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首页 > 热门关键词 > 威世模拟芯片
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    ¥3.8808 ¥3.96
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    ¥3.528 ¥3.6
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    ¥3.3418 ¥3.41
  • 有货
  • CNY70是一款反射式传感器,在带引脚的封装中集成了一个红外发射器和一个光电晶体管,该封装可阻挡可见光。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.84
    • 10+

      ¥5.6
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      ¥4.92
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    • 960+

      ¥3.66
  • 有货
  • 特性:模制高温封装。全焊接结构,适用于各类无铅电流感应、分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低电阻值(低至 0.001 Ω),符合 RoHS 标准。结构耐硫,不受高硫环境影响。实心金属镍铬或锰铜合金电阻元件,低 TCR(<20 ppm/°C)。极低电感 0.5 nH 至 5 nH。出色的频率响应至 50 MHz。低热电动势(<3 μV/°C)。通过 AEC Q200 认证
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    • 1+

      ¥6.85
    • 10+

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      ¥3.57
  • 有货
  • 特性:4 引脚设计允许低至 0.0005 Ω 时公差为 1%,低至 0.001 Ω 时公差为 0.5%。全焊接结构,适用于各类电流检测、电压分配和脉冲应用。专有处理技术可实现极低的电阻值(低至 0.0005 Ω)。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。采用固体金属镍铬或锰铜合金电阻元件,TCR 低(<20 ppm/°C)。极低电感,0.5 nH 至 5 nH。通过 AEC Q200 认证
    • 1+

      ¥6.86
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      ¥4.085 ¥4.3
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      ¥3.7715 ¥3.97
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      ¥3.629 ¥3.82
  • 有货
  • 特性:高温,最高可达155°C等级。屏蔽结构。高达1MHz至2MHz的出色DC/DC储能。适用于高达无铅自谐振频率(SRF)的滤波电感应用(请参阅标准电气规格RoHS表),符合相关标准。在该封装尺寸下具有最低的直流电阻(DCR)/微亨(μH)。能够处理高瞬态电流尖峰而不饱和。应用:发动机和变速器控制单元。柴油喷射驱动器
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    • 2000+

      ¥3.6297
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      ¥3.597
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      ¥3.5316
    第三代功率MOSFET具备快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益等优点。TO-220AB封装普遍适用于所有功率耗散水平约为50W的商业-工业应用。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中被广泛接受。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.24
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      ¥3.99
    • 1000+

      ¥3.85
  • 有货
  • 特性:全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有处理技术可产生极低的电阻值,低至 0.0001 Ω。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。特别选择和稳定的材料允许高功率额定值(至 15 W)。极低电感:0.5 nH 至 5 nH。低热电动势 (< 3 μV/°C)。通过 AEC Q200 认证
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      ¥7.3
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      ¥3.9886 ¥4.07
  • 有货
  • 特性:超低等效串联电阻 (ESR)。100%浪涌电流测试。加速电压调节。高纹波电流能力。在工作温度、电压和频率范围内电容稳定。无损耗效应。应用:去耦、平滑、滤波。无线网卡中的大容量储能
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    • 1+

      ¥7.65
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      ¥6.26
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      ¥4.26
    • 1000+

      ¥4.09
  • 有货
  • 特性:改进的热管理融入设计。全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可生产极低阻值。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感:< 5 nH。采用低 TCR(< 20 ppm/°C)的实心金属镍铬或锰铜合金电阻元件。低热电动势:< 3 μV/°C。通过 AEC Q200 认证
    • 1+

      ¥8.25
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      ¥2.2
  • 有货
  • 特性:结钝化优化设计,采用钝化各向异性整流器技术。 Tj = 175℃ 能力,适用于高可靠性和汽车要求。 仅提供单向极性。 低泄漏电流。 低正向压降。 高浪涌能力。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击引起的电压瞬变,特别是用于汽车负载突降保护应用
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    • 1+

