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描述

价格(含税)

库存

操作

2mΩ ±1% 1W

型号：WSLP12062L000FEA 编号：C844294

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

特性：功率与尺寸比高(2512封装为3W,2010封装为2W,1206封装为1W,0805封装为0.5W,0603封装为0.4W)。全焊接结构,适用于各种电流检测、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低电阻值(低至0.0005Ω)。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感,为0.5nH至5nH。低热电动势(<3μV/°C)。通过AEC Q200认证。材料分类:如需了解合规定义,请参考相关文档

数据手册

5+
￥1.1956
50+
￥0.953
150+
￥0.849
500+
￥0.7192
2500+
￥0.6615
4000+
￥0.6268

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:4.3A

型号：SI2356DS-T1-GE3 编号：C74127

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。应用：DC/DC转换器。负载开关

数据手册

5+
￥1.2886
50+
￥0.9996
150+
￥0.8757
500+
￥0.7212
3000+
￥0.6523
6000+
￥0.611

有货

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100mΩ ±1% 1W

型号：WSL2512R1000FEA 编号：C844904

封装：2512

品牌：VISHAY(威世)

特性：全焊接结构,适用于各类电流检测、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低的电阻值(低至0.0005 Ω)。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感:0.5 nH至5 nH。低热电动势:(< 3μV / °C)。通过AEC Q200认证

数据手册

5+
￥1.4716
50+
￥1.165
150+
￥1.0337
500+
￥0.8697
2000+
￥0.7967
4000+
￥0.7529

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:11.4A

型号：SI4435DDY-T1-GE3 编号：C10491

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-30V,11.4A,24mΩ@-10V

数据手册

5+
￥1.4925
50+
￥1.2134
150+
￥1.0939
500+
￥0.9447
2500+
￥0.8053
5000+
￥0.7654

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:12A

型号：SIS412DN-T1-GE3 编号：C111309

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

N沟道

数据手册

5+
￥1.5238
50+
￥1.2535
150+
￥1.1376
500+
￥0.993
3000+
￥0.9287

有货

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薄膜电阻 10kΩ ±0.1% 200mW

型号：TNPW080510K0BEEA 编号：C844893

封装：0805

品牌：VISHAY(威世)

特性：卓越的耐湿性(85°C;85%相对湿度)。在不同环境条件下具有出色的整体稳定性 ≤ 0.05%(70°C下额定功率1000小时)。通过AEC Q200认证。可选单批次日期代码。经过ASTM B 809验证的先进抗硫性。材料分类:有关合规性定义请参考相关文档。应用：汽车。工业设备

数据手册

5+
￥1.6307
50+
￥1.2925
150+
￥1.1476
500+
￥0.9668
2500+
￥0.8862
5000+
￥0.8379

有货

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电压:100V 电流:3A

型号：VS-30BQ100-M3/9AT 编号：C435959

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：VISHAY(威世)

VS - 30BQ100 - M3表面贴装肖特基整流器专为需要低正向压降和在印刷电路板上占用小空间的应用而设计。典型应用包括磁盘驱动器、开关电源、转换器、续流二极管、电池充电和电池反接保护。

数据手册

5+
￥1.6328
50+
￥1.3287
150+
￥1.1983
500+
￥1.0357
3500+
￥0.8421
7000+
￥0.7986

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:12A

型号：Si4178DY-T1-GE3 编号：C75685

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% Rg 和 0H3 测试。符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：笔记本系统电源。低电流 DC/DC

数据手册

5+
￥1.8395
50+
￥1.4436
150+
￥1.2739
500+
￥1.0622
2500+
￥0.9679
5000+
￥0.9113

有货

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耐压:1300V 电流:1A 反向恢复时间：75ns

型号：EGF1T-E3/67A 编号：C190701

封装：DO-214BA

品牌：VISHAY(威世)

特性：超整流器结构，适用于高可靠性条件。无空腔玻璃钝化结。适合自动贴装。超快反向恢复时间。低开关损耗，高效率。雪崩浪涌能量能力。应用：用于闪光灯应用的高压整流

数据手册

5+
￥1.9802
50+
￥1.6214
150+
￥1.4676
1500+
￥1.1334
3000+
￥1.048
4500+
￥0.9967

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:5.2A

型号：SI2336DS-T1-GE3 编号：C727324

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。应用：DC/DC转换器。升压转换器

数据手册

5+
￥2.2378
50+
￥1.7833
150+
￥1.5885
500+
￥1.3455
3000+
￥1.2373
6000+
￥1.1723

有货

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1.6kV 800mA

型号：BY269TR 编号：C506637

封装：SOD-57

品牌：VISHAY(威世)

