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特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU和自适应实时加速器(ART Accelerator),允许从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:用于三角函数加速的CORDIC和过滤数学加速器FMAC。 存储器:512 KB的闪存,支持ECC,双存储体可读写,具备专有代码读取保护(PCROP)和可安全存储区域,1 KB OTP;96 KB SRAM,前32 KB实现硬件奇偶校验;指令和数据总线上32 KB SRAM(CCM SRAM),带硬件奇偶校验;支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器的外部静态存储器接口FSMC;Quad-SPI存储器接口。
数据手册
  • 单价:

    ¥25.54506 / 个
特性:包括先进的专利技术。 超低功耗无线电: -2.4 GHz射频收发器,支持蓝牙LE、IEEE 802.15.4-2015 PHY和MAC,支持Thread、Matter和Zigbee。接收灵敏度:-96 dBm(蓝牙LE 1 Mbps),-100 dBm(IEEE 802.15.4 250 kbps)。可编程输出功率高达+10 dBm,步长1 dB。支持外部功率放大器。数据包流量仲裁。集成平衡-不平衡转换器以减少物料清单。单晶体操作
  • 1+

    ¥47.34
  • 10+

    ¥46.26
  • 30+

    ¥45.54
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台,1.65 V至3.6 V电源。 温度范围:-40℃至125℃。 0.29 μA待机模式(3个唤醒引脚)。 0.43 μA停止模式(16个唤醒线)。 0.86 μA停止模式 + RTC + 20 Kbyte RAM保留。 运行模式下低至93 μA/MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥49.06
    • 10+

      ¥42.33
    • 30+

      ¥38.23
  • 有货
  • 特性:核心:32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM),允许从闪存零等待状态执行,频率高达 180 MHz,具备 MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。 存储器:高达 2 MB 闪存,分为两个存储体,支持读写同时进行;高达 256 + 4 KB SRAM,包括 64 KB CCM(核心耦合内存)数据 RAM;灵活的外部存储器控制器,支持高达 32 位数据总线,可连接 SRAM、PSRAM、SDRAM、Compact Flash、NOR、NAND 存储器。 LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥51.62
    • 10+

      ¥50.39
    • 30+

      ¥49.56
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-M7 CPU,带有MPU和DP-FPU,L1缓存:32 + 32 Kbyte指令和数据缓存,允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行,频率高达600 MHz,1284 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 64 Kbytes用户闪存,可用于用户代码和/或外部存储器配置。SRAM共620 Kbytes(548 Kbytes可选ECC激活),包括64 + 64 Kbytes指令和数据TCM RAM用于关键实时指令,384 Kbytes AXI SRAM(128 Kbytes可选重映射到TCM RAM完全激活),4 Kbytes备份SRAM(在最低功耗模式下可用),灵活的外部存储器控制器,数据总线高达32位,支持SRAM、PSRAM、FRAM、SDR/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器,多达2x八进制SPI存储器接口或1个八进制SPI + 1个六进制SPI,支持串行PSRAM/NAND/NOR、HyperRAM/HyperFlash帧格式,运行频率高达200 MHz,2x SD/SDIO/MMC接口。 2x DMA控制器,用于减轻CPU负担,2x双端口DMA,支持FIFO和链表。 PSA 2级和SESIP 3级认证(认证中),灵活的生命周期方案,基于证书或密码的调试认证(支持调试重新打开/回归),基于唯一引导入口和安全隐藏保护区域(HDP)的信任根,通过嵌入式根安全服务(RSS)实现安全固件安装/更新(SFI/SFU),使用硬件唯一密钥(HUK)的安全数据存储,2个AES协处理器,其中一个具有DPA抗性,公钥加速器,仅具有ECC验证功能的DPA抗性,串行和并行外部存储器的实时加密/解密,HASH硬件加速器,真随机数发生器,符合NIST SP800-90B,96位唯一ID,1 Kbyte OTP(一次性可编程),主动篡改检测,硬件安全存储(专用安全闪存区域)。 NeoChrom图形处理器(GPU2D),加速任意角度旋转、缩放和透视校正纹理映射,Chrom-ART加速器(DMA2D)用于增强图形内容创建,Chrom-GRC(GFXMMU)允许高达20%的图形资源优化,硬件JPEG编解码器,LCD-TFT控制器支持高达XGA分辨率,灵活的存储器控制器FMC8/16用于并行显示支持,数字相机并行接口,具有像素格式转换和裁剪功能。 1.71 V至3.6 V应用电源和I/O,POR、PVD和BOR,专用USB电源,嵌入3.3 V内部稳压器为内部PHY供电,嵌入式LDO稳压器为VCORE和/或外部电路供电,高功率效率的SMPS降压转换器稳压器直接为VCORE和/或外部电路供电,内部振荡器:64 MHz HSI、48 MHz HSI48、4 MHz CSI、32 kHz LSI,外部振荡器:4-50 MHz HSE、32.768 kHz LSE
    • 1+

