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首页 > 热门关键词 > 镁光存储器
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特性:SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议为133 MHz (MAX)。DTR中所有协议为90 MHz (MAX)。双/四I/O命令,吞吐量高达90 MB/s。支持协议:扩展、双和四I/O,包括STR和DTR
数据手册
  • 1+

    ¥24.0125
  • 20+

    ¥23.052
  • 100+

    ¥22.2836
  • 200+

    ¥21.8994
  • 500+

    ¥21.5152
M25P64 是一款 64 Mbit(8M×8)的串行闪存,通过高速 SPI 兼容总线访问,时钟频率最高可达 75 MHz。使用页编程指令,每次可对 1 至 256 字节进行编程。此外,还提供增强型快速编程/擦除模式
数据手册
  • 单价:

    ¥15.9 / 个
特性:MultiMediaCard (MMC) 控制器和 NAND 闪存。 153 引脚 FBGA(符合 RoHS 标准,“绿色封装”)。 VCC:2.7-3.6V。 VCCQ(双电压):1.7-1.95V;2.7-3.6V。 工业温度范围: -工作温度:-40℃ 至 +85℃。 -储存温度:-40℃ 至 +85℃
  • 1+

    ¥61.63
  • 10+

    ¥53.78
  • 30+

    ¥49
  • 100+

    ¥44.99
  • 订货
  • 特性:SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率(STR/DTR)。 时钟频率:STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。 双/四I/O命令,吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议:扩展I/O协议
    数据手册
    • 1+

      ¥9.34
    • 10+

      ¥9.11
    • 30+

      ¥8.96
    • 100+

      ¥8.81
  • 订货
    • 1+

      ¥73.67
    • 200+

      ¥29.4
    • 500+

      ¥28.41
    • 1000+

      ¥27.93
  • 订货
  • 特性:SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥33.9
    • 10+

      ¥29.16
    • 30+

      ¥26.34
    • 100+

      ¥23.49
    • 500+

      ¥22.18
    • 1000+

      ¥21.58
  • 订货
  • 特性:SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率(STR/DTR)。 时钟频率:STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。 双/四I/O命令,吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议:扩展I/O协议
    数据手册
    • 1+

      ¥7.38
    • 10+

      ¥7.22
    • 30+

      ¥7.11
    • 100+

      ¥6.15
  • 订货
  • 特性:MultiMediaCard (MMC) 控制器和 NAND Flash。JEDEC/MMC 标准版本 5.1 兼容 (JEDEC 标准号 JESD84-B51)。VCC 2.7-3.6V。VCCQ (双电压): 1.70-1.95V; 2.7-3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥196.3
    • 30+

      ¥188.5
  • 订货
  • 1-Mbitt(1M x 1bit),SPI接口,工作电压:2.7V to 3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.72
    • 10+

      ¥3.03
    • 30+

      ¥2.68
    • 100+

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    • 500+

      ¥2.12
    • 1000+

      ¥2.02
  • 订货
    • 1+

      ¥11.11
    • 10+

      ¥9.42
    • 30+

      ¥8.36
    • 100+

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    • 500+

      ¥6.79
    • 1000+

      ¥6.58
  • 订货
    • 1+

      ¥13.25
    • 10+

      ¥11.39
    • 30+

      ¥10.22
    • 100+

      ¥9.03
    • 500+

      ¥8.49
    • 1000+

      ¥8.25
  • 订货
    • 1+

      ¥52.61
    • 200+

      ¥20.36
    • 500+

      ¥19.65
    • 1000+

      ¥19.29
  • 订货
    • 1+

      ¥7.35
    • 200+

      ¥2.94
    • 500+

      ¥2.84
    • 1000+

      ¥2.79
  • 订货
    • 1+

      ¥30.99
    • 10+

      ¥26.37
    • 30+

      ¥23.56
    • 100+

      ¥21.2
  • 订货
  • 特性:VDD / VDDQ = 1.7–1.95V。 完全同步;所有信号在系统时钟的正沿寄存。 内部流水线操作;列地址可以在每个时钟周期更改。 四个内部存储体用于并发操作。 可编程突发长度:1、2、4、8和连续。 自动预充电,包括并发自动预充电。 自动刷新和自刷新模式。 LVTTL兼容输入和输出。 片上温度传感器以控制自刷新速率。 部分阵列自刷新(PASR)。 深度掉电(DPD)。 可选输出驱动强度(DS)。 64ms刷新周期;汽车温度下为32ms
    数据手册
    • 1+

      ¥45.55
    • 10+

      ¥38.4
    • 30+

      ¥34.04
    • 100+

      ¥30.38
  • 订货
  • 128Mb SDRAM,4兆 x 32位,4个bank,支持PC100标准,完全同步,所有信号在系统时钟的上升沿注册。具有内部流水线操作,可编程突发长度为1、2、4、8或全页,支持自动预充电和自刷新模式。工作温度范围包括商业级(0°C至70°C)、工业级(-40°C至85°C)和汽车级(-40°C至105°C)。
    数据手册
    • 1+

