美国微芯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：24LCS21A/SN 编号：C615222

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LCS21A 是一个 1K 位双模式 I2C 串行 EEPROM，支持传输模式和双向模式。具有低功耗 CMOS 技术，I2C 兼容接口，硬件写保护引脚，100 万次擦写寿命，数据保留超过 200 年，适用于扩展温度范围。

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型号：34VL02/MS 编号：C613192

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：24AA16T-E/MNY 编号：C616444

封装：TDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA16T是一款16Kbit I2C串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压，具有低功耗CMOS技术，两线串行接口，可编程硬件写保护，支持100kHz、400kHz和1MHz的时钟频率。

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型号：24LC21-I/SN 编号：C615207

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC21是一款128 x 8位的电可擦除PROM，设计用于需要存储和串行传输配置和控制信息的应用。支持I2C接口，工作电压范围为2.5V至5.5V，具有低功耗CMOS技术，支持自定时写周期，数据保留时间超过200年。

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型号：AT24C128C-MAHM-E 编号：C2061255

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C128C提供128Kbit的串行EEPROM，适用于低功耗和低电压操作的汽车应用。支持I2C接口，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留能力。

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单价：
￥2.862 / 个

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型号：24AA64FT-I/ST 编号：C2062238

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64F/24LC64F/24FC64F 是 64Kbit 串行 EEPROM，支持 I2C 接口，具有低功耗特性和多种封装选项。

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型号：24LC64XT-I/ST 编号：C2061703

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC64XT-I/ST 是一款64 Kbit I2C串行EEPROM，工作电压范围为2.5V至5.5V，支持工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件具有低功耗特性，工作电流仅为3mA，待机电流为1uA。支持2-wire I2C接口，最高时钟频率为1MHz。提供多种封装选项，包括8引脚TSSOP和5引脚SOT-23等。该器件具有100万次擦写寿命和超过200年的数据保持能力。

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型号：24AA64XT/ST 编号：C2062329

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64XT/ST 是一款64 Kbit 串行EEPROM，支持I2C接口，工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C，具有低功耗、高可靠性等特点。

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型号：24LC16BT-E/MC 编号：C2062252

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC16B是一款16Kbit I2C串行EEPROM，分为八个256x8位的内存块。支持低功耗CMOS技术，工作电压范围为2.5V至5.5V，具有页写功能，可写入最多16字节的数据。

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单价：
￥4.1472 / 个

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型号：25AA640A-I/ST 编号：C153275

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA640A是一款64K SPI总线串行EEPROM，具有32字节页面大小，支持1.8-5.5V的工作电压范围，最大时钟频率为10MHz，支持工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件具有自定时擦除和写入周期（最大5ms），并提供块写保护功能。

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1+
￥3.2
10+
￥2.54
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￥2.25
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型号：24C02CT-I/SN 编号：C615643

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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3300+
￥2.3712
6600+
￥2.3296
9900+
￥2.288

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型号：25LC040AT-I/SN 编号：C2061086

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的 25XX040A 是一款 4 Kbit 的 SPI 接口串行 EEPROM。该存储器通过简单的 SPI 兼容串行总线访问，支持 16 字节的页写模式，具有 512x8 位的组织结构。它的工作电压范围为 2.5V 至 5.5V，支持工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。该器件具有低功耗特性，最大时钟频率为 10 MHz，写周期寿命为 1,000,000 次，数据保留时间为超过 200 年。

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100+
￥2.6352
500+
￥2.39904
1000+
￥2.33856
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￥2.2374

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型号：24AA025UIDT-I/SN 编号：C615603

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA025UIDT是一款2K位串行EEPROM，带有预编程的32位唯一序列号。该设备分为两个128x8位的内存块，支持I2C接口，可级联。

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1+
￥3.75
10+
￥3.66
30+
￥3.61
100+
￥3.55

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型号：24AA02-I/SN 编号：C615114

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02是一款2Kbit I2C串行EEPROM，工作电压范围为1.7V至5.5V，支持400kHz和1MHz的时钟频率。该器件具有低功耗CMOS技术，读电流为1mA，最大，待机电流为1uA，最大。支持页写功能，最多可写入8字节数据。

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单价：
￥2.214 / 个

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型号：24LC08B-I/ST 编号：C184244

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC08B是一款8Kbit Electrically Erasable PROM (EEPROM)，支持I2C接口，工作电压范围为2.5V至5.5V，最高时钟频率为400kHz。具有低功耗特性，支持100万次擦写周期，数据保留时间超过200年。

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5+
￥4.24
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￥3.04
150+
￥2.45
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￥1.85
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5000+
￥1.32

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型号：25LC320T-I/SN 编号：C182008

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA320/25LC320/25C320（25XX320°）是32 Kbit的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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3300+
￥5.358
6600+
￥5.264
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￥5.17

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型号：93LC66C-I/SN 编号：C1348768

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX66A/B/C 器件是 4 Kbit 的低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA66C、93LC66C 或 93C66C 这类字可选器件，依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93XX66A 器件；而 93XX66B 器件则提供专用 16 位通信

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单价：
￥7.172011 / 个

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型号：25LC020AT-I/OT 编号：C616285

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC020A是一款2-Kbit SPI接口串行EEPROM，具有16字节页大小，支持工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件具有低功耗CMOS技术，最大时钟频率为10 MHz，读写电流为5 mA，待机电流为5uA。存储器组织为256个8位地址，支持自定时擦除和写入周期（最大5 ms）。提供多种封装选项，包括MSOP、SOIC等。

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100+
￥4.3904
200+
￥4.312
500+
￥4.2336

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型号：24AA025T-I/OT 编号：C616269

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA025T-I/OT 是一款2-Kbit I2C串行电可擦除只读存储器（EEPROM）。该设备组织为一个256x8位的内存块，具有两线串行接口。

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1+
￥6.06
10+
￥4.97
30+
￥4.37
100+
￥3.69
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￥3.39
1000+
￥3.26

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型号：24FC64-I/P 编号：C613659

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款64K位的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该设备被组织成一个由8K×8位存储器组成的单块，具有两线串行接口。其低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1μA和3mA。还具有高达32字节数据的页写入能力。功能地址线允许同一总线上最多有8个设备，地址空间高达512K位。

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1+
￥6.94
10+
￥6.78
60+
￥6.68
120+
￥6.57

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型号：AT25320B-XHL-T 编号：C2061499

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25320B提供32,768位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为4,096个8位字。该设备支持SPI模式0和3，具有1.8V至5.5V的工作电压，20MHz的时钟频率，32字节页模式写入，块写保护，硬件和软件数据保护，自定时写周期（最大5ms），高可靠性（1,000,000次写周期寿命，100年数据保留）。

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