威世模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SQM40031EL_GE3 编号：C3281559

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥22.38
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￥19.35
30+
￥17.56
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￥15.4252 ￥15.74
500+
￥14.602 ￥14.9
800+
￥14.2296 ￥14.52

有货

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型号：MCA1206MD1005BP500 编号：C4267800

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

适用于对可靠性和稳定性要求较高的现代电子领域,典型应用包括汽车、工业、电信和医疗设备,以及精密测试和测量设备。

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￥2.65
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￥2.07
30+
￥1.82
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￥1.51
500+
￥1.38
1000+
￥1.29

有货

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型号：IHLP2020BZER2R2M11 编号：C553987

封装：SMD,5.5x5.2mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：屏蔽结构。在此封装尺寸下,具有最低的DCR/μH。能够处理高瞬态电流尖峰而不饱和。由于采用复合结构,具有超低嗡嗡声噪声。高达1 MHz至2 MHz时具有出色的DC/DC能量存储能力。在高达自谐振频率(SRF)时可用于滤波电感应用(参见“标准电气规格”表)。应用：PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。高电流负载点(POL)转换器

数据手册

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￥2.65
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￥2.06
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￥1.81
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￥1.4602 ￥1.49
500+
￥1.323 ￥1.35
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￥1.2348 ￥1.26

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型号：IHLP2525CZER2R2M01 编号：C540967

封装：SMD,6.9x6.5mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：此封装尺寸中高度最低 (3.0mm)。屏蔽结构。高达5 MHz的出色DC/DC能量存储。高达自谐振频率(SRF)的滤波电感应用。此封装尺寸中最低的DCR/μH。可处理高瞬态电流尖峰而不饱和。应用：PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。高电流负载点(POL)转换器

数据手册

1+
￥2.66
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￥2.1
30+
￥1.86
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￥1.56
500+
￥1.28
1000+
￥1.2

有货

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型号：BY448TAP 编号：C506648

封装：SOD-57

品牌：VISHAY(威世)

特性：玻璃钝化结。密封封装。材料分类。应用：高压整流。水平偏转电路中的高效二极管

数据手册

1+
￥2.7
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￥2.14
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￥1.91
100+
￥1.5778 ￥1.61
500+
￥1.3916 ￥1.42
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￥1.3132 ￥1.34

有货

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型号：SQ2364EES-T1_GE3 编号：C3290054

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽场效应晶体管功率MOSFET。通过AEC-Q101认证。100%进行Rg和UIS测试。典型ESD保护800V

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￥2.76
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￥2.18
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￥1.93
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￥1.5876 ￥1.62
500+
￥1.4504 ￥1.48
1000+
￥1.372 ￥1.4

有货

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型号：SI4401DDY-T1-GE3 编号：C72317

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-40V,-16.1A,0.015Ω@-10V

数据手册

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￥2.86
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￥2.25
30+
￥2
100+
￥1.68
500+
￥1.53
1000+
￥1.45

有货

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型号：SS10P4-M3/86A 编号：C968538

封装：TO-277A-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：极低的外形：典型高度为1.1mm。适合自动贴装。保护环用于过压保护。低正向压降，低功率损耗。高效率。低热阻。应用：用于低压高频逆变器。续流

数据手册

1+
￥3.05
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￥2.46
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￥2.2
100+
￥1.786 ￥1.88
500+
￥1.444 ￥1.52
1500+
￥1.368 ￥1.44

有货

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型号：IRFR320TRPbF 编号：C3009

封装：DPAK(TO-252)

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,400V,3.1A,1.8Ω@10V

数据手册

1+
￥3.22
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￥2.55
30+
￥2.26
100+
￥1.862 ￥1.9
500+
￥1.7052 ￥1.74
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￥1.617 ￥1.65

有货

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型号：NTCS0805E3104FXT 编号：C143680

封装：0805

品牌：VISHAY(威世)

