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型号：STM32F091CCT7 编号：C1339443

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

基于 ARM 的 32 位 MCU，高达 256 KB 闪存，具备 CAN、12 个定时器、ADC、DAC 和通信接口，工作电压 2.0-3.6V。

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型号：STM32F103R6T6ATR 编号：C2055242

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32-bit CortexM-M3 CPU 核心,最高频率 72 MHz,在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz (Dhystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。16 或 32 Kbytes 的闪存。6 或 10 Kbytes 的 SRAM。2.0 至 3.6V 应用电源和 I/O。POR、PDR 和可编程电压检测器 (PVD)

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型号：STM32F429ZGT6TR 编号：C1852724

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM），允许从闪存零等待状态执行，频率高达 180 MHz，具备 MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。存储器：高达 2 MB 闪存，分为两个存储体，支持读写同时进行；高达 256 + 4 KB SRAM，包括 64 KB CCM（核心耦合内存）数据 RAM；灵活的外部存储器控制器，支持高达 32 位数据总线，可连接 SRAM、PSRAM、SDRAM、Compact Flash、NOR、NAND 存储器。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

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型号：STM32WLE4JCI6 编号：C3606718

封装：UFBGA-73

品牌：ST(意法半导体)

Sub-GHz 无线微控制器。 Arm Cortex-M4 @48 MHz，具有 256 KB 闪存、64 KB SRAM。 (G)FSK、(G)MSK、BPSK 调制。 AES 256 位。多协议片上系统。

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型号：STM32L151CBT6 编号：C8362

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源，-40°C 至 85°C/105°C 温度范围。 0.3μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.9μA 待机模式 + RTC。 0.57μA 停止模式（16 个唤醒线）。 1.2μA 停止模式 + RTC

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型号：STM32F302RBT6TR 编号：C3231078

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 带 FPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围：2.0 V 至 3.6 V。内存：128 至 256 KB 的闪存；高达 40 KB 的 SRAM，前 16 KB 实现硬件奇偶校验。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准；内部 8 MHz RC，有 x 16 PLL 选项；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：所有可映射到外部中断向量；多个 5 V 容忍。互连矩阵

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型号：STM32F101T4U6A 编号：C1341145

封装：VFQFPN-36(6x6)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32WBA64CIU6 编号：C45579809

封装：UFQFN-48-EP

品牌：ST(意法半导体)

特性：包括先进的专利技术。超低功耗无线电: -2.4 GHz射频收发器，支持蓝牙LE、IEEE 802.15.4-2015 PHY和MAC，支持Thread、Matter和Zigbee。接收灵敏度：-96 dBm（蓝牙LE 1 Mbps），-100 dBm（IEEE 802.15.4 250 kbps）。可编程输出功率高达+10 dBm，步长1 dB。支持外部功率放大器。数据包流量仲裁。集成平衡-不平衡转换器以减少物料清单。单晶体操作

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型号：STM32L433RBT6 编号：C1340751

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F302CCT7 编号：C1338975

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 带 FPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围：2.0 V 至 3.6 V。内存：128 至 256 KB 的闪存；高达 40 KB 的 SRAM，前 16 KB 实现硬件奇偶校验。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准；内部 8 MHz RC，有 x 16 PLL 选项；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：所有可映射到外部中断向量；多个 5 V 容忍。互连矩阵

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型号：STM32L152VCT6 编号：C915710

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65 V 至 3.6 V 电源。40℃ 至 105℃ 温度范围。0.29 μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。1.15 μA 待机模式 + RTC。0.44 μA 停止模式（16 个唤醒线路）。1.4 μA 停止模式 + RTC。8.6 μA 低功耗运行模式

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型号：STM32L073CBT6 编号：C1339235

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.29 μA待机模式（3个唤醒引脚）。0.43 μA停止模式（16个唤醒线）。0.86 μA停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM保留。运行模式下低至93 μA/MHz。5 μs唤醒时间（从闪存）

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型号：STM32G474QCT6 编号：C730128

封装：LQFP-128(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速；FMAC：滤波数学加速器。

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型号：STM32F072C8U7 编号：C1340704

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。存储器：64至128 KB的闪存；16 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：数字和I/O电源：VDD = 2.0 V至3.6 V；模拟电源：VDDA = VDD至3.6 V；选定的I/Os：VDDIO2 = 1.65 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器，带校准功能；内部8 MHz RC，有x6 PLL选项；内部40 kHz RC振荡器；基于外部同步自动微调的内部48 MHz振荡器。多达87个快速I/O：均可映射到外部中断向量；多达68个具有5V容限能力的I/O，19个具有独立电源VDDIO2

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型号：STM32L082KZU6 编号：C1339784

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F091CBT7TR 编号：C529324

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

基于 ARM 的 32 位 MCU，高达 256 KB 闪存，具备 CAN、12 个定时器、ADC、DAC 和通信接口，工作电压 2.0-3.6V。

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型号：STM32F303RDT6 编号：C1338676

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32位CPU，带有72 MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、90 DMIPS（来自CCM）、DSP指令和MPU（内存保护单元）。 VDD、VDA电压范围：2.0V至3.6V。高达512 Kbytes的闪存，64 Kbytes的SRAM，前32 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器：指令和数据总线上16 Kbytes的SRAM，带硬件奇偶校验（CCM）。用于静态存储器的灵活内存控制器（FSMC），带有四个片选。 CRC计算单元。上电/掉电复位（POR/PDR）。可编程电压检测器（PVD）

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型号：STM32F417VET6 编号：C1337216

