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首页 > 热门关键词 > 美国微芯存储器
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24LC04BH-I/ST
型号：24LC04BH-I/ST 编号：C619665
封装：TSSOP-8
品牌：MICROCHIP(美国微芯)
Microchip Technology Inc. 24LC04BH 是一个4Kbit I2C串行EEPROM，分为两个256x8位的存储块。它支持低功耗CMOS技术，工作电压为2.5V至5.5V，具有1MHz的时钟兼容性。该设备还具有半阵列写保护功能，可进行100万次擦写操作，并且数据保留时间超过200年。
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24LC16BHT-I/SN
型号：24LC16BHT-I/SN 编号：C615702
封装：SOIC-8
品牌：MICROCHIP(美国微芯)
24LC16BHT是一款16K位I2C串行EEPROM，支持2.5V到5.5V的工作电压，具有半阵列写保护功能。该设备分为八个256字节的内存块，支持400kHz的时钟频率。
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    4Kbit I2C串行EEPROM
    型号：24LC04BH-I/MS 编号：C613126
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    4Kbit I2C串行EEPROM，支持半阵列写保护，工作电压1.7V至5.5V，最高时钟频率400kHz。
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    93C56A-I/MS
    型号：93C56A-I/MS 编号：C613211
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    93C56A-I/MS 是一款 2-Kbit 低电压串行 EEPROM，具有 256 x 8 组织结构，适用于工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。该器件采用 MSOP 封装，支持 4.5V 至 5.5V 的工作电压，具有 1,000,000 擦写周期寿命和超过 200 年的数据保持能力。
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    11LC040-E/SN
    型号：11LC040-E/SN 编号：C615079
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    11LC040-E/SN 是一款4Kbit（512x8）的2.5V至5.5V低功耗CMOS串行EEPROM，支持UNI/O单线接口，具有100kbps的最大比特率，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。
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    11AA080-I/MS
    型号：11AA080-I/MS 编号：C613048
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    11AA080-I/MS 是一款1K至16K位的串行EEPROM，支持单I/O UNI/O接口，低功耗CMOS技术，工作电压范围为1.8V至5.5V。
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    93AA56C-I/MS
    型号：93AA56C-I/MS 编号：C613198
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    93AA56C-I/MS 是一款 2-Kbit 低电压串行 EEPROM，具有 256 x 8 或 128 x 16 组织结构，适用于工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。该器件采用 MSOP 封装，支持 1.8V 至 5.5V 的工作电压，具有 1,000,000 擦写周期寿命和超过 200 年的数据保持能力。
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    93C46CT-I/ST
    型号：93C46CT-I/ST 编号：C616720
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    Microchip Technology Inc. 的 93XX46A/B/C 系列设备是 1-Kbit 低电压串行 EEPROM。这些设备具有 8 位或 16 位字可选组织，支持工业和扩展温度范围，适用于低功耗、非易失性存储应用。
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    93LC46A-E/SN
    型号：93LC46A-E/SN 编号：C615380
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    93LC46A-E/SN是一款1-Kbit低电压串行EEPROM，支持Microwire兼容接口。该器件具有低功耗CMOS技术，支持1,000,000次擦写周期，数据保留时间超过200年，ESD保护大于4,000V。工作温度范围为-40°C至+85°C，符合AEC-Q100标准，适用于汽车应用。
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    16Kbit 三线串行EEPROM
    型号：AT93C86A-10TU-1.8 编号：C1353504
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT93C86A是一款16Kbit的三线串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的低电压操作，具有工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件支持顺序读操作，具有2MHz的时钟速率，写周期时间不超过10ms，耐久性为1,000,000次写周期，数据保留时间为100年。
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    93LC46C I/MS
    型号：93LC46C-I/MS 编号：C1351414
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    93LC46C是一款1Kbit低电压串行EEPROM，支持8/16位组织，Microwire兼容。该设备具有100万次擦写寿命，数据保留超过200年，适用于工业和汽车应用。
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      ￥2.7216 / 个
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    24AA04-I/MS
    型号：24AA04-I/MS 编号：C613075
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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      ￥2.6676 / 个
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    24LC08B/ST
    型号：24LC08B/ST 编号：C619671
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC08B/ST是一款8Kbit I2C串行EEPROM，具有400kHz的最大时钟频率，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件支持页写功能，最大写周期时间为5ms，具有超过1百万次擦写寿命和超过200年的数据保留能力。
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    4Kbit低电压串行EEPROM
    型号：93AA66B-I/ST 编号：C619782
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    4K位低电压串行EEPROM，适用于低功耗、非易失性存储应用。具有自动擦除/写入功能，支持高可靠性：1,000,000次擦除/写入周期，数据保留超过200年。
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    24LC08BH I/ST
    型号：24LC08BH-I/ST 编号：C1350815
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC08BH是一款8Kbit Electrically Erasable PROM，支持I2C接口，具有半阵列写保护功能。该设备分为四个256 x 8位的存储块，支持2线串行接口，低功耗CMOS技术，支持100 kHz和400 kHz时钟兼容。
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    4Kbit I²C接口串行EEPROM，工作电压1.7V至5.5V，时钟频率最高1MHz
    型号：24AA044T-E/SN 编号：C615612
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA044T是一款4 Kbit的串行EEPROM，具有1.7V至5.5V的工作电压范围，支持I2C接口，时钟频率最高可达1MHz。该器件分为两个256x8位的内存块，支持页写入功能，最大写入时间为5ms。工作温度范围为-40°C至+125°C。
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    2Kbit 2.5V EEPROM，支持UNI/O接口
    型号：11LC020T-E/MNY 编号：C616419
    封装：TDFN-8(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    11LC020T-E/MNY是一款2Kbit，2.5V供电的EEPROM，支持UNI/O接口，具有低功耗、高可靠性和多种封装选项。
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    1Kbit5.0V I2C串行EEPROM
    型号：24C01CT-I/ST 编号：C619940
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24C01C是一款1K位的串行EEPROM，支持I2C接口，工作电压范围为4.5V到5.5V。该设备组织为一个128x8位的内存块，具有低功耗CMOS技术，最大读电流为1mA，最大待机电流为5uA。支持高达100kHz和400kHz的时钟频率，具有16字节的页写缓冲区和快速写周期时间。
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    • 1+

