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)允许从闪存执行零等待状态,具备内存保护单元,210 DMiPS / 1.25 DMiPS/MHz(Dhrystone 2.1)和 DSP 指令。 内存:高达 1 Mbyte 的闪存;高达 192 + 4 Kbytes 的 SRAM,包括 64 Kbyte 的 CCM(核心耦合内存)数据 RAM;灵活的静态内存控制器,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口,8080/6800 模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥30.78
    • 10+

      ¥26.66
    • 30+

      ¥24.56
    • 100+

      ¥21.75
    • 500+

      ¥20.74
    • 1000+

      ¥20.31
  • 有货
  • 特性:包含先进的专利技术。32 位 Arm Cortex-M7 内核,带双精度 FPU 和 L1 缓存:16 Kbytes 数据缓存和 16 Kbytes 指令缓存;频率高达 480 MHz,MPU,1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。高达 2 Mbytes 的闪存,支持读写操作。高达 1 Mbyte 的 RAM:192 Kbytes 的 TCM RAM(包括 64 Kbytes 的 ITCM RAM + 128 Kbytes 的 DTCM RAM 用于时间关键程序),高达 864 Kbytes 的用户 SRAM,以及 4 Kbytes 的备份域 SRAM。双模式 Quad-SPI 内存接口,运行频率高达 133 MHz。灵活的外部内存控制器,高达 32 位数据总线:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND 闪存,同步模式下时钟频率高达 100 MHz。CRC 计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护
    数据手册
    • 1+

      ¥43.71
    • 10+

      ¥38.97
    • 40+

      ¥35.94
    • 80+

      ¥33.01
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M3 CPU,最高频率 72 MHz,在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 存储器:64 至 256 Kbytes 的闪存,64 Kbytes 的通用 SRAM。 时钟、复位和电源管理:2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O,POR、PDR 和可编程电压检测器(PVD),3 至 25 MHz 晶体振荡器,内部 8 MHz 工厂校准 RC,内部 40 kHz RC 带校准,32 kHz 振荡器用于 RTC 带校准。
    数据手册
    • 1+

      ¥18
    • 10+

      ¥15.59
    • 30+

      ¥14.36
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-M7内核,带双精度浮点单元和L1缓存:16KB数据缓存和16KB指令缓存;频率高达480MHz,具备内存保护单元、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 128KB闪存。 1MB RAM:192KB TCM RAM(包括64KB ITCM RAM + 128KB用于时间关键程序的DTCM RAM),864KB用户SRAM和4KB备份域SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口,运行频率高达133MHz。 灵活的外部内存控制器,高达32位数据总线:同步模式下SRAM、PSRAM、NOR闪存时钟频率高达133MHz;支持SDRAM/LPSDR SDRAM;支持8/16位NAND闪存;具备CRC计算单元。 支持ROP、PC-ROP、主动篡改保护、安全固件升级,具备安全访问模式。 多达168个具有中断能力的I/O端口
    数据手册
    • 1+

      ¥31.64
    • 10+

      ¥27.82
    • 30+

      ¥25.37
    • 100+

      ¥23.01
  • 有货
  • 带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 128KB 闪存的 Arm Cortex-M7 MCU、1376 KB SRAM、280 MHz CPU、L1 缓存、图形加速、外部存储器接口、SMPS 和大量外设
    数据手册
    • 1+

      ¥36.08
    • 10+

      ¥31.84
    • 30+

      ¥29.12
    • 100+

      ¥26.51
  • 有货
  • 特性:32-bit Arm Cortex-M7核心,带双精度FPU和L1缓存:16KB数据缓存和16KB指令缓存,允许从256位嵌入式闪存中单次访问填充一个缓存行;频率高达400MHz,具备MPU、856 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 高达2MB的闪存,支持读时写。 1MB的RAM:192KB的TCM RAM(包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序),864KB的用户SRAM,以及4KB备份域中的SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口,运行频率高达133MHz。 灵活的外部内存控制器,具有高达32位数据总线:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存,同步模式下时钟频率高达133MHz。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动篡改保护。 多达168个具有中断能力的I/O端口
    数据手册
    • 1+