      ¥53.65
    • 10+

      ¥52.28
    • 40+

      ¥51.37
  • 有货
  • 特性:核心:采用带有浮点单元(FPU)的32位Arm Cortex-M4 CPU,具备自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,具有213 DMIPS,具备内存保护单元(MPU)和DSP指令。工作条件:VDD、VDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速;FMAC为滤波数学加速器。
    数据手册
    • 1+

      ¥59.41
    • 10+

      ¥55.78
    • 30+

      ¥49.49
  • 有货
  • Sub-GHz 无线微控制器。 Arm Cortex-M4 @48 MHz,具有 256 KB 闪存、64 KB SRAM。 LoRa、(G)FSK、(G)MSK、BPSK 调制。 AES 256 位。多协议片上系统。
    • 1+

      ¥61.01
    • 10+

      ¥57.22
    • 30+

      ¥56.4
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。1.71 V至3.6 V电源,-40℃至+85/125℃温度范围。低功耗背景自主模式(LPBAM):具有DMA的自主外设,功能可低至Stop 2模式。VBAT模式:为RTC、32×32位备份寄存器和2 Kbyte备份SRAM供电。90 nA关机模式(23个唤醒引脚)。200 nA待机模式(23个唤醒引脚)。370 nA带RTC的待机模式
    • 1+

      ¥61.89
    • 10+

      ¥60.47
    • 30+

      ¥59.53
  • 有货
    • 1+

      ¥62.08
    • 10+

      ¥60.14
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU,带MPU,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 内存:768 KB至1 MB的闪存,96 KB的SRAM,带有4个片选的灵活静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存,LCD并行接口,8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:2.0至3.6 V应用电源和I/O,POR、PDR和可编程电压检测器(PVD),4至16 MHz晶体振荡器,内部8 MHz工厂校准RC,内部40 kHz带校准的RC,32 kHz带校准的RTC振荡器。 低功耗:睡眠、停止和待机模式,VBAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器(最多21个通道),转换范围:0至3.6 V,三重采样和保持能力,温度传感器。 2个12位D/A转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥62.54
    • 10+

      ¥61.57
    • 30+

      ¥60.93
  • 有货
  • 特性:包含ST先进的专利技术。 32位Arm Cortex-A7内核,L1为32Kbyte指令缓存/32Kbyte数据缓存,128Kbyte统一二级缓存,具备Arm NEON和Arm TrustZone。 外部DDR内存最大1Gbyte,支持LPDDR2/LPDDR3-1066 16位、DDR3/DDR3L-1066 16位;168Kbytes内部SRAM(128Kbytes AXI SYSRAM + 32Kbytes AHB SRAM + 8Kbytes备份域SRAM);双Quad-SPI内存接口;灵活的外部内存控制器,最大16位数据总线。 TrustZone外设,12个防篡改引脚(包括5个有源防篡改),具备温度、电压、频率和32kHz监测功能。 1.71V至3.6V I/O电源(5V耐受I/O),POR、PDR、PVD和BOR,片上LDO(USB 1.8V、1.1V),备份稳压器(~0.9V),内部温度传感器,低功耗模式(睡眠、停止、LPLV-停止、LPLV-停止2和待机)。 内部振荡器(64MHz HSI振荡器、4MHz CSI振荡器、32kHz LSI振荡器),外部振荡器(8-48MHz HSE振荡器、32.768kHz LSE振荡器),4个带分数模式的PLL。 最多135个具备中断能力的安全I/O端口,最多6个唤醒功能。 2个总线矩阵,64位Arm AMBA AXI互连(最高266MHz),32位Arm AMBA AHB互连(最高209MHz)
    • 1+

      ¥71.83
    • 10+

      ¥61.35
    • 30+

      ¥54.97
  • 有货
  • 特性:核心:32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)可实现从闪存零等待状态执行,频率高达 168 MHz,具备内存保护单元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。 存储器:高达 1 M 字节闪存;高达 192 + 4 K 字节 SRAM,包括 64 K 字节 CCM(核心耦合内存)数据 RAM;512 字节 OTP 内存;灵活的静态内存控制器,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥73.87
    • 10+

      ¥71.37
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl。 1.71 V至3.6 V电源,-40℃至85/125℃温度范围。 批量采集模式(BAM)。 VBAT模式下187 nA:为RTC和32x32位备份寄存器供电。 17 nA关机模式(5个唤醒引脚)。 108 nA待机模式(5个唤醒引脚)。 222 nA带RTC的待机模式。 3.16μA带RTC的Stop 2模式
    数据手册
    • 1+