      ¥8.98
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      ¥5.2
  • 有货
  • VOM1271是一款独立的光电隔离MOSFET驱动器。与传统的需要外部电源为驱动器本身提供VCC和/或VDD轨的MOSFET驱动器不同,VOM1271从隔离栅低压初级侧的LED电流中获取驱动其内部电路所需的所有电流。这节省了设计师因提供一个或多个外部电源而占用的空间和成本。VOM1271还集成了组件内部的关断电路,从而消除了为了通过减少关断时间来提高整体开关速度而需额外增加的组件需求。这些特性结合SOP4小封装,为各种MOSFET驱动应用提供了小巧、高度集成的隔离门极驱动解决方案。
    数据手册
    • 1+

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    • 30+

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  • 有货
  • 特性:改进的热管理融入设计。全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可生产极低阻值。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感:< 5 nH。采用低 TCR(< 20 ppm/°C)的实心金属镍铬或锰铜合金电阻元件。低热电动势:< 3 μV/°C。通过 AEC Q200 认证
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      ¥4.7
  • 有货
  • 特性:沟槽MOS肖特基技术。低正向压降,低功率损耗。高效运行。符合J-STD-020的MSL 1级,RoHS LF最大峰值245℃(适用于TO-263AB兼容封装)。低热阻。焊锡浴温度最高275℃,持续10 s(适用于TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装)。应用:高频转换器。开关电源
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    • 1+

      ¥10.09
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      ¥5.37
  • 有货
  • 8通道单端模拟多路复用器和双4通道差分模拟多路复用器,适用于单电源和双电源操作。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.32
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      ¥8.75
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    • 500+

      ¥6.3
    • 1000+

      ¥6.1
  • 有货
  • DG441LE、DG442LE 单片四路单刀单掷模拟开关旨在实现高速、低误差的模拟信号切换。DG441LE 具有常闭功能,DG442LE 具有常开功能。DG441LE、DG442LE 的特点是在整个模拟开关范围内具有几皮库仑的低电荷注入
    • 1+

      ¥10.6
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      ¥8.96
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      ¥6.2
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  • 特性:TrenchFET功率MOSFET
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    • 100+

      ¥6.64
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  • 在高级(Al₂O₃)陶瓷基板上沉积一层均匀的铂薄膜,并进行处理以获得合适的温度系数和稳定性。传感元件由防护涂层覆盖,该涂层旨在提供电气、机械和气候防护。终端采用镍底纯哑光镀锡处理,经过大量测试证明其具有抗锡须生长的能力
    数据手册
    • 1+

      ¥10.77
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      ¥9.11
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    • 500+

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    • 1000+

      ¥6.33
  • 有货
  • 高电压整流器,针对极低正向压降和适度泄漏进行了优化。这些器件适用于主整流(单相或三相电桥)。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.88
    • 10+

      ¥9.75
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      ¥9.04
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      ¥6.97
    • 500+

      ¥6.65
    • 1000+

      ¥6.5
  • 有货
  • DG9424E、DG9425E、DG9426E是单片四通道单刀单掷模拟开关。DG9424E和DG9425E仅在响应相反逻辑电平时有所不同。DG9426E有两个常开和两个常闭开关,可进行多种配置,包括四个SPST、两个SPDT和一个DPDT。
    数据手册
    • 10+

      ¥11.13
    • 100+

      ¥9.15
    • 300+

      ¥7.9
  • 有货
  • 特性:氮化铝(AlN)基板上的厚膜电阻元件。在小尺寸封装中具有非常高的热导率。端接:镀镍阻挡层上的锡/铅环绕端接,也提供无铅环绕端接。能够根据客户要求开发特定的可靠性计划。工作温度范围:-65°C至+155°C。高达6GHz的高频性能
    数据手册
    • 1+

