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  • 256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机访问存储器,包含268,435,456位。它内部配置为四bankDRAM,具有同步接口(所有信号在时钟信号CLK的正沿注册)。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。
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  • Micron 4Gb SLC NAND Flash Memory 是一款高性能、低引脚数的存储器,支持异步数据接口。该设备使用高度复用的8位总线传输命令、地址和数据,具备内部4位ECC功能。
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  • DDR3L SDRAM (1.35V) 是DDR3 (1.5V) SDRAM的低电压版本,支持1.5V兼容模式。具备8个内部bank,支持差分时钟输入和8位预取架构。
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  • Micron 4Gb SLC NAND Flash Memory 是一款高性能、低引脚数的存储器,支持异步数据接口。该设备使用高度复用的8位总线传输命令、地址和数据,具备内部4位ECC功能。
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