      ¥74.64
    • 10+

      ¥64.35
    • 30+

      ¥58.08
  • 有货
  • 特性:核心:32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)可实现从闪存零等待状态执行,频率高达 168 MHz,具备内存保护单元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。 存储器:高达 1 M 字节闪存;高达 192 + 4 K 字节 SRAM,包括 64 K 字节 CCM(核心耦合内存)数据 RAM;512 字节 OTP 内存;灵活的静态内存控制器,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥76.87
    • 10+

      ¥65.54
    • 30+

      ¥58.64
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M7 CPU,带FPU、自适应实时加速器(ART Accelerator)和L1缓存,8KB数据缓存和8KB指令缓存,可从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行,频率高达216 MHz,具备MPU,462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 闪存:高达512KB,具备保护机制(读写保护、专有代码读出保护PCROP)。 OTP内存:528字节。
    数据手册
    • 1+

      ¥79.2
    • 10+

      ¥75.5
    • 30+

      ¥69.1
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体先进的专利技术。Arm 32 位 Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达 170 MHz,213 DMIPS,具备 MPU、DSP 指令。工作条件:VDD、VDDA 电压范围 1.71 V 至 3.6 V。数学硬件加速器:CORDIC 用于三角函数加速;FMAC:滤波数学加速器。存储器:512 Kbytes 闪存,支持 ECC,双存储体可读写,具备专有代码读出保护(PCROP)、可安全存储区域,1 Kbyte OTP;96 Kbytes SRAM,前 32 Kbytes 有硬件奇偶校验;32 Kbytes SRAM 在指令和数据总线上,有硬件奇偶校验(CCM SRAM)。外部静态存储器接口 FSMC,支持 SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器;Quad-SPI 存储器接口。复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR/BOR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止、待机和关机;VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。时钟管理:4 至 48 MHz 晶体振荡器;32 kHz 振荡器带校准;内部 16 MHz RC 带 PLL 选项 (±1%);内部 32 kHz RC 振荡器 (±5%)
    • 1+

      ¥79.97
    • 10+

      ¥69
    • 30+

      ¥62.32
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)可实现从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,有MPU和DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:用于三角函数加速的CORDIC,滤波器数学加速器FMAC。 存储器:512 Kbytes带ECC支持的闪存,双存储体可边读边写,有专有代码读出保护(PCROP)和可安全存储区域,1 Kbyte OTP;96 Kbytes SRAM,前32 Kbytes有硬件奇偶校验;指令和数据总线上32 Kbytes SRAM(CCM SRAM)有硬件奇偶校验;支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器的静态存储器外部存储器接口FSMC;Quad-SPI存储器接口。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR/BOR),可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止、待机和关机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器,32 kHz振荡器带校准,内部16 MHz RC可选PLL(±1%),内部32 kHz RC振荡器(±5%)。 多达107个快速I/O:所有可映射到外部中断向量,多个I/O有5 V容限能力,有互连矩阵。 16通道DMA控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥81.09
    • 10+

      ¥69.81
    • 30+

      ¥62.93
  • 有货
  • 特性:核心:带有浮点单元(FPU)、自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)和L1缓存(4KB数据缓存和4KB指令缓存)的ARM 32位Cortex-M7 CPU,允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行,频率高达216 MHz,具备内存保护单元(MPU),462 DMIPS / 2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。
    数据手册
    • 1+

      ¥81.72
    • 10+

      ¥70.28
    • 30+

      ¥63.3
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU,带MPU,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 内存:768 KB至1 MB的闪存,96 KB的SRAM,带有4个片选的灵活静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存,LCD并行接口,8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:2.0至3.6 V应用电源和I/O,POR、PDR和可编程电压检测器(PVD),4至16 MHz晶体振荡器,内部8 MHz工厂校准RC,内部40 kHz带校准的RC,32 kHz带校准的RTC振荡器。 低功耗:睡眠、停止和待机模式,VBAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器(最多21个通道),转换范围:0至3.6 V,三重采样和保持能力,温度传感器。 2个12位D/A转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥82.79
    • 10+

      ¥79.89
  • 有货
    • 1+

      ¥83.17
    • 10+

      ¥71.77
    • 30+

      ¥64.82
  • 有货
  • 特性:超低功耗与灵活电源控制:电源电压范围:1.71V 至 3.6V。温度范围:-40℃ 至 85/125℃。批量采集模式(BAM):VBAT 模式下 187nA,为 RTC 和 32x32 位备份寄存器供电。关机模式:17nA(5 个唤醒引脚)。待机模式:108nA(5 个唤醒引脚)。带 RTC 的待机模式:222nA。带 RTC 的停止 2 模式:3.16μA。运行模式(LDO 模式):106μA/MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥84.07
    • 10+