      ¥11.15
    • 10+

      ¥9.41
    • 30+

      ¥8.32
    • 100+

      ¥7.21
    • 500+

      ¥6.71
    • 1000+

      ¥6.49
  • 有货
  • 特性:高电压可达3000 V。出色的稳定性 < 0.5%。可进行波峰焊接。可提供定制尺寸。具备自动贴装能力。可提供卷带包装。端接方式:标准为三边环绕端接或单端倒装芯片;可提供五边环绕端接。国际标准化尺寸。适用于可焊接、环氧粘结或引线键合应用。端接材料:标准为镀镍阻挡层或镀非磁性端接层;可提供金、钯银、铂金、铂银或铂钯金端接。多种样式、端接材料和配置,设计灵活性高。可提供环氧粘结或引线键合的非磁性端接
    数据手册
    • 1+

      ¥11.79
    • 10+

      ¥10.09
    • 30+

      ¥9.03
    • 100+

      ¥6.74
  • 有货
  • TEMD5510FX01环境光传感器是一款采用微型表面贴装器件(SMD)封装的PIN光电二极管,具有高光敏性。探测器芯片的感光面积为7.5 mm²。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.83
    • 10+

      ¥10.04
    • 30+

      ¥8.92
    • 100+

      ¥7.06
    • 500+

      ¥6.54
    • 1500+

      ¥6.31
  • 有货
  • SiC46x 是一系列宽输入电压、高效率的同步降压稳压器,集成了高端和低端功率 MOSFET。其功率级能够在高达 2 MHz 的开关频率下提供高连续电流。该稳压器可从 4.5 V 至 60 V 的输入轨产生低至 0.8 V 的可调输出电压,以适应各种应用,包括计算机、消费电子、电信和工业领域
    数据手册
    • 1+

      ¥13.43
    • 10+

      ¥11.25
    • 30+

      ¥9.89
    • 100+

      ¥7.56
    • 500+

      ¥6.93
    • 1000+

      ¥6.65
  • 有货
  • 针对非常低的正向压降进行了优化,具有适度的泄漏。所采用的玻璃钝化技术可在高达150℃的结温下可靠运行。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.43
    • 10+

      ¥11.34
    • 30+

      ¥10.03
    • 100+

      ¥8.7
    • 500+

      ¥8.09
  • 有货
  • 特性:UL认证文件编号E312394 (QQQX2) UL 1557。 增强型高电流密度单直插式封装。 卓越的热导率。 按照JESD 22-B106标准,最大浸焊温度275℃,时间10s。应用:开关电源、家用电器和白色家电应用中的AC/DC桥式全波整流通用用途
    数据手册
    • 1+

      ¥13.59
    • 10+

      ¥12.52
    • 40+

      ¥9.86
    • 100+

      ¥9.17
    • 500+

      ¥8.86
    • 1000+

      ¥8.73
  • 有货
  • 这些器件消除了会干扰磁场应用的材料,如在MRI磁共振成像机器中。采用非磁性材料精心设计,消除杂散磁 场对电路性能的影响,从而简化屏蔽要求,并提高音频应用中的音质。提供无磁场失真的信号调理。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.52
    • 10+

      ¥12.42
    • 30+

      ¥11.1
    • 100+

      ¥9.75
  • 有货
  • 具有低传导和开关损耗的独特组合,适用于高频转换器,包括软开关/谐振型。专为提高电动汽车/混合动力汽车电池充电站的PFC和输出整流级、太阳能逆变器的升压级以及UPS应用的效率而设计,可与MOSFET或高速IGBT完美配合使用。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.77
    • 10+

      ¥12.7
    • 25+

      ¥10.57
    • 100+

      ¥9.24
    • 500+

      ¥8.64
    • 1000+

      ¥8.38
  • 有货
  • 特性:陶瓷单层直流盘/交流盘电容器。高可靠性。高电容值,可达 2 nF。小尺寸。低损耗。径向引线。应用:用于 X 射线源和脉冲激光器的高压电源。行李扫描仪
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    • 1+

      ¥15.2
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      ¥12.79
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      ¥11.28
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      ¥9.5354 ¥9.73
    • 500+

      ¥8.8494 ¥9.03
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      ¥8.5554 ¥8.73
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