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首页 > 热门关键词 > 美国微芯存储器
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24LC08BH-E/ST
型号：24LC08BH-E/ST 编号：C619669
封装：TSSOP-8
品牌：MICROCHIP(美国微芯)
24LC08BH 是一款8K位（1024x8位）I2C兼容的串行EEPROM，支持低功耗CMOS技术，具有两线串行接口。其工作电压范围为2.5V至5.5V，最高时钟频率为400kHz。该设备还具有硬件写保护功能，可保护半阵列（200h-3FFh）。
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    24LC014T-E/MNY
    型号：24LC014T-E/MNY 编号：C616467
    封装：TDFN-8-EP(3x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC014是一款1-Kbit I2C串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压，最高时钟频率为400kHz。该器件具有低功耗CMOS技术，读写电流分别为1mA和1uA，具有硬件写保护功能，支持最多8个设备的级联。
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    24LC014-E/ST
    型号：24LC014-E/ST 编号：C619640
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC014是一款1-Kbit I2C串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压，最高时钟频率为400kHz。该器件具有低功耗CMOS技术，读写电流分别为1mA和1uA，具有硬件写保护功能，支持最多8个设备的级联。
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    93C66BT-E/ST
    型号：93C66BT-E/ST 编号：C616729
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    93C66BT-E/ST是一款4-Kbit高电压串行EEPROM，支持Microwire协议，具有自定时擦除/写入周期，数据保持时间超过200年。
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    93C66AT-E/ST
    型号：93C66AT-E/ST 编号：C616727
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    93C66AT-E/ST是一款4-Kbit高电压串行EEPROM，支持Microwire协议，具有自定时擦除/写入周期，数据保持时间超过200年。
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    2Kbit I2C串行EEPROM，带软件写保护功能
    型号：24AA52T-I/ST 编号：C619931
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA52T是一款2Kbit I2C串行EEPROM，支持1.8V到5.5V的工作电压范围，具有软件写保护功能，适用于各种低功耗应用。
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    24LC024-E/ST
    型号：24LC024-E/ST 编号：C619649
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC024-E/ST 是一款2-Kbit I2C串行电可擦除只读存储器（EEPROM）。该设备组织为一个256x8位的内存块，具有两线串行接口。
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    4Kbit2.5V低电压串行EEPROM，扩展温度范围，SOIC封装
    型号：93LC66A-E/ST 编号：C619824
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    4K位2.5V低电压串行EEPROM，适用于低功耗、非易失性存储应用。具有自动擦除/写入功能，支持高可靠性：1,000,000次擦除/写入周期，数据保留超过200年。
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    2Kbit I2C串行EEPROM，带软件写保护功能
    型号：24LCS52/ST 编号：C619695
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LCS52是一款2Kbit I2C串行EEPROM，具有软件写保护功能，适用于各种低功耗应用。
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    24C02CT-E/ST
    型号：24C02CT-E/ST 编号：C619941
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    Microchip Technology Inc. 24C02C 是一款2K位的串行EEPROM，工作电压范围为4.5V至5.5V。该设备组织为一个256x8位的存储块，具有I2C兼容的2线串行接口。支持高达100万次擦写，数据保留时间超过200年。
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    2Kbit I2C串行EEPROM，带软件写保护功能
    型号：24AA52-I/ST 编号：C619610
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA52是一款2Kbit I2C串行EEPROM，支持1.8V到5.5V的工作电压范围，具有软件写保护功能，适用于各种低功耗应用。
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    93LC66AT-E/ST
    型号：93LC66AT-E/ST 编号：C616752
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    93LC66AT-E/ST是一款4-Kbit低电压串行EEPROM，支持Microwire协议，具有自定时擦除/写入周期，数据保持时间超过200年。
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    1Kbit 串行EEPROM，带半阵列写保护
    型号：24LC014H-E/ST 编号：C1351048
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC014H是一款1Kbit串行EEPROM，支持I2C接口，工作电压范围为2.5V至5.5V，具有半阵列写保护功能。该器件组织为一个128x8位的内存块，支持页写操作，最多可写入16字节数据。工作温度范围为-40°C至+85°C，写周期寿命为100万次，数据保留时间为200年。
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    93C66B E/ST
    型号：93C66B-E/ST 编号：C1352322
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    8Kbit Microwire兼容串行EEPROM
    型号：93LC76C-I/SN 编号：C1351823
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    Microchip Technology Inc. 的93LC76C是一款8K位，低电压，串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该设备提供8位或16位内存组织，具有自定时擦除/写入周期、自动擦除功能以及强大的数据保护电路。适用于低功耗、非易失性存储应用。
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    2Kbit I2C串行EEPROM
    型号：24LC025T-E/ST 编号：C1351655