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    24LC024T-I/ST
    型号：24LC024T-I/ST 编号：C619975
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC024是一款2-Kbit I2C串行EEPROM，工作电压范围为2.5V至5.5V，支持最高400kHz的时钟频率。该设备具有硬件写保护功能，支持高达100万次的擦写周期，数据保留时间超过200年。
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    • 2500+

      ￥2.2686

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    11LC160-I/MS
    型号：11LC160-I/MS 编号：C613060
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    11LC160-I/MS 是一款16K位的串行EEPROM，支持单I/O UNI/O接口，低功耗CMOS技术，工作电压范围为2.5V至5.5V。
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    • 100+

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    8KbitI2C串行EEPROM，带半阵列写保护
    型号：24LC08BH-I/MS 编号：C613130
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC08BH-I/MS是一款8K位I2C串行EEPROM，支持低功耗CMOS技术，具有半阵列写保护功能。其工作电压范围为2.5V至5.5V，最高时钟频率为400kHz，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件还支持高达1百万次擦写周期，数据保留时间超过200年。
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    93LC66BT-I/MS
    型号：93LC66BT-I/MS 编号：C613456
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 单价：

      ￥2.8188 / 个
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    1Kbit5.0V I2C串行EEPROM
    型号：24C01CT-E/OT 编号：C616272
    封装：SOT-23-6
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24C01C是一款1K位的串行EEPROM，支持I2C接口，工作电压范围为4.5V到5.5V。该设备组织为一个128x8位的内存块，具有低功耗CMOS技术，最大读电流为1mA，最大待机电流为5uA。支持高达100kHz和400kHz的时钟频率，具有16字节的页写缓冲区和快速写周期时间。
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    1Kbit I²C串行EEPROM带半阵列写保护
    型号：24LC014H-I/ST 编号：C619642
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC014H是一款1Kbit I2C串行EEPROM，支持低至1.7V的工作电压，具有半阵列写保护功能。设备组织为一个128x8位的内存块，支持2线串行接口。最大工作电流为400uA，待机电流为1uA。支持高达1MHz的时钟频率。

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    93C76AT-I/OT
    型号：93C76AT-I/OT 编号：C616312
    封装：SOT-23-6
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    • 单价：

      ￥3.1968 / 个
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    11AA160-I/MS
    型号：11AA160-I/MS 编号：C613049
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    11AA160-I/MS 是一款1K至16K位的串行EEPROM，支持单I/O UNI/O接口，低功耗CMOS技术，工作电压范围为1.8V至5.5V。
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    8KbitI2C串行EEPROM，带半阵列写保护
    型号：24AA08H-I/MS 编号：C613076
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA08H-I/MS是一款8K位I2C串行EEPROM，支持低功耗CMOS技术，具有半阵列写保护功能。其工作电压范围为1.7V至5.5V，最高时钟频率为400kHz，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件还支持高达1百万次擦写周期，数据保留时间超过200年。
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    93C66C-I/MS
    型号：93C66C-I/MS 编号：C613221
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    4-Kbit低电压串行EEPROM，具有自定时擦除/写入周期，高可靠性，数据保留超过200年。
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    93AA66AT-I/MS
    型号：93AA66AT-I/MS 编号：C613414
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    4-Kbit低电压串行EEPROM，具有自定时擦除/写入周期，高可靠性，数据保留超过200年。
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    93LC56A-E/SN
    型号：93LC56A-E/SN 编号：C615399
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    93LC56A 是一款 2-Kbit 低电压串行 EEPROM，支持 2.5V 至 5.5V 的工作电压范围，适用于扩展级温度范围（-40°C 至 +125°C）。该设备具有 256x8 位的组织结构，采用 PDIP、SOIC、TSSOP、MSOP、SOT-23、DFN 和 TDFN 封装。
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