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型号：STM32F051K6U7 编号：C1338300

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。16至64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。数字和I/O电源：VDD = 2.0V至3.6V。模拟电源：VDA从VDD至3.6V

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型号：STM32F303VET6 编号：C1337582

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32位CPU，带有72 MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、90 DMIPS（来自CCM）、DSP指令和MPU（内存保护单元）。 VDD、VDA电压范围：2.0V至3.6V。高达512 Kbytes的闪存，64 Kbytes的SRAM，前32 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器：指令和数据总线上16 Kbytes的SRAM，带硬件奇偶校验（CCM）。用于静态存储器的灵活内存控制器（FSMC），带有四个片选。 CRC计算单元。上电/掉电复位（POR/PDR）。可编程电压检测器（PVD）

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型号：STM32F103R6T6ATR 编号：C2055242

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32-bit CortexM-M3 CPU 核心,最高频率 72 MHz,在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz (Dhystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。16 或 32 Kbytes 的闪存。6 或 10 Kbytes 的 SRAM。2.0 至 3.6V 应用电源和 I/O。POR、PDR 和可编程电压检测器 (PVD)

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型号：STM32G0C1CET6 编号：C3029185

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达512KB Flash，144KB RAM

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型号：STM32L422CBT6 编号：C529442

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl的超低功耗。1.71V至3.6V电源。-40℃至85/125℃温度范围。BAT模式下300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。16nA关机模式（4个唤醒引脚）。32nA待机模式（4个唤醒引脚）。带RTC的245nA待机模式。0.7μA停止2模式，带RTC时为0.95μA

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型号：STM32G0B1KBU3N 编号：C5270171

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达128KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

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型号：STM32G0B1KCU7 编号：C5270235

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达256KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

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型号：STM32L431RBI6 编号：C1338976

封装：UFBGA-64

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

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型号：STM32L151CBU6TR 编号：C2055093

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40°C 至 85°C/105°C 温度范围。0.3μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。0.9μA 待机模式 + RTC。0.57μA 停止模式（16 个唤醒线）。1.2μA 停止模式 + RTC。9μA 低功耗运行模式。214μA/MHz 运行模式

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型号：STM32L152RBT6 编号：C47912

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40℃ 至 85℃/105℃ 温度范围。0.3μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。0.9μA 待机模式 + RTC。0.57μA 停止模式（16 个唤醒线）。1.2μA 停止模式 + RTC。9μA 低功耗运行模式。214μA/MHz 运行模式

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型号：STM32U535CCT6 编号：C22471166

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32L073CBT6 编号：C1339235

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.29 μA待机模式（3个唤醒引脚）。0.43 μA停止模式（16个唤醒线）。0.86 μA停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM保留。运行模式下低至93 μA/MHz。5 μs唤醒时间（从闪存）

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型号：STM32L433CBT7 编号：C5269893

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。 -电源电压范围：1.71V至3.6V。 -温度范围：-40℃至85/105/125℃。 -VBAT模式下电流为200nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式电流为280nA

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型号：STM32L552CCU6 编号：C3227340

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32L451CCU6TR 编号：C910590

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl: -电源电压1.71V至3.6V。 -温度范围 -40℃至85/125℃。 -VBAT模式下145 nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式22 nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式106 nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式375 nA。 -停止2模式2.05 µA，带RTC时2.40 µA。 -运行模式84 µA/MHz

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型号：STM32H750IBK6TR 编号：C5762514

封装：UFBGA-201

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F429ZIY6TR 编号：C2052984

封装：WLCSP-143(4.5x5.6)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM），允许从闪存零等待状态执行，频率高达 180 MHz，具备 MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。存储器：高达 2 MB 闪存，分为两个存储体，支持读写同时进行；高达 256 + 4 KB SRAM，包括 64 KB CCM（核心耦合内存）数据 RAM；灵活的外部存储器控制器，支持高达 32 位数据总线，可连接 SRAM、PSRAM、SDRAM、Compact Flash、NOR、NAND 存储器。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

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型号：STM32U545CEU6Q 编号：C22456132

封装：UFQFPN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。供电电压为1.71V至3.6V。工作温度范围为 -40°C至 +85/125°C。低功耗背景自主模式（LPBAM）：具有DMA的自主外设，功能可低至Stop 2模式。VBAT模式：为RTC、32×32位备份寄存器和2KB备份SRAM供电。关机模式电流为90nA（23个唤醒引脚）。待机模式电流为200nA（23个唤醒引脚）

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型号：STM32H7S3V8H6 编号：C25507861

封装：TFBGA-100(8x8)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-M7 CPU，带有MPU和DP-FPU，L1缓存：32 + 32 Kbyte指令和数据缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达600 MHz，1284 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），具备DSP指令。 64 Kbytes用户闪存，可用于用户代码和/或外部存储器配置。 SRAM：总共620 Kbytes（548 Kbytes可选ECC激活），组织如下: -64 + 64 Kbytes最小指令和数据TCM RAM，用于关键实时指令。384 Kbytes AXI SRAM（128 Kbytes可选重新映射到完全激活的TCM RAM）。4 Kbytes备份SRAM（在最低功耗模式下可用）。灵活的外部存储器控制器，具有高达32位数据总线：支持SRAM、PSRAM、FRAM、SDR/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND存储器。高达2x Octo-SPI存储器接口或1个octo-SPI + 1个hexa-SPI，支持XiP，支持串行PSRAM/NAND/NOR、HyperRAM/HyperFlash帧格式，运行频率高达200 MHz