      ¥80.21
    • 30+

      ¥73.52
  • 有货
  • 特性:核心:32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM),允许从闪存零等待状态执行,频率高达 180 MHz,具备 MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。 存储器:高达 2 MB 闪存,分为两个存储体,支持读写同时进行;高达 256 + 4 KB SRAM,包括 64 KB CCM(核心耦合内存)数据 RAM;灵活的外部存储器控制器,支持高达 32 位数据总线,可连接 SRAM、PSRAM、SDRAM、Compact Flash、NOR、NAND 存储器。 LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥84.61
    • 10+

      ¥80.63
    • 30+

      ¥73.75
  • 有货
  • 特性:核心:带有自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)的 ARM 32 位 Cortex-M3 CPU(最高 120 MHz),允许从闪存存储器实现零等待状态执行性能,具备 MPU,150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。 存储器:高达 1 M 字节的闪存存储器;512 字节的 OTP 存储器;高达 128 + 4 K 字节的 SRAM;支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器;LCD 并行接口,8080/6800 模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥86.82
    • 10+

      ¥82.74
    • 60+

      ¥75.67
  • 有货
  • 特性:包含ST最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围:1.71V至3.6V。工作温度范围:-40℃至85/125℃。VBAT模式下电流为320nA,为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为25nA(5个唤醒引脚)。待机模式电流为108nA(5个唤醒引脚)。带RTC的待机模式电流为426nA
    数据手册
    • 1+

      ¥88.19
    • 10+

      ¥85.44
  • 有货
  • 特性:核心:带有浮点单元(FPU)、自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)和L1缓存(4KB数据缓存和4KB指令缓存)的ARM 32位Cortex-M7 CPU,允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行,频率高达216 MHz,具备内存保护单元(MPU),462 DMIPS / 2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。
    数据手册
    • 1+

      ¥88.71
    • 10+

      ¥85.78
  • 有货
  • 特性:动态效率线与批量采集模式(BAM)。 内核:32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)允许从闪存无等待状态执行,频率高达100MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达1MB的闪存;256KB的SRAM;灵活的外部静态存储器控制器,数据总线高达16位,支持SRAM、PSRAM、NOR闪存;双模式Quad-SPI接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥90.2
    • 10+

      ¥86.47
    • 30+

      ¥80
  • 有货
  • 特性:核心:32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM),允许从闪存零等待状态执行,频率高达 180 MHz,具备 MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。 存储器:高达 2 MB 闪存,分为两个存储体,支持读写同时进行;高达 256 + 4 KB SRAM,包括 64 KB CCM(核心耦合内存)数据 RAM;灵活的外部存储器控制器,支持高达 32 位数据总线,可连接 SRAM、PSRAM、SDRAM、Compact Flash、NOR、NAND 存储器。 LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥93.84
    • 10+

      ¥89.36
    • 30+

      ¥81.58
  • 有货
  • 超低功耗,采用带 Trust Zone 的 FPU Arm Cortex-M33、具有 1Mbytes 闪存的 160 MHz MCU
    • 1+

      ¥94.11
    • 10+

      ¥89.79
    • 30+

      ¥82.31
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU,带有TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,具备MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8 Kbyte指令缓存,用于从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte数据缓存,用于外部存储器。 1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达2 Mbyte的嵌入式闪存,带ECC,两个存储体可在写入时读取。 每个存储体高达48 Kbyte,具有高循环能力(100 K周期),用于数据闪存
    • 1+

      ¥104.92
    • 10+

      ¥100.1
    • 30+

      ¥91.76
  • 有货
  • 特性:包含先进的专利技术。 32位双核Arm Cortex-A7,每个核心L1有32K字节指令缓存和32K字节数据缓存,256K字节统一二级缓存,具备Arm NEON和Arm TrustZone。 32位Arm Cortex-M4带FPU/MPU,最高209 MHz(最高703 CoreMark)。 外部DDR内存最高1 Gbyte,支持LPDDR2/LPDDR3-1066 16/32位、DDR3/DDR3L-1066 16/32位。 708 K字节内部SRAM,包括256 K字节AXI SYSRAM、384 K字节AHB SRAM、64 K字节备份域AHB SRAM和4 K字节备份域SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口。 灵活的外部内存控制器,最高16位数据总线,可连接外部IC和SLC NAND内存,最高8位ECC。 具备TrustZone外设,Cortex-M4资源隔离
    数据手册
    • 1+

      ¥109.93
    • 10+

      ¥104.55
    • 30+

      ¥95.23
  • 有货
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