      ¥49.65
    • 10+

      ¥42.7
    • 30+

      ¥38.47
    • 100+

      ¥34.92
  • 订货
    • 1+

      ¥56.88
    • 10+

      ¥54.92
  • 订货
    • 1+

      ¥57.33
    • 10+

      ¥55.33
  • 订货
    • 1+

      ¥79.43
    • 10+

      ¥76.03
    • 30+

      ¥70.14
    • 100+

      ¥65
  • 订货
    • 1+

      ¥86.64
    • 10+

      ¥82.27
    • 30+

      ¥74.7
    • 100+

      ¥68.1
  • 订货
  • 特性:架构:每通道最大带宽12.8 GB/s;频率范围800-5 MHz(每引脚数据速率范围6400-40 Mb/s,WCK:CK = 4:1);可选CKR。 LPDDR5数据接口:单x16通道/管芯;双倍数据速率命令/地址输入;差分命令时钟(CK_t/CK_c),用于高速操作;差分数据时钟(WCK_t/WCK_c);差分读取选通(RDQS_t/RDQS_c);16n位或32n位预取架构;4KB页大小,8存储体(8B模式),2KB页大小,存储体组(BBG模式),或16存储体(16B模式)操作;命令可选突发长度BL = 16或32(在存储体组或16存储体模式下);背景ZQ校准/基于命令的ZQ校准;链路保护(链路ECC)支持;部分阵列自刷新(PASR)和部分阵列自动刷新(PAAR),带段掩码。 超低电压核心和I/O电源:VDD1 = 1.70–1.95V;1.8V标称值;VDD2H = 1.01–1.12V;1.05V标称值;VDD2L = VDD2H或0.87-0.97V;0.9V标称值;VDDQ = 0.5V标称值或0.3V标称值(ODT关闭)。 I/O特性:接口-LVSTL 0.5/0.3 I/O类型:低摆幅单端,VSS端接,VOH补偿输出驱动;可编程VSS片上终端(ODT);非目标ODT支持;DVFSQ支持。 低功耗特性:DVFSC:动态电压频率缩放核心;单端CK,单端WCK和单端RDQS;数据复制;写入X。 选项:LPDDR5 VDD1/VDD2H/VDD2L/VDDQ:1.8V/1.05V/0.9V/0.5V;阵列配置-512兆x 32(2通道x16 I/O)512M32;1吉x 32(2通道x16 I/O)1G32;器件配置-封装中2个管芯D2;封装中4个管芯D4;FBGA“绿色”封装-315球TFBGA(12.4mm x 15.0mm,安装高度:最大1.1mm,Ø0.48 SMD);速度等级,周期时间(t'WCK)-6400 Mb/s-031;功能安全(FuSa)F1;美光硬件评估(ISO 26262-8:2018,第13条);FMEDA(ISO 26262-5:2018,第8、9条);适用于高达ASILD的系统;汽车级A-AEC-Q100;PPAP;工作温度:- 40°C ≤ TC ≤ +95°C IT;- 40°C ≤ TC ≤ +105°C AT;- 40°C ≤ TC ≤ +125°C UT2;版本:B
    • 1+

      ¥230.23
    • 30+

      ¥220.57
  • 订货
    • 1+

      ¥918
    • 200+

      ¥366.29
    • 500+

      ¥354.05
    • 1000+

      ¥348
  • 订货
  • 4Gb x16 Automotive DDR3L SDRAM,支持DDR3L设备在1.5V应用中向后兼容。工作温度范围为-40°C至+125°C。
    数据手册
    • 1+

      ¥43.13
    • 10+

      ¥37.44
    • 30+

      ¥33.97
    • 100+

      ¥26.64
  • 订货
    • 1+

      ¥51.99
    • 10+

      ¥44.98
    • 30+

      ¥38.89
    • 100+

      ¥35.31
  • 订货
  • 特性:超低电压核心和I/O电源:VDD1(overline) = 1.70-1.95V(标称1.80V),VDD2 = 1.06-1.17V(标称1.10V),VDDQ(overline) = 1.06-1.17V(标称1.10V)或低VDDQ = 0.57-0.65V(标称0.60V)。 频率范围2133-10 MHz(数据速率范围:4266-20 Mbps/pin)。 16n预取DDR架构。 每个通道8个内部存储体,用于并发操作
    • 1+

      ¥59.86
    • 10+

      ¥57.78
  • 订货
  • 特性:单级单元(SLC)工艺技术。 密度:128Mb。 电源电压:VCC(overline) = 2.7-3.6V(编程、擦除、读取),VCCQ(overline) = 1.65-VCC(I/O缓冲器)。 异步随机/页读取。 页大小:16字或32字节。 页访问:20ns
    • 1+

      ¥73.08
    • 10+

      ¥71.02
  • 订货
    • 1+

      ¥97.55
    • 200+

      ¥37.76
    • 500+

      ¥36.43
    • 1000+

      ¥35.77
  • 订货
    • 1+

      ¥100
    • 10+

      ¥95.29
    • 30+

      ¥87.13
    • 100+

      ¥80.01
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