威世模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：CRCW060350R0FKEA 编号：C844932

封装：0603

品牌：VISHAY(威世)

标准厚膜片式电阻器是现代电子大多数领域的理想选择,这些领域主要关注高可靠性和稳定性。

20+
￥0.1667
200+
￥0.1311
600+
￥0.1113
5000+
￥0.0994
10000+
￥0.0892
20000+
￥0.0836

有货

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型号：BAT54S-E3-08 编号：C559565

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：低开启电压和快速开关特性。采用PN结保护环，可防止过电压，如静电放电。提供符合AEC-Q101标准的产品。符合RoHS标准，商业级。符合RoHS标准，且通过AEC-Q101认证

10+
￥0.3486
100+
￥0.2768
300+
￥0.241
3000+
￥0.2141
6000+
￥0.1926
9000+
￥0.1818

有货

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型号：MSP5.0A-M3/89A 编号：C2649890

封装：MicroSMP

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形。典型高度为0.65mm。适用于自动贴装。氧化物平面芯片结。仅单向极性。符合RoHS标准。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、工业和传感器单元信号线上引起的电压瞬变。保护敏感设备免受瞬态过电压影响

数据手册

10+
￥0.4237
100+
￥0.3361
300+
￥0.2923
1000+
￥0.2594
4500+
￥0.2122
9000+
￥0.199

有货

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型号：SI2303CDS-T1-GE3 编号：C10489

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-30V,-2.7A,190mΩ@-10V

数据手册

10+
￥0.4652
100+
￥0.3753
300+
￥0.3303
3000+
￥0.2841
6000+
￥0.2571
9000+
￥0.2436

有货

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型号：1N4001-E3/54 编号：C145305

封装：DO-41

品牌：VISHAY(威世)

特性：低正向压降。低泄漏电流。高正向浪涌能力。浸焊：最高275℃，10s，符合JESD 22-B106。应用：用于电源、逆变器、转换器的通用整流以及续流二极管应用

数据手册

10+
￥0.4715
100+
￥0.3842
300+
￥0.3406
1000+
￥0.3079
5500+
￥0.2589
11000+
￥0.2458

有货

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型号：MSP3V3-M3/89A 编号：C506620

封装：MicroSMP(DO-219AD)

品牌：VISHAY(威世)

特性：极低的外形。典型高度为 0.65mm，适合自动贴装。氧化物平面芯片结。仅单向极性。峰值脉冲功率：150W（10μs /1000μs）。 ESD 能力：15kV（空气），8kV（接触）。应用：用于敏感电子设备，防止因电感负载开关和雷击在 IC、MOSFET、工业和传感器单元信号线上感应的电压瞬变。保护敏感设备免受瞬态过电压影响

数据手册

5+
￥0.5102
50+
￥0.4081
150+
￥0.3571
500+
￥0.3188
2500+
￥0.2882
4500+
￥0.2729

有货

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型号：MMB02070C1009FB200 编号：C2075182

封装：MELF-0207

品牌：VISHAY(威世)

特性：符合EN 140401 803 AEC Q200认证。先进的金属膜技术。出色的整体稳定性:超过0.25级。同类产品中最佳的脉冲负载能力。固有抗硫性。材料分类:有关合规性定义请参考相关文档。应用：汽车。电信

数据手册

5+
￥0.597
50+
￥0.4828
150+
￥0.4257
500+
￥0.3828
2000+
￥0.3048
4000+
￥0.2876

有货

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型号：BYG21M-E3/TR 编号：C36987

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装，适合自动贴装。玻璃钝化结。低反向电流。软恢复特性。快速反向恢复时间。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。应用：用于电源、逆变器、转换器的快速开关整流。用于消费、汽车和电信领域的续流二极管

数据手册

1+
￥0.841
10+
￥0.6772
30+
￥0.5954
100+
￥0.5339
500+
￥0.4848
1000+
￥0.4602

有货

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型号：SMF5V0A-E3-08 编号：C1972946

封装：SMF(DO-219AB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：200 W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000 μs，重复率（占空比）：0.01%。低外形封装。可波峰焊和回流焊。符合 IEC 61000-4-2 的 ESD 抗扰度：接触放电 ±30 kV，空气放电 ±30 kV。根据 AEC-Q101 的 ESD 能力：人体模型：H3B 类 > 8 kV。低增量浪涌电阻，出色的钳位能力。 “低噪声”技术，响应时间极快。可提供 AEC-Q101 认证产品。与 SOD-123w 封装外形、SOD-123F 和 SOD-123FL 兼容