特性：玻璃钝化结。密封封装。 RoHS合规，无卤素。应用：高压快速整流二极管

数据手册

5+
￥2.5532
50+
￥2.1122
150+
￥1.9232
500+
￥1.5857
2500+
￥1.4807
5000+
￥1.4177

有货

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1uH ±20% 22A

型号：IHLP2525CZER1R0M01 编号：C845018

封装：SMD,6.9x6.5mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：此封装尺寸中高度最低(3.0 mm)。屏蔽结构。高达 5 MHz 时具有出色的 DC/DC 能量存储能力。此封装尺寸中 DCR/μH 最低。可处理高瞬态电流尖峰而不饱和。由于采用复合结构,嗡嗡声极低。应用：PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。高电流负载点 (POL) 转换器

数据手册

1+
￥2.84
10+
￥2.3
30+
￥2.07
100+
￥1.79
500+
￥1.46
1000+
￥1.38

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TCMT1107 编号：C81148

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：VISHAY(威世)

TCMT110系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚封装。这些元件安装在一个引线框架上，为满足最高安全要求，在输入和输出之间提供固定距离。

数据手册

1+
￥2.93
10+
￥2.39
30+
￥2.15
100+
￥1.86
500+
￥1.66
1000+
￥1.58

有货

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10uF ±10% 35V

型号：593D106X9035D2TE3 编号：C167093

封装：CASE-D-7343-31(mm)

品牌：VISHAY(威世)

钽电解电容器是在体积效率、稳定的电气参数、高可靠性和长使用寿命是主要考虑因素的应用中的首选。钽/钽氧化物/二氧化锰系统的稳定性和耐高温性,使固体钽电容器成为当今表面贴装组装技术的合适选择。

数据手册

1+
￥3.01
10+
￥2.39
30+
￥2.12
100+
￥1.79
500+
￥1.64
1000+
￥1.56

有货

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22uF ±20% 6.3V

型号：T58MM226M6R3C0300 编号：C215879

封装：-

品牌：VISHAY(威世)

数据手册

1+
￥3.12
10+
￥2.51
30+
￥2.25
100+
￥1.92
500+
￥1.77
1000+
￥1.68

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:10.2A

型号：SI4401DDY-T1-GE3 编号：C72317

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-40V,-16.1A,0.015Ω@-10V

数据手册

1+
￥3.23
10+
￥2.58
30+
￥2.3
100+
￥1.95
500+
￥1.8
1000+
￥1.7

有货

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10kΩ 500mW

型号：NTCLE100E3103JB0 编号：C141588

封装：插件,P=2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

这些热敏电阻具有负温度系数。该部件由一个NTC芯片组成，焊接在两根镀锡铜丝之间。它有灰色底漆涂层，并带有色带编码。该涂层没有特定的绝缘性能。

数据手册

1+
￥3.24
10+
￥2.61
30+
￥2.34
100+
￥2
500+
￥1.72
1000+
￥1.63

有货

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2.2uH ±20% 14A

型号：IHLP2525CZER2R2M01 编号：C540967

封装：SMD,6.9x6.5mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：此封装尺寸中高度最低 (3.0mm)。屏蔽结构。高达5 MHz的出色DC/DC能量存储。高达自谐振频率(SRF)的滤波电感应用。此封装尺寸中最低的DCR/μH。可处理高瞬态电流尖峰而不饱和。应用：PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。高电流负载点(POL)转换器

数据手册

1+
￥3.4
10+
￥2.71
30+
￥2.42
100+
￥2.05
500+
￥1.7
1000+
￥1.6

有货

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940nm 频谱范围790nm~1050nm 反向电压60V

型号：TEMD1020 编号：C511040

封装：SMD,2.5x2mm

品牌：VISHAY(威世)

TEMD1000系列是高速、高辐射灵敏度的PIN光电二极管，采用带透镜和日光截止滤光片的黑色表面贴装塑料封装。滤光片带宽与870 nm至950 nm的红外发射器相匹配。

