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封装：SOIC-8

的AT25M01提供1,048,576位的串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要。AT25M01通过片选引脚（CS(overline)）使能，并通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）和串行时钟（SCK）组成的三线接口进行访问

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型号：DS24B33S+T&R 编号：C117539

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1-Wire4KbEEPROM、通过单个触点为电缆、传感器轻松添加EEPROM，非易失存储校准数据

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型号：DS28EC20P+T 编号：C2063099

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

20Kb1-WireEEPROM、 20Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

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型号：MT29F4G08ABAEAWP-IT:E 编号：C97456

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：micron(镁光)

特性：组织架构:页面大小：x8：2,112 字节（2,048 + 64 字节）。x16：1,056 字（1,024 + 32 字）。块大小：64 页（128K + 4K 字节）。设备大小：2Gb：2,048 块；4Gb：4,096 块；8Gb：8,192 块。读取性能:随机读取：25μs。顺序读取：30ns（仅 3V x8）

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型号：AT45DB641E-SHN-T 编号：C2060948

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT45DB641E是一款最低工作电压为1.7V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB641E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其69,206,016位的存储器被组织为32,768页，每页256字节或264字节

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型号：IS61WV25616EDBLL-10TLI 编号：C883296

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV25616EDBLL 是一款高速的 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为 262,144 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：W9425G6KH-5 编号：C62381

封装：TSOP-66-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

256-Mbit(16M x 16bit)，工作电压：2.5V±0.2V

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型号：IS25LP256D-JLLE-TR 编号：C2886434

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256D 和 IS25WP256D 串行闪存为采用简化引脚封装的系统提供了灵活且高性能的存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 模式

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型号：W958D8NBYA5I 编号：C7420405

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

特性：接口：HyperBus。电源：1.7V~2.0V。最大时钟频率：250MHz。双倍数据速率（DDR）高达500MB/s

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型号：K4B2G1646F-BYMA 编号：C500274

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：MT25QL256ABA8ESF-0SIT TR 编号：C2653526

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议为133 MHz (MAX)。DTR中所有协议为90 MHz (MAX)。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持协议：扩展、双和四I/O，包括STR和DTR

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型号：MT25QL512ABB8ESF-0SIT 编号：C1350089

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

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型号：IS61WV51216EDBLL-10TLI 编号：C57407

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

8-Mbit(512K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V

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型号：IS61WV51216BLL-10TLI 编号：C397874

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61WV51216ALL/BLL和IS64WV51216BLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：SDINBDG4-8G-XI1 编号：C577445

封装：BGA-153

品牌：SANDISK(闪迪)

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型号：IS61WV204816BLL-10TLI 编号：C1349134

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV204816ALL/BLL是高速32M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为2048K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：H9HCNNNCPUMLXR-NEE 编号：C42396545

封装：BGA

品牌：HYNIX(海力士)

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型号：ZD24C08A-SSGMT 编号：C2896641

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C08A是一款兼容I2C协议的8K位串行EEPROM，具有16字节的页面大小，支持单电源供电，最高时钟频率为1MHz，写入时间为3ms。

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型号：HX24LC08BDBVRG 编号：C2987267

封装：SOT-23-5

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B/04B/08B/16B 提供 2K/4K/8K/16K 位的串行 EEPROM，支持 1.7V 到 5.5V 的宽电压操作，工作温度范围为 -40°C 到 +85°C。内部组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。支持 I2C 接口，最大时钟频率为 1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。具有硬件写保护功能，写周期寿命为 1 百万次，数据保留时间为 100 年。

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型号：BL24C02F-SFRC 编号：C2763396

封装：TSSOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C02F提供2048位的串行EEPROM，组织为256个字节，支持I2C双向数据传输协议。具有硬件数据保护功能，支持部分页写入，高可靠性，增强ESD/闩锁保护，数据保留时间为100年。

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型号：BL24C32A-SFRC 编号：C177775

封装：TSSOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C32A是一款32Kbits的串行EEPROM存储器，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。工作电压范围为1.7V至5.5V，数据保留时间为100年，写周期寿命为1百万次。

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型号：AT24C64-TD 编号：C49270316

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

EEPROM

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型号：AT24C256CDR073 编号：C51026306

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C256是一款256K位I2C兼容串行EEPROM，设计用于1.7V至5.5V的供电电压范围，最高传输速率为1MHz。工作温度范围为-40°C至+105°C。该设备具有硬件写保护功能，可永久锁定整个存储阵列。

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￥1.132612 ￥1.2311
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￥0.593676 ￥0.6453
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型号：BL24C256A-NTRC 编号：C691875

封装：UDFN-8L-EP(2x3)

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C256A是一款256K位（32768字节）的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。该设备适用于多种工业和商业应用，特别是在低功耗和低电压操作环境中。

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￥1.2567
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￥0.9271
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型号：M24C08-FMN6TP 编号：C322596

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：M24C64-FDW6TP 编号：C222148

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行I2C总线EEPROM

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￥0.7737
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￥0.7018
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￥0.6587

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型号：FM24C256E-SO-T-G 编号：C2912084

封装：SOP-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C256E 是一款2-Wire Serial EEPROM，提供262,144位的存储容量，支持128位唯一ID和64字节安全区域。工作电压范围为1.7V至5.5V，支持1MHz和400kHz的时钟频率。

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￥1.6875
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￥1.3448
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￥1.1979
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￥1.0146
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型号：24LC04BT-I/SN 编号：C511263

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx04是一款4 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由两个256×8位的存储块组成，具备两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

数据手册

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型号：AT24C512C-SSHM-T 编号：C54668

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C512C 提供 524,288 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 65,536 个 8 位字。该器件的可级联特性允许最多 8 个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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￥2.44
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型号：CAT24C16HU4I-GT3 编号：C464144

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C16 是一款 EEPROM 串行 16-Kb I2C 器件，内部组织为 128 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多一个 CAT24C16 器件的寻址。

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