尺寸为0805（M2012）的玻璃保护型贴片式负温度系数（TCB）热敏电阻芯片，端头（Sp）镀覆。该器件无标记。

数据手册

1+
￥3.69
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￥3
30+
￥2.65
100+
￥2.2638 ￥2.31
500+
￥1.862 ￥1.9
1000+
￥1.7542 ￥1.79

有货

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型号：SIS413DN-T1-GE3 编号：C145006

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-30V,-18A,0.0094Ω@-10V

数据手册

1+
￥3.8
10+
￥3.14
30+
￥2.82
100+
￥2.3655 ￥2.49
500+
￥1.995 ￥2.1
1000+
￥1.9 ￥2

有货

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型号：SI4948BEY-T1-GE3 编号：C2903706

封装：SOP-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合IEC 81249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。符合RoHS指令2002/95/EC

数据手册

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￥3.924 ￥4.36
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￥3.213 ￥3.57
30+
￥2.862 ￥3.18
100+
￥2.511 ￥2.79
500+
￥2.304 ￥2.56
1000+
￥2.196 ￥2.44

有货

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型号：WSHM28185L000FEA 编号：C499552

封装：2818

品牌：VISHAY(威世)

特性：改进的热管理设计。全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术,可生产极低的电阻值。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感 (< 5 nH)。采用低TCR (< 20 ppm/°C) 的实心金属镍铬或锰铜合金电阻元件。低热电动势 (< 3 μV/°C)。通过AEC Q200认证

数据手册

1+
￥5.1
10+
￥4.38
30+
￥4.02
100+
￥3.4865 ￥3.67
500+
￥3.2775 ￥3.45
1000+
￥3.173 ￥3.34

有货

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型号：TCRT1000 编号：C144871

封装：SIP-4

品牌：VISHAY(威世)

TCRT1000和TCRT1010是反射式传感器，在带引脚的封装中集成了一个红外发射器和一个光电晶体管，该封装可阻挡可见光。

数据手册

1+
￥5.81
10+
￥4.82
30+
￥4.32
100+
￥3.83
500+
￥3.49
1000+
￥3.34

有货

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型号：DG467DV-T1-E3 编号：C144974

封装：TSOP-6-1.5mm

品牌：VISHAY(威世)

DG467和DG468是双电源单刀单掷(SPST)开关。导通电阻最大为10Ω，具有快速切换动作。

数据手册

1+
￥5.95
10+
￥4.83
30+
￥4.27
100+
￥3.5245 ￥3.71
500+
￥2.964 ￥3.12
1000+
￥2.793 ￥2.94

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型号：SIR876ADP-T1-GE3 编号：C114889

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。符合RoHS指令2002/95/EC。应用：DC/DC初级侧开关。电信/服务器48V，全/半桥DC/DC

数据手册

1+
￥6.37
10+
￥5.16
30+
￥4.55
100+
￥3.95
500+
￥3.21
1000+
￥3.03

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型号：593D106X9050E2TE3 编号：C506619

封装：CASE-E-7343-43(mm)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低等效串联电阻(ESR)。提供五种外壳代码的模制外壳。端接:100%哑光锡标准,可提供锡/铅。高纹波电流承载能力。与“大批量”自动拾放设备兼容。符合EIA 717标准。应用：工业。电信基础设施

数据手册

1+
￥6.41
10+
￥5.15
30+
￥4.52
100+
￥3.822 ￥3.9
400+
￥3.3124 ￥3.38
800+
￥3.1262 ￥3.19

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型号：WSR5R0500FEA 编号：C844707

封装：4527

品牌：VISHAY(威世)

特性：模制高温封装等级。设计中采用了改进的热管理。专有加工技术可生产低至 0.001 Ω 的低电阻值。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。实心金属镍铬或锰铜合金电阻元件,低 TCR (<20 ppm/°C)。极低电感 0.5 nH 至 5 nH。低热电动势 (<3 μV/°C)。对于低于 0.0075 Ω 的电阻值,不使用集成散热器。通过 AEC Q200 认证