MK米客方德存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：AT24CM02-SSHM-T 编号：C779670

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作:VCC = 1.7V 至 5.5V。VCC = 2.5V 至 5.5V。内部组织为 262,144 x 8（2 Mbit）。工业温度范围：-40°C 至 +85°C

数据手册

1+
￥19.83
10+
￥16.97
30+
￥15.18
100+
￥12.28
500+
￥11.45
1000+
￥11.09

有货

立即购买

型号：M95640-DRDW8TP/K 编号：C2971645

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟，工作温度105°C

数据手册

1+
￥4.34
10+
￥3.49
30+
￥3.06
100+
￥2.64
500+
￥2.27
1000+
￥2.14

有货

立即购买

型号：MX25R1635FZUIL0 编号：C152595

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

16Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 2,097,152 x 8。在四 I/O 模式下，结构变为 4,194,304 位 x 4 或 8,388,608 位 x 2。具有串行外设接口。

数据手册

1+
￥6.24
10+
￥5.21
30+
￥4.7
100+
￥4.19
500+
￥3.82
1000+
￥3.66

有货

立即购买

型号：M24C08-DRDW3TP/K 编号：C2965398

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车级8 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

1+
￥6.46
10+
￥5.31
30+
￥4.68
100+
￥3.96
500+
￥3.65
1000+
￥3.5

有货

立即购买

型号：24LC512-I/SN 编号：C455433

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

数据手册

1+
￥8.51
10+
￥7.36
30+
￥6.72
100+
￥6.01
500+
￥5.69

有货

立即购买

型号：M24M02E-FMC6TG 编号：C29549719

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

M24M02E-F是一款2 Mbit的I²C兼容EEPROM（电可擦除可编程存储器），组织形式为256 K×8位。该器件可在1.6 V至5.5 V的电源电压下工作，时钟频率为1 MHz（或更低），环境温度范围为 -40℃至 +85℃。M24M02E-F提供三个8位寄存器

1+
￥9.09
10+
￥8.28
30+
￥7.76
100+
￥7.24
500+
￥7
1000+
￥6.9

有货

立即购买

型号：AT24C256C-MAHL-T 编号：C2063074

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压运行:VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 32,768 x 8 (256K)。工业温度范围：-40°C 至 +85°C。I2C 兼容 (2 线) 串行接口:100kHz 标准模式，1.7V 至 5.5V

数据手册

1+
￥9.17
10+
￥7.54
30+
￥6.65
100+
￥5.63
500+
￥5.19

有货

立即购买

型号：24CW1280T-I/OT 编号：C2061808

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24CW16X/24CW32X/24CW64X/24CW128X（24CW系列）器件采用I²C（两线制）串行接口，提供16 - 128 Kbit的串行EEPROM。24CW系列按每字节8位组织，容量为2048/4096/8192/16384字节（2 - 16 Kbyte）。24CW系列针对消费和工业应用进行了优化，在这些应用中，可靠的非易失性存储至关重要

数据手册

1+
￥9.67
10+
￥8.08
30+
￥7.2
100+
￥5.95
500+
￥5.51
1000+
￥5.31

有货

立即购买

型号：25LC512T-I/SN 编号：C31769

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

数据手册

1+
￥10.51
10+
￥8.87
30+
￥7.85
100+
￥6.8
500+
￥6.32
1000+
￥6.12

有货

立即购买

型号：AT24C1024BN-SH-T 编号：C36533654

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

1+
￥12.22
10+
￥11.21
30+
￥10.59
100+
￥9.94
500+
￥9.65
1000+
￥9.52

有货

立即购买

型号：24LC1025T-I/SM 编号：C183301

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

数据手册

1+
￥18.69
10+
￥16.74
30+
￥15.53
100+
￥14.28
500+
￥13.71
1000+
￥13.47

有货

立即购买

型号：PM004MNIATR 编号：C5444277

封装：SOP-8

品牌：Siproin(上海矽朋)

