MK米客方德存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：H5AN4G6NBJR-VKC 编号：C2849414

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5AN4G6NBJR-XXC 是一款4Gb DDR4 SDRAM，适用于主内存，支持高带宽操作。该器件具有1.2V供电电压，支持多种时钟频率，包括1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933, 3200 MHz。

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￥53.9
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型号：GX2431 编号：C2926931

封装：TO-92-3

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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型号：24LC64T-E/SN 编号：C615720

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24xx64*）是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为单个8K×8位存储块。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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型号：M24M02-DRMN6TP-TUDI 编号：C36533665

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

M24M02是一款2M位（262,144 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于多种工业应用。

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型号：HG25Q128M/TR 编号：C5310797

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

串行闪存，带有双/四元SPI

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型号：GD25LQ32ESIGR 编号：C2928890

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四I/O数据传输速度为532Mbit/s。

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型号：W25Q16JVSNIQ 编号：C115407

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

W25Q16JV（16M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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型号：BL24CM2A-PARC 编号：C2932512

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24CM2A提供2097152位（262144字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。包含一个额外的256字节识别页，支持1百万次写入寿命，数据保留时间为100年。

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型号：AT24CM01-SSHD-T 编号：C36553

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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型号：FM24CL04B-GTR 编号：C914924

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

4-Kbit非易失性存储器采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作类似于RAM。它可提供151年的可靠数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，FM24CL04B以总线速度执行写操作，不会产生写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据会立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有更高的写入耐久性

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￥8.52
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型号：MX25U12832FZNI02 编号：C2802861

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。单电源操作-读取、擦除和编程操作电压为1.65至2.0伏。134,217,728 x 1位结构或67,108,864 x 2位（双I/O模式）结构或33,554,432 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持-单I/O、双I/O和四I/O。从-1V到Vcc + 1V的闩锁保护至100mA。SPI模式快速读取-所有协议支持高达133MHz的时钟频率

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型号：GD25Q64CWIGR 编号：C395511

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q64C（64M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），还支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速率为240Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速率为480Mbits/s。

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￥9.44
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￥8.2
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型号：MX25R6435FZAIL0 编号：C2802847

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：MXIC(旺宏电子)

64Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 8,388,608 x 8。

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￥10.27
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型号：AT25DF321A-SH-T 编号：C6490

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

32-Mbit(4M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

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￥10.5
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型号：DS2431Q+T&R 编号：C879661

封装：TDFN-6-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1024位1-WireEEPROM、1Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

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￥12.64
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型号：DS2431+T&R 编号：C2838751

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1024位1-WireEEPROM、1Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

数据手册

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￥13.35
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￥8.72
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型号：IS61WV6416BLL-12TLI 编号：C435811

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV6416BLL是一款高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为65,536字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，在低功耗的情况下，存取时间最快可达12ns（3.3V±10%）和15ns（2.5V - 3.6V）

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￥14.49
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￥12.22
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￥9.35
540+
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945+
￥8.41

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型号：MX25L25645GZNI-08G 编号：C2802981

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

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￥18.77
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￥15.76
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￥13.88
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￥11.95
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￥10.7

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型号：GD25Q256EYIGR 编号：C2927043

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

串行闪存支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#/RESET#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

数据手册

1+
￥21.85
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￥19.67
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￥18.3
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￥9.65
500+
￥9.02

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型号：W25Q256JWFIQ 编号：C2940196

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

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1+
￥26.22
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￥25.95
30+
￥25.77
100+
￥24

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型号：IS66WVE4M16EBLL-70BLI 编号：C1350157

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

PSRAM产品是为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。64Mb DRAM核心器件组织形式为4M×16位。这些器件具备行业标准的异步存储器接口，与其他低功耗SRAM或伪SRAM（PSRAM）产品相同

数据手册

1+
￥28.38
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￥24.48
30+
￥22.17
100+
￥18.42

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型号：MT41K128M16JT-125 IT:K 编号：C115792

封装：TFBGA-96

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM设备是1.5V DDR3 SDRAM设备的低压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3 (1.5V) SDRAM数据手册规格。

数据手册

1+
￥37.13
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￥32.27
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￥29.38
100+
￥26.46
500+
￥25.11
1000+
￥24.5

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型号：MT48LC16M16A2P-6A IT:G 编号：C26393

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：micron(镁光)

256-Mbit(16M x 16bit)，工作电压：3.3V

数据手册

1+
￥37.43
10+
￥32.91
30+
￥27.85
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￥25.13

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型号：H5TC4G63EFR-RDA 编号：C2849413

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

是一款4Gb低功耗双数据速率III（DDR3L）同步DRAM，非常适合需要大存储密度、高带宽和1.35V低功耗运行的主内存应用。提供与1.5V DDR3环境的向后兼容性，无需任何更改。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在时钟的上升沿（时钟的下降沿）锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入在时钟的上升沿和下降沿采样。数据路径内部流水线化并进行8位预取，以实现非常高的带宽。

数据手册

1+
￥39.73
10+
￥34.65
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￥31.56
100+
￥28.97

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型号：W634GU6RB-11 编号：C29801372

封装：-

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥44.28
10+
￥38.96
30+
￥35.72
100+
￥32.67 ￥33

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型号：W632GU6NB-11 编号：C3034991

封装：VFBGA-96

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

1+
￥53.88
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￥47.63
30+
￥43.82
100+
￥40.2237 ￥40.63

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型号：W25N04KVZEIR TR 编号：C6750381

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25N04KV是一款4G-bit的SLC QspiNAND闪存，支持SPI、Dual SPI和Quad SPI接口。它提供灵活的架构，每个块大小为128KB，总共有2048个可擦除块。该设备支持104MHz的标准、双和四SPI时钟，提供高效的数据访问和快速的编程/擦除性能。

40+
￥60.99
400+
￥55.34
1200+
￥51.89

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型号：MT25QL512ABB1EW9-0SIT 编号：C2063401

封装：WPDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

数据手册

1+
￥64.11
10+
￥55.35
30+
￥50.02
100+
￥45.54

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型号：CSNP16GCR01-AOW 编号：C7527488

封装：LGA-8(6.2x8)

品牌：CS(创世)

SD NAND二代16Gb pSLC.标准SD 2.0协议,支持SPI/SD接口.高可靠性,>3万次擦写寿命,通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.支持EXT4/FAT系列文件系统.超小尺寸.长期供货承诺.符合RoHS/REACH标准.

1+
￥87.53
10+
￥83.79
30+
￥69.08
100+
￥63.43

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型号：CSNP32GCR01-BOW 编号：C5440134

封装：LGA-8(6.2x8)

品牌：CS(创世)

SD NAND 32Gb MLC.标准SD 2.0协议.即插即用.通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.支持EXT4/FAT系列文件系统.自动stand by,降低功耗.高性价比.符合RoHS/REACH标准.别称:贴片式TF卡/mini eMMC

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1+
￥89.41
10+
￥85.54
30+
￥71.98
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