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型号：STM32H562RGV6 编号：C24262461

封装：VFQFPN-68(8x8)

品牌：ST(意法半导体)

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￥50.35

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型号：STM32F750Z8T6 编号：C411817

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M7 CPU，带有FPU、自适应实时加速器（ART Accelerator）和L1缓存（4KB数据缓存和4KB指令缓存），允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216 MHz，具备MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。双模式Quad-SPI。 LCD并行接口，8080/6800模式，LCD-TFT控制器，高达XGA分辨率，带有专用Chrom-ART Accelerator（DMA2D）用于增强图形内容创建。 1.7V至3.6V应用电源和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR。专用USB电源。 4至26 MHz晶体振荡器。内部16 MHz工厂校准RC（1%精度）

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￥66.18
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￥62.09

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型号：STM32H743AII6TR 编号：C2056211

封装：UFBGA-169

品牌：ST(意法半导体)

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￥52.22

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型号：STM32G491CCT6 编号：C5270322

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

主流 Arm Cortex-M4 MCU 170 MHz，带 256 KB 闪存、数学加速器、高模拟级集成

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型号：STM32F405RGT7TR 编号：C2054405

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。存储器：高达 1 M 字节闪存；高达 192 + 4 K 字节 SRAM，包括 64 K 字节 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；512 字节 OTP 内存；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

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￥69.62
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￥66.16
30+
￥60.15

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型号：STM32U385VGT6 编号：C44847722

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

该设备属于基于高性能 Arm Cortex®-M33 32 位 RISC 内核的超低功耗微控制器系列（STM32U3 系列），工作频率高达 96 MHz。Cortex®-M33 内核具有单精度 FPU（浮点单元），支持所有 Arm 单精度数据处理指令和所有数据类型。Cortex®-M33 内核还实现了一整套 DSP（数字信号处理）指令和 MPU（内存保护单元）。

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￥71.12
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￥61.89
30+
￥56.27

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型号：STM32F205VCT6TR 编号：C5269932

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：基于 Arm 的 32 位 Cortex-M3 CPU（最高 120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存的零等待状态执行性能，具备 MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：高达 1 Mbyte 的闪存，512 字节的 OTP 存储器，高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器，LCD 并行接口（8080/6800 模式）。

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￥71.52
10+
￥69.1

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型号：STM32F429IIH6 编号：C1337345

封装：UFBGA-201

品牌：ST(意法半导体)

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￥68.53
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￥62.64

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型号：STM32L053R6T6 编号：C1339433

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65 V至3.6 V电源。 -40至125°C温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。运行模式下88 μA/MHz。 3.5 μs唤醒时间（从RAM）

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1+
￥73.3
10+
￥64.07
30+
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型号：STM32F732RET6 编号：C1340044

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32 位 Arm Cortex-M7 CPU 带 FPU、自适应实时加速器（ART Accelerator）和 L1 缓存，8KB 数据缓存和 8KB 指令缓存，可实现从嵌入式闪存和外部存储器的零等待状态执行，频率高达 216 MHz，具备 MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令。睡眠、停止和待机模式。SWD 和 JTAG 接口。Cortex-M7 Trace Macrocell

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型号：STM32H747XIH6 编号：C5271089

封装：TFBGA-265(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含先进的专利技术。双核：32位Arm Cortex-M7内核，具有双精度FPU和L1缓存（16KB数据缓存和16KB指令缓存），频率高达480MHz，具备MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令；32位Arm Cortex-M4内核，具有FPU、自适应实时加速器（ART Accelerator），频率高达240MHz，具备MPU、300 DMIPS/1.25 DMIPS /MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。内存：高达2MB的闪存，支持读写同时进行；1MB的RAM，包括192KB的TCM RAM（含64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序）、864KB的用户SRAM和4KB备份域的SRAM；双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz；灵活的外部内存控制器，具有高达32位的数据总线，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达125MHz；具备CRC计算单元。安全：ROP、PC-ROP、主动防篡改。通用输入/输出：多达168个具有中断功能的I/O端口。复位和电源管理：3个独立的电源域，可独立进行时钟门控或关闭；1.62至3.6V的应用电源和I/O；POR、PDR、PVD和BOR；专用USB电源，内置3.3V内部稳压器为内部PHY供电；嵌入式稳压器（LDO）为数字电路供电；高效SMPS降压转换器稳压器，可直接为VCORE和/或外部电路供电；运行和停止模式下的电压缩放（6个可配置范围）；备份稳压器（约0.9V）；模拟外设的电压参考/VREF+；1.2至3.6V的电池供电；低功耗模式：睡眠、停止、待机和支持电池充电的VBAT模式。低功耗：VBAT电池工作模式，具备充电能力；CPU和域电源状态监控引脚；待机模式下2.95μA（备份SRAM关闭，RTC/LSE开启）。时钟管理：内部振荡器：64MHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、32kHz LSI；外部振荡器：4-48MHz HSE、32.768kHz LSE；3个PLL（1个用于系统时钟，2个用于内核时钟），具备分数模式

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