数据手册

5+
￥0.9047
50+
￥0.74
150+
￥0.6576
500+
￥0.5959
3000+
￥0.4949
6000+
￥0.4702

有货

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型号：TMCMA1C226MTRF 编号：C1953590

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

特性：尺寸小,适合高密度封装。端接:100%雾锡。符合EIA 717 MSL 1级标准。与“大批量”自动拾放设备兼容。应用：工业AV设备。通用

数据手册

5+
￥0.9082
50+
￥0.7322
150+
￥0.6442
500+
￥0.5561
2000+
￥0.5033
4000+
￥0.4769

有货

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型号：293D106X9016A2TE3 编号：C110038

封装：CASE-A-3216-18(mm)

品牌：VISHAY(威世)

特性：模制外壳有六种外壳代码。端接:标准100%雾锡,可提供锡/铅。与“大批量”自动拾放设备兼容。符合EIA 535 BAAC机械和性能要求。通过EIA 717认证。防潮等级1。应用：工业。电信基础设施

数据手册

5+
￥1.1289
50+
￥0.9589
150+
￥0.8739
500+
￥0.8102
2000+
￥0.6735
4000+
￥0.648

有货

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型号：SI2333CDS-T1-GE3 编号：C48179

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-12V,-5.1A,35mΩ@-4.5V

数据手册

5+
￥1.3569
50+
￥1.0995
150+
￥0.9892
500+
￥0.8515
3000+
￥0.7058
6000+
￥0.6691

有货

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型号：VS-10BQ015HM3/5BT 编号：C413465

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：VISHAY(威世)

VS - 10BQ015HM3 表面贴装肖特基整流器专为需要低正向压降且在 PCB 板上占用空间极小的应用而设计。其专利势垒技术可确保在高达 125°C 的结温下可靠运行。典型应用包括磁盘驱动器、开关电源、转换器、续流二极管、电池充电和电池反接保护

数据手册

5+
￥1.3676
50+
￥1.0978
150+
￥0.9823
500+
￥0.838
3200+
￥0.7418
6400+
￥0.7032

有货

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型号：TNPW12061M00BEEA 编号：C511360

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

特性：卓越的耐湿性(85°C;85%相对湿度)。在不同环境条件下具有出色的整体稳定性 ≤ 0.05%(70°C下额定功率1000小时)。通过AEC Q200认证。可选单批次日期代码。经过ASTM B 809验证的先进抗硫性。材料分类:有关合规性定义请参考相关文档。应用：汽车。工业设备

数据手册

5+
￥1.7224
50+
￥1.3595
150+
￥1.204
500+
￥1.01
2500+
￥0.9236
5000+
￥0.8718

有货

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型号：WSLP1206R0200FEA 编号：C441558

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

特性：功率与尺寸比高:2512封装为3W,2010封装为2W,1206封装为1W,0805封装为0.5W,0603封装为0.4W。全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用,符合RoHS标准。专有处理技术,可实现极低电阻值(低至0.0005Ω)。结构耐硫,不受高硫环境影响。极低电感:0.5nH至5nH。低热电动势(<3μV/°C)。通过AEC Q200认证

数据手册

5+
￥1.8871
50+
￥1.4927
150+
￥1.3237
500+
￥1.1128
2500+
￥1.0189
4000+
￥0.9626

有货

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型号：SI2333DS-T1-GE3 编号：C727544

封装：SOT-23-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。应用：负载开关。 PA 开关

数据手册

1+
￥2.87
10+
￥2.26
30+
￥2
100+
￥1.68
500+
￥1.53
1000+
￥1.45

有货

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型号：SIP32510DT-T1-GE3 编号：C145264

封装：TSOT-23-6

品牌：VISHAY(威世)

SiP32510是一款压摆率可控的负载开关，设计用于1.2 V至5.5 V的工作电压。开关元件为n沟道器件，在较宽的输入电压范围内，典型导通电阻（RON）低至44 mΩ。

数据手册

1+
￥2.92
10+
￥2.3
30+
￥2.03
100+
￥1.7
500+
￥1.42
1000+
￥1.33

有货

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型号：VEMD2020X01 编号：C3210968

封装：SMD

品牌：VISHAY(威世)

高速高灵敏PIN光电二极管，采用带圆顶透镜和日光阻挡滤光片的微型表面贴装封装（SMD）。滤光片与工作波长为830nm至950nm的红外发射器匹配。芯片的光敏面积为0.23mm²。

1+
￥2.94
10+
￥2.36
30+
￥2.11
100+
￥1.8
500+
￥1.45
1000+
￥1.36

有货

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型号：SI2312BDS-T1-GE3 编号：C10490