      ¥52.19
    • 10+

      ¥45.9
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      ¥41.87
    • 100+

      ¥37.99
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。 1.8V至3.6V电源,-40至85℃温度范围。 0.23μA待机模式(2个唤醒引脚)。 0.29μA停止模式(16个唤醒线)。 0.54μA停止模式 + RTC + 2Kbyte RAM保留。 运行模式下低至76μA/MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥8.46
    • 10+

      ¥7.02
    • 30+

      ¥6.23
    • 100+

      ¥4.78
    • 500+

      ¥4.38
    • 1000+

      ¥4.2
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达 180 MHz,具备 MPU、225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和 DSP 指令。 存储器:高达 2 MB 的闪存,分为两个存储体,支持读写同时进行;高达 256 + 4 KB 的 SRAM,包括 64 KB 的 CCM(核心耦合内存)数据 RAM;灵活的外部存储器控制器,具备高达 32 位数据总线,支持 SRAM、PSRAM、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND 存储器。 LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥37.52
    • 10+

      ¥33.01
    • 40+

      ¥30.13
    • 80+

      ¥27.35
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理。 数字和I/O电源:VDD = 2.4V至3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.53
    • 10+

      ¥8.75
    • 30+

      ¥7.78
    • 250+

      ¥6.68
    • 500+

      ¥6.19
    • 1000+

      ¥5.97
  • 有货
  • STM32F402XC器件基于高性能的Arm® Cortex® -M4 32位RISC内核,工作频率高达84 MHz。Cortex®-M4内核带有单精度浮点运算单元(FPU),支持所有ARM®单精度数据处理指令和数据类型。具备DSP指令集和增强应用安全的内存保护单元(MPU)。STM32F402xC器件整合了高速内置存储器,Flash存储器和SRAM的容量分别高达256K字节和64K字节,以及大量连至2条APB总线、2条AHB总线和1个32位多AHB总线矩阵的增强型I/O与外设。所有器件均带有1个12位ADC、1个低功耗RTC、6个通用16位定时器(包括1个用于电机控制的PWM定时器)、2个通用32位定时器。它们还带有标准与高级通信接口:高达三个I2C高达四个SPI两个全双工I2S。为达到音频级的精度,I2S外设可通过专用内部音频PLL提供时钟,或使用外部时钟以实现同步。三个USARTSDIO接口USB 2.0 OTG全速接口。STM32F402xC器件的工作温度范围是 - 40至 + 85 ℃,供电电压范围是1.7(PDR OFF)至3.6 V。适合低功耗应用设计的一组完整的节电模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.13
    • 10+

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    • 30+

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    • 160+

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    • 480+

      ¥7.3
    • 960+

      ¥7.07
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。1.65V 至 3.6V 电源。40°C 至 105°C 温度范围。0.28μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。1.11μA 待机模式 + RTC。0.44μA 停止模式(16 个唤醒线)
    数据手册
    • 1+

      ¥14.54
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      ¥12.25
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    • 250+

      ¥9.34
    • 500+

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    • 1000+

      ¥8.39
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator),允许从闪存零等待状态执行,频率高达168 MHz,具备内存保护单元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达1 Mbyte闪存,高达192 + 4 Kbytes SRAM,包括64 Kbyte CCM(核心耦合内存)数据RAM,灵活的静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。
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    • 1+

      ¥35.74
    • 10+

      ¥31.44
    • 40+

      ¥28.69
    • 80+

      ¥26.03
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C。 存储器:高达64 Kbytes的带保护的闪存;8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
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    • 1+

      ¥6.35
    • 10+

      ¥5.14
    • 30+

      ¥4.54
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