支持SPI/QPI接口协议的STT-MRAM 非易失磁存储器

数据手册

1+
￥19.08
10+
￥16.22
30+
￥14.43
100+
￥12.12
500+
￥11.29
1000+
￥10.93

有货

立即购买

型号：W25Q64JVXGIQ 编号：C2940195

封装：XSON-8-EP(4x4)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JV（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

数据手册

5+
￥19.77
50+
￥18.16
150+
￥17.27
500+
￥15.65

有货

立即购买

型号：DS28EC20P+T 编号：C2063099

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

20Kb1-WireEEPROM、 20Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

数据手册

1+
￥20.97
10+
￥17.95
30+
￥16.07
100+
￥14.14
500+
￥13.27

有货

立即购买

型号：W25Q128JVFIQ TR 编号：C2456298

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备灵活性和高性能。

数据手册

5+
￥22.16
50+
￥19.63
150+
￥18.05
1000+
￥15.55
2000+
￥14.82
5000+
￥14.5

有货

立即购买

型号：24LC1025T-E/SN 编号：C2061812

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC1025是一款128K x 8位的I2C串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，具有100,000次擦写寿命，数据保持时间为200年。该器件支持1 MHz的时钟频率，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。

数据手册

1+
￥22.66
10+
￥19.44
30+
￥17.53
100+
￥15.6
500+
￥14.71
1000+
￥14.3

有货

立即购买

型号：W25Q64JWBYIQ 编号：C2691929

封装：WLCSP-12

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

1+
￥23.29
10+
￥21.32
30+
￥20.09
100+
￥18.82
500+
￥18.25
1000+
￥18

有货

立即购买

型号：IS62WV5128BLL-55HLI-TR 编号：C2065138

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高速4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥29.02
10+
￥25.02
30+
￥22.64
100+
￥20.24

有货

立即购买

型号：IS25LP256D-JLLE-TR 编号：C2886434

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256D 和 IS25WP256D 串行闪存为采用简化引脚封装的系统提供了灵活且高性能的存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 模式

数据手册

1+
￥30.02
10+
￥26.45
30+
￥24.32
100+
￥20.94
500+
￥19.95
1000+
￥19.5

有货

立即购买

型号：GD5F1GM7UEWIGR 编号：C24068147

封装：WSON-8(5x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

1+
￥31.79
10+
￥27.17
30+
￥24.36
100+
￥22

有货

立即购买

型号：FM25V05-GTR 编号：C66025

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间、高速SPI接口（最高40MHz），低功耗特性（300μA@1MHz，90μA待机电流，5μA睡眠模式电流）。支持SPI模式0和3，工作电压2.0V至3.6V，工作温度范围-40℃至+85℃，8引脚SOIC封装。

数据手册

1+
￥36.43
10+
￥31.74
30+
￥28.95
100+
￥24.89
500+
￥23.59
1000+
￥23

有货

立即购买

型号：CSNP1GCR01-AOW 编号：C2838632

封装：LGA-8(6x8)

品牌：CS(创世)

SD NAND二代1Gb SLC.标准SD 2.0协议,支持SPI/SD接口.5~10万次擦写寿命,高可靠性,通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.支持EXT4/FAT系列文件系统.超小尺寸.长期供货承诺.符合RoHS/REACH标准.

数据手册

1+
￥38.06
10+
￥32.5
30+
￥29.11
100+
￥26.27

有货

立即购买

型号：H5TC4G63EFR-RDA 编号：C41349555

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

是一款4Gb低功耗双数据速率III（DDR3L）同步DRAM，非常适合需要大存储密度、高带宽和1.35V低功耗运行的主内存应用。提供与1.5V DDR3环境的向后兼容性，无需任何更改。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在时钟的上升沿（时钟的下降沿）锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入在时钟的上升沿和下降沿采样。数据路径内部流水线化并进行8位预取，以实现非常高的带宽。