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC025是一款2Kbit的I2C兼容串行EEPROM，具有1.7V至5.5V的工作电压范围，支持400kHz的时钟频率。该设备组织为一个256x8位的存储块，具有低功耗CMOS技术，典型待机电流为1uA，典型工作电流为1mA。支持页写操作，最大写周期时间为5ms，可承受超过1百万次擦写周期，数据保留时间超过200年。
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    93C66A E/ST
    型号：93C66A-E/ST 编号：C1352329
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    93C66A-E/ST 是一款4-Kbit低电压串行EEPROM，支持Microwire协议，具有自定时擦除/写入周期，自动擦除所有功能，高可靠性，擦除/写入耐久性为1,000,000次，数据保留超过200年，符合RoHS标准。
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    2Kbit I2C接口串行EEPROM
    型号：24LC025-E/ST 编号：C1351650
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC025是一个2Kbit的串行EEPROM，具有2线I2C接口，工作电压范围为2.5V至5.5V。该设备组织为256个8位存储单元，支持高达400kHz的时钟频率。
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    4-Kbit Microwire兼容串行EEPROM
    型号：93LC66BT-E/ST 编号：C2064669
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    8Kbit I2C串行EEPROM
    型号：24LC08BHT-E/ST 编号：C2062912
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC08BHT-E/ST 是一款8Kbit 电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，支持I2C接口。该器件分为四个256 x 8位的内存块，具有低功耗CMOS技术，支持1.7V至5.5V的工作电压，工作温度范围为-40°C至+85°C。具有页写入功能，最多可写入16字节数据。具备硬件写保护功能，可保护半阵列（200h-3FFh）。
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    1Kbit 5.0V I²C兼容串行EEPROM
    型号：24C01CT-E/ST 编号：C2064710
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24C01C 是一个1K位的串行EEPROM，具有I2C兼容接口，工作电压范围为4.5V至5.5V。该设备组织为128x8位的内存块，支持页写操作，写周期时间为1ms。
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    93C66CT E/ST
    型号：93C66CT-E/ST 编号：C2064638
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    93C66CT-E/ST是一款4-Kbit低电压串行EEPROM，支持Microwire兼容接口，具有2.5V至5.5V的工作电压范围，适用于扩展温度范围（-40°C至+125°C）。该器件具有自定时擦除/写入周期，自动擦除所有（ERAL）功能，高可靠性（1,000,000擦除/写入周期），数据保留时间超过200年。
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    4-Kbit Microwire兼容串行EEPROM
    型号：93LC66CT-E/ST 编号：C2064699
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    1bit线串行EEPROM
    型号：24LC014T-E/ST 编号：C2063886
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA014/24LC014是一款1-Kbit的1-Wire串行EEPROM，具有低功耗CMOS技术，支持2.5V至5.5V的工作电压范围，具有硬件写保护功能，支持I2C兼容的两线串行接口。
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    8Kbit I²C串行EEPROM
    型号：24LC08BT-E/ST 编号：C2064582
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC08B是一款8K位I2C串行EEPROM，具有低功耗CMOS技术，支持100 kHz、400 kHz和1 MHz的时钟频率，具有页写功能，支持硬件写保护，具备超过1百万次擦写寿命和超过200年的数据保留时间。
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    128x8bit 双模式串行EEPROM，
    型号：24LC21A-I/SN 编号：C1350242
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC21A是一款128x8位双模式串行EEPROM，支持2.5V至5.5V单电源供电，具有I2C兼容接口，支持100kHz和400kHz频率，确保1,000,000次擦写周期，数据保留超过200年。
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    2Kbit 2.5V 单线串行 EEPROM
    型号：11LC020-E/P 编号：C612374
    封装：DIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    11LC020-E/P 是一款 2Kbit 的 EEPROM，支持 2.5V 供电，具有单线 UNI/O 接口。该设备支持 100kbps 的最大位速率，具有低功耗特性，工作电流为 1mA，待机电流为 1uA。支持 2.5V 至 5.5V 的 Vcc 范围，工作温度范围为 -40°C 至 +85°C。具备 1,000,000 擦写周期寿命和超过 200 年的数据保留时间。
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    2Kbit低电压串行EEPROM
    型号：93C56A-E/SN 编号：C1351692
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    Microchip Technology Inc. 的 93C56A/B/C 系列是2Kbit低电压串行EEPROM，支持8位和16位通信。这些设备适用于低功耗、非易失性存储应用，支持工业和汽车温度范围。封装包括8引脚PDIP、SOIC、MSOP、SOT-23、2x3 DFN/TDFN和8引脚TSSOP。所有封装均为无铅（Matte Tin）表面处理。
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    11AA161-I/P
    型号：11AA161-I/P 编号：C613578
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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      ￥3.9636 / 个
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    2-Kbit SPI接口串行EEPROM
    型号：25AA020AT-I/ST 编号：C616627
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA020A是一款2-Kbit SPI接口串行EEPROM，具有16字节页大小，支持工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件具有低功耗CMOS技术，最大时钟频率为10 MHz，读写电流为5 mA，待机电流为5uA。存储器组织为256个8位地址，支持自定时擦除和写入周期（最大5 ms）。提供多种封装选项，包括MSOP、SOIC等。
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