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,20V,5A,31mΩ@4.5V

数据手册

1+
￥3.54
10+
￥2.94
30+
￥2.68
100+
￥2.36
500+
￥2.02
1000+
￥1.93

有货

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型号：IHLP2020CZER220M11 编号：C845002

封装：2020

品牌：VISHAY(威世)

特性：屏蔽结构。在该封装尺寸中,具有最低的DCR/μH。能够处理高瞬态电流尖峰而不饱和。由于采用复合结构,具有超低嗡嗡声。电感和饱和具有出色的温度稳定性。在1 MHz至2 MHz范围内具有出色的DC/DC能量存储能力,在自谐振频率(SRF)内适用于滤波电感应用。应用：PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。高电流负载点(POL)转换器

数据手册

1+
￥3.6
10+
￥2.81
30+
￥2.47
100+
￥2.05
500+
￥1.86
1000+
￥1.75

有货

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型号：SIP32431DR3-T1GE3 编号：C141606

封装：SOT-363-6

品牌：VISHAY(威世)

SiP32431是一款超低泄漏和静态电流、具备反向阻断能力的压摆率可控高端开关。该开关采用低导通电阻的P沟道MOSFET，支持高达1 A的连续电流。SiP32431的输入电压范围为1.5 V至5.5 V

数据手册

1+
￥3.61
10+
￥2.9
30+
￥2.59
100+
￥2.21
500+
￥1.87
1000+
￥1.77

有货

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型号：SI7617DN-T1-GE3 编号：C727607

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：笔记本电池充电。笔记本适配器开关

数据手册

1+
￥3.89
10+
￥3.23
30+
￥2.9
100+
￥2.57
500+
￥2.1
1000+
￥2

有货

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型号：SIZ340DT-T1-GE3 编号：C269268

封装：Power33-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：PowerPAIR 优化同步降压转换器的高端和低端 MOSFET。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：同步降压。电池充电

数据手册

1+
￥4.07
10+
￥3.37
30+
￥3.02
100+
￥2.68
500+
￥2.4
1000+
￥2.29

有货

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型号：SI7137DP-T1-GE3 编号：C784367

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen II p- 沟道功率 MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：适配器开关。电池开关

数据手册

1+
￥4.15
10+
￥3.4
30+
￥3.03
100+
￥2.66
500+
￥2.44
1000+
￥2.32

有货

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型号：SI4459ADY-T1-GE3 编号：C143743

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-30V,-29A,0.005Ω@-10V

数据手册

1+
￥5.01
10+
￥4.14
30+
￥3.71
100+
￥3.28
500+
￥2.78
1000+
￥2.65

有货

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型号：SI7288DP-T1-GE3 编号：C126988

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

N沟道

数据手册

1+
￥6.41
10+
￥5.33
30+
￥4.79
100+
￥4.25
500+
￥3.36
1000+
￥3.2

有货

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型号：593D106X9050E2TE3 编号：C506619

封装：CASE-E-7343-43(mm)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低等效串联电阻(ESR)。提供五种外壳代码的模制外壳。端接:100%哑光锡标准,可提供锡/铅。高纹波电流承载能力。与“大批量”自动拾放设备兼容。符合EIA 717标准。应用：工业。电信基础设施

数据手册

1+
￥6.45
10+
￥5.24
30+
￥4.63
100+
￥4.03
400+
￥3.54
800+
￥3.35

有货

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型号：SIR876ADP-T1-GE3 编号：C114889

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。符合RoHS指令2002/95/EC。应用：DC/DC初级侧开关。电信/服务器48V，全/半桥DC/DC

数据手册

1+
￥6.89
10+
￥5.68
30+
￥5.07
100+
￥4.47
500+
￥3.73
1000+
￥3.55

有货

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型号：VEML6040A3OG 编号：C78465

封装：OPLGA-4(1.3x2)

品牌：VISHAY(威世)

带有I2C接口的RGBW彩色传感器

数据手册

1+
￥7.28
10+
￥6.15
30+
￥5.53
100+
￥4.83
500+
￥4.22
1000+
￥4.08

有货

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型号：SIC634CD-T1-GE3 编号：C2653472

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC634是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC634采用威世（Vishay）专有的5 mm×5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，提供业界标杆性能，可显著降低开关和传导损耗。SiC634集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，可提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM和5 V PWM逻辑。该器件包含用户可选的二极管仿真模式（ZCD_EN#），以改善轻载性能。器件还支持PS4模式，可在系统处于待机状态时降低功耗。

数据手册

1+
￥7.73
10+
￥6.55
30+
￥5.91
100+
￥5.18
500+
￥4.85
1000+
￥4.7

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降低成本

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