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首页 > 热门关键词 > 威世模拟芯片
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特性:TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用:电源开关。 大电流应用中的负载开关
数据手册
  • 1+

    ¥7.17
  • 10+

    ¥6.01
  • 30+

    ¥5.38
  • 100+

    ¥4.67
  • 500+

    ¥4.35
  • 1000+

    ¥4.2
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。 新型低热阻。 低至1.07 mm外形的PowerPAK封装。 针对快速开关进行PWM优化。 100%进行Rg测试。 材料分类:有关合规性定义,请参阅相关文档。应用:高密度DC/DC的初级侧开关。 电信/服务器48 V DC/DC
    数据手册
    • 1+

      ¥7.19
    • 10+

      ¥5.88
    • 30+

      ¥5.17
    • 100+

      ¥4.36
    • 500+

      ¥4
    • 1000+

      ¥3.84
  • 有货
  • 特性:模制高温封装等级。设计中采用了改进的热管理。专有加工技术可生产低至 0.001 Ω 的低电阻值。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。实心金属镍铬或锰铜合金电阻元件,低 TCR (<20 ppm/°C)。极低电感 0.5 nH 至 5 nH。低热电动势 (<3 μV/°C)。对于低于 0.0075 Ω 的电阻值,不使用集成散热器。通过 AEC Q200 认证
    • 1+

      ¥7.65
    • 10+

      ¥6.39
    • 30+

      ¥5.7
    • 100+

      ¥4.92
    • 500+

      ¥4.57
    • 1500+

      ¥4.41
  • 有货
  • 适用于大多数现代电子领域,在高工作电压下具有高可靠性和稳定性。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.69
    • 10+

      ¥6.39
    • 30+

      ¥5.68
    • 100+

      ¥4.87
    • 500+

      ¥4.52
  • 有货
  • 特性:改进的热管理设计。全焊接结构,适用于各种无铅电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术,可实现极低的电阻值。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感 (<5 nH)。低热电动势 (<3 μV/°C)。采用低 TCR (<20 ppm/°C) 的实心金属镍铬或锰铜合金电阻元件。通过 AEC Q200 认证
    • 1+

      ¥7.69
    • 10+

      ¥6.98
    • 30+

      ¥6.58
    • 100+

      ¥6.14
  • 有货
  • 这些热敏电阻由一个NTC陶瓷芯片和两条实心镀锡镍引线组成。热敏电阻主体涂有蓝色绝缘漆。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.75
    • 10+

      ¥6.49
    • 30+

      ¥5.8
    • 100+

      ¥5.01
    • 500+

      ¥4.46
    • 1000+

      ¥4.3
  • 有货
  • 第三代功率MOSFET具备快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益等优点。TO-220AB封装普遍适用于所有功率耗散水平约为50W的商业-工业应用。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中被广泛接受。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.03
    • 10+

      ¥6.85
    • 50+

      ¥5.64
    • 100+

      ¥4.9
    • 500+

      ¥4.58
    • 1000+

      ¥4.43
  • 有货
    • 1+

      ¥8.17
    • 10+

      ¥6.9
    • 30+

      ¥6.27
    • 100+

      ¥5.65
    • 500+

      ¥4.8
    • 1000+

      ¥4.61
  • 有货
    • 1+

      ¥8.22
    • 10+

      ¥6.92
    • 30+

      ¥6.21
    • 100+

      ¥5.4
    • 500+

      ¥5.04
    • 1000+

      ¥4.88
  • 有货
  • 特性:屏蔽结构。频率范围高达 1.0 MHz。在该封装尺寸中,具有最低的 DCR/μH。能够处理高瞬态电流尖峰而不饱和。由于采用复合结构,具有超低嗡嗡声噪声。电感和饱和具有出色的温度稳定性。应用:PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。高电流负载点 (POL) 转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.26
    • 10+

      ¥6.89
    • 30+

      ¥6.13
    • 100+

      ¥5.28
    • 500+

      ¥4.39
  • 有货
  • 特性:屏蔽结构。频率范围高达1.0 MHz。在该封装尺寸中具有最低的DCR/μH。能够处理高瞬态电流尖峰而不饱和。由于采用复合结构,具有超低嗡嗡声噪声。电感和饱和具有出色的温度稳定性。应用:PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。高电流负载点(POL)转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.59
    • 10+

      ¥7.35
    • 30+

      ¥6.73
    • 100+

      ¥6.11
    • 500+

      ¥5.17
  • 有货
  • 特性:氮化铝(AlN)基板上的厚膜电阻元件。在小尺寸封装中具有非常高的热导率。端接:镀镍阻挡层上的锡/铅环绕端接,也提供无铅环绕端接。能够根据客户要求开发特定的可靠性计划。工作温度范围:-65°C至+155°C。高达6GHz的高频性能
    数据手册
    • 1+

      ¥10.57
    • 10+

      ¥8.87
    • 30+

      ¥7.8
    • 100+

      ¥6.71
    • 500+

      ¥6.22
  • 有货
  • 8通道单端模拟多路复用器和双4通道差分模拟多路复用器,适用于单电源和双电源操作。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.35
    • 10+

      ¥9.69
    • 30+

      ¥8.65
    • 100+

      ¥7.59
    • 500+

      ¥7.11
    • 1000+

      ¥6.9
  • 有货
  • 是同步降压稳压器,集成了高端和低端功率MOSFET。其功率级能够在高达1 MHz的开关频率下提供12 A和8 A的连续电流。该稳压器可从3 V至28 V的输入轨产生低至0.6 V的可调输出电压,以适应各种应用,包括计算、消费电子、电信和工业领域。架构可在最小输出电容的情况下实现超快瞬态响应,并在非常轻的负载下实现严格的纹波调节
    数据手册
    • 1+

      ¥11.76
    • 10+

      ¥10.14
    • 30+

      ¥9.13
    • 100+

      ¥7.29
    • 500+

      ¥6.82
    • 1000+

      ¥6.62
  • 有货
    • 1+

      ¥11.96
    • 10+

      ¥10.97
    • 30+

      ¥10.36
    • 100+

      ¥9.72
    • 500+

      ¥9.44
    • 1000+

      ¥9.31
  • 有货
  • 中心抽头肖特基整流器针对高温下的低反向泄漏进行了优化。 专有势垒技术允许在高达175℃的结温下可靠运行。 典型应用于开关电源、转换器、续流二极管和电池反接保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.13
    • 10+

      ¥10.19
    • 25+

      ¥8.31
    • 100+

      ¥7.11
    • 500+

      ¥6.58
    • 1000+

      ¥6.33
  • 有货
  • 这些器件消除了会干扰磁场应用的材料,如在MRI磁共振成像机器中。采用非磁性材料精心设计,消除杂散磁 场对电路性能的影响,从而简化屏蔽要求,并提高音频应用中的音质。提供无磁场失真的信号调理。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.16
    • 10+

      ¥10.2
    • 30+

      ¥8.98
    • 100+

      ¥7.72
    • 500+

      ¥7.15
  • 有货
  • 特性:TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数(FOM)。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。 顶部散热功能为热传递提供了额外途径。应用:同步整流。 初级侧开关
    • 1+

      ¥12.68
    • 10+

      ¥11.69
    • 30+

      ¥11.07
    • 100+

      ¥10.44
    • 500+

      ¥10.15
    • 1000+

      ¥10.03
  • 有货
  • CNY64、CNY65 和 CNY66 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用 4 引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装,为满足最高安全要求,输入和输出之间的间距大于 3 mm。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.85
    • 10+

      ¥11.25
    • 30+

      ¥9.5
    • 90+

      ¥8.47
    • 510+

      ¥8.01
    • 990+

      ¥7.8
  • 有货
  • 特性:UL认证文件编号E312394 (QQQX2) UL 1557。 增强型高电流密度单直插式封装。 卓越的热导率。 按照JESD 22-B106标准,最大浸焊温度275℃,时间10s。应用:开关电源、家用电器和白色家电应用中的AC/DC桥式全波整流通用用途
    数据手册
    • 1+

      ¥13.59
    • 10+

      ¥12.52
    • 40+

      ¥9.86
    • 100+

      ¥9.17
    • 500+

      ¥8.86
    • 1000+

      ¥8.73
  • 有货
  • 8通道单端模拟多路复用器和双4通道差分模拟多路复用器,适用于单电源和双电源操作。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.99
    • 10+

      ¥11.76
    • 30+

      ¥10.37
    • 100+

      ¥8.95
    • 500+

      ¥8.31
    • 1000+

      ¥8.03
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET PWM优化。100% Rg和UIS测试。应用:笔记本电脑的电池和负载开关
    数据手册
    • 1+

      ¥14.49
    • 10+

      ¥12.59
    • 30+

      ¥11.41
    • 100+

      ¥10.19
    • 500+

      ¥9.64
    • 1000+

      ¥9.4
  • 有货
  • TEMD5510FX01环境光传感器是一款采用微型表面贴装器件(SMD)封装的PIN光电二极管,具有高光敏性。探测器芯片的感光面积为7.5 mm²。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.86
    • 10+

      ¥12.67
    • 30+

      ¥11.29
    • 100+

      ¥9.01
    • 500+

      ¥8.37
  • 有货
  • 特性:TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数(FOM)。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。应用:同步整流。 初级侧开关
    • 1+

      ¥16.19
    • 10+

      ¥13.93
    • 30+

      ¥12.52
    • 100+

      ¥11.07
    • 500+

      ¥10.41
  • 有货
  • DG211B, DG212B 模拟开关是行业标准DG211,DG212的高度改进版本。这些TTL和CMOS兼容的逻辑设备采用Vishay Siliconix专有的硅栅CMOS工艺制造,具有更低的导通电阻、更低的泄漏电流、更高的速度和更低的功耗。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.25
    • 10+

      ¥14.04
    • 30+

      ¥12.65
    • 100+

      ¥9.98
    • 500+

      ¥9.34
    • 1000+

      ¥9.06
  • 有货
  • 脉冲耐受、高功率厚膜电阻是功率测量电子领域的理想选择,适用于对可靠性、稳定性、高额定功率和出色脉冲负载性能有较高要求的大多数领域。典型应用包括汽车电器中的电池管理系统。
    数据手册
    • 1+

      ¥17.68
    • 10+

      ¥15.56
    • 30+

      ¥14.23
    • 100+

      ¥12.87
  • 有货
  • 特性:模制高温封装等级。设计中采用了改进的热管理。专有加工技术可生产低至 0.001 Ω 的低电阻值。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。实心金属镍铬或锰铜合金电阻元件,低 TCR (<20 ppm/°C)。极低电感 0.5 nH 至 5 nH。低热电动势 (<3 μV/°C)。对于低于 0.0075 Ω 的电阻值,不