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU和自适应实时加速器（ART Accelerator），允许从闪存零等待状态执行，频率高达168 MHz，有内存保护单元，210 DMIPS / 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。内存：高达1 Mbyte闪存；高达192 + 4 Kbytes SRAM，包括64 Kbyte CCM（核心耦合内存）数据RAM；512字节OTP内存；灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。LCD并行接口，支持8080/6800模式。

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型号：STM32L072RZT6TR 编号：C2055290

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65 V 至 3.6 V 电源，-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29 μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.43 μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.86 μA 停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM 保留。运行模式下低至 93 μA/MHz。 5 μs 唤醒时间（从闪存）。 12 位 ADC 转换在 10 ksps 时为 41 μA

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型号：STM32F334R8T7 编号：C1338974

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法DSP指令。高达64 KB的闪存。高达12 KB带硬件奇偶校验的SRAM。程序加速器：指令和数据总线上4 KB带硬件奇偶校验的SRAM（CCM）。 CRC计算单元。复位和电源管理。低功耗模式：睡眠、停止、待机。 VDD、VDA电压范围：2.0至3.6 V

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型号：STM32F303RBT6TR 编号：C2053891

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 并配备 FPU（最高 72 MHz），具备单周期乘法和硬件除法功能，90 DMIPS（来自 CCM），支持 DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围为 2.0V 至 3.6V。存储器：128 至 256 Kbytes 的闪存；高达 40 Kbytes 的 SRAM，前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验；程序加速：指令和数据总线上 8 Kbytes 的 SRAM，具备硬件奇偶校验（CCM）。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，具备校准功能；内部 8 MHz RC，可选 x 16 PLL；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：均可映射到外部中断向量；多个 5V 耐压。互连矩阵

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型号：STM32F103RBT7 编号：C1337624

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64 或 128 Kbytes 的闪存和 20 Kbytes 的 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准的 32 kHz 振荡器用于 RTC。低功耗睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2×12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 通道），转换范围：0 至 3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPIs、I²C 和 USARTs

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型号：STM32F205RGY6TR 编号：C1339629

封装：VFBGA-64

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：基于 Arm 的 32 位 Cortex-M3 CPU（最高 120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存的零等待状态执行性能，具备 MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：高达 1 Mbyte 的闪存，512 字节的 OTP 存储器，高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器，LCD 并行接口（8080/6800 模式）。

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型号：STM32G491CCT6 编号：C5270322

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

主流 Arm Cortex-M4 MCU 170 MHz，带 256 KB 闪存、数学加速器、高模拟级集成

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型号：STM32F303CCT7 编号：C2970020

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 并配备 FPU（最高 72 MHz），具备单周期乘法和硬件除法功能，90 DMIPS（来自 CCM），支持 DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围为 2.0V 至 3.6V。存储器：128 至 256 Kbytes 的闪存；高达 40 Kbytes 的 SRAM，前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验；程序加速：指令和数据总线上 8 Kbytes 的 SRAM，具备硬件奇偶校验（CCM）。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，具备校准功能；内部 8 MHz RC，可选 x 16 PLL；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：均可映射到外部中断向量；多个 5V 耐压。互连矩阵

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型号：STM32F334C8Y7TR 编号：C2055375

封装：WLCSP-49(2.9x3.7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法DSP指令。高达64 KB的闪存。高达12 KB带硬件奇偶校验的SRAM。程序加速器：指令和数据总线上4 KB带硬件奇偶校验的SRAM（CCM）。 CRC计算单元。复位和电源管理。低功耗模式：睡眠、停止、待机。 VDD、VDA电压范围：2.0至3.6 V

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型号：STM32H7R7Z8J6 编号：C24591626

封装：UFBGA-144(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：32位Arm Cortex-M7 CPU，带有MPU和DP-FPU，L1缓存：32 + 32 Kbyte指令和数据缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达600 MHz，1284 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），具备DSP指令。 64 Kbytes用户闪存，可用于用户代码和/或外部存储器配置。 SRAM：总计620 Kbytes（548 Kbytes可选ECC激活），组织如下: -64 + 64 Kbytes最小指令和数据TCM RAM，用于关键实时指令。 -384 Kbytes AXI SRAM（128 Kbytes可选重新映射到完全激活的TCM RAM）。 -4 Kbytes备份SRAM（在最低功耗模式下可用）。灵活的外部存储器控制器，具有高达32位数据总线：支持SRAM、PSRAM、FRAM、SDR/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND存储器。高达2x八线SPI存储器接口或1个八线SPI + 1个六线SPI（带XIF），支持串行PSRAM/NAND/NOR、HyperRAM/HyperFlash帧格式，运行频率高达200 MHz。 2x SD/SDIO/MMC接口

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型号：STM32WLE5JBI6 编号：C1236888

封装：UFBGA-73

品牌：ST(意法半导体)

Sub-GHz 无线微控制器。 Arm Cortex-M4 @48 MHz，具有 128 KB 闪存、48 KB SRAM。 LoRa、(G)FSK、(G)MSK、BPSK 调制。 AES 256 位。多协议片上系统。

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型号：STM32L476VCT6 编号：C2969826

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl，电源电压1.71V至3.6V，温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式1.1μA，带RTC时1.4μA。运行模式100μA/MHz（LDO模式）。运行模式39μA/MHz（@3.3V SMPS模式）

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型号：STM32L476ZET6TR 编号：C1852738

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl，电源电压1.71V至3.6V，温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式1.1μA，带RTC时1.4μA。运行模式100μA/MHz（LDO模式）。运行模式39μA/MHz（@3.3V SMPS模式）

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