数据手册

1+
￥3.75
10+
￥3.04
30+
￥2.74
100+
￥2.36
500+
￥1.96
1000+
￥1.86

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:14A

型号：SI4401FDY-T1-GE3 编号：C5224047

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET。100%进行Rg测试。应用：适配器开关。负载开关

数据手册

1+
￥3.81
10+
￥3.11
30+
￥2.81
100+
￥2.43
500+
￥1.94
1000+
￥1.84

有货

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0.2mΩ ±1% 9W

型号：WSLP3921L2000FEA 编号：C843886

封装：3921

品牌：VISHAY(威世)

特性：全焊接结构,适用于各种电流感应、电压分压和脉冲应用,无铅。专有加工技术可生产极低电阻值,低至0.0001 Ω。结构耐硫,不受高硫环境影响。特别挑选和稳定的材料允许高功率额定值(至15 W)。极低电感0.5 nH至5 nH。低热电动势(<3 μV/°C)。AEC Q200合格

数据手册

1+
￥3.96
10+
￥3.22
30+
￥2.85
100+
￥2.48
500+
￥2.26
1000+
￥2.14

有货

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高速940nm红外发射二极管，表面发射技术

型号：VSMY3940X01-GS08 编号：C962573

封装：SMD3528-2P

品牌：VISHAY(威世)

作为SurfLightTM产品系列的一部分，VSMY3940X01是一款基于表面发射体技术的940 nm红外发射二极管，具有高辐射强度、高光功率和高速度的特点，采用PLCC - 2封装进行表面贴装（SMD）。

数据手册

1+
￥4.26
10+
￥3.46
30+
￥3.06
100+
￥2.66
500+
￥2.42
1500+
￥2.3

有货

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5mΩ ±1% 1W

型号：WSLP12065L000FEA 编号：C844909

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

特性：功率与尺寸比高:2512封装可达3W,2010封装可达2W,1206封装可达1W,0805封装可达0.5W,0603封装可达0.4W。全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低电阻值(低至0.0005Ω)。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感:0.5nH至5nH。低热电动势(<3μV/°C)。通过AEC Q200认证。材料分类:有关合规性定义请参考相关文档

1+
￥4.37
10+
￥3.55
30+
￥3.14
100+
￥2.73
500+
￥2.48
1000+
￥2.36

有货

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1个P沟道耐压:200V 电流:1.2A

型号：SI7119DN-T1-GE3 编号：C540964

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。低热阻 PowerPAK 封装，尺寸小，厚度仅 1.07 mm。 100% 进行 UIS 和 Rg 测试。应用：中间 DC/DC 电源中的有源钳位

数据手册

1+
￥4.63
10+
￥3.78
30+
￥3.36
100+
￥2.94
500+
￥2.69
1000+
￥2.56

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:60A

型号：SQJ409EP-T1_GE3 编号：C727776

封装：PowerPAK-SO-8L

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试

数据手册

1+
￥4.69
10+
￥4.21
30+
￥3.96
100+
￥3.72
500+
￥3.58
1000+
￥3.5

有货

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10mΩ ±1% 2W

型号：WSLP2010R0100FEA 编号：C844087

封装：2010

品牌：VISHAY(威世)

数据手册

1+
￥4.9
10+
￥4.25
30+
￥3.92
100+
￥3.6
500+
￥3.41
1000+
￥3.31

有货

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1个P沟道耐压:150V 电流:8.9A

型号：SI7115DN-T1-GE3 编号：C469336

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-150V,-8.9A,0.295Ω@-10V

数据手册

1+
￥4.96
10+
￥4.25
30+
￥3.89
100+
￥3.54
500+
￥3.11
1000+
￥3

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:23.7A

型号：SI7149DP-T1-GE3 编号：C553982

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg测试。 100%进行UIS测试。应用：电池和负载开关。笔记本电脑

数据手册

1+
￥5.09
10+
￥4.22
30+
￥3.78
100+
￥3.35
500+
￥3.09
1000+
￥2.96

有货

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1个P沟道耐压:200V 电流:3.6A

型号：IRFR9220TRPBF 编号：C3020

封装：TO-252(DPAK)

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-200V,-3.6A,1.5Ω@-10V

数据手册

1+
￥5.14
10+
￥4.18
30+
￥3.69
100+
￥3.21
500+
￥2.63
1000+
￥2.48

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:40V 电流:6.8A

型号：SI4554DY-T1-GE3 编号：C727596

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：按照IEC 61249-2-21定义为无卤产品。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。符合RoHS指令2002/95/EC。应用：电机驱动

数据手册

1+
￥5.4
10+
￥4.32
30+
￥3.78
100+
￥3.24
500+
￥2.92
1000+
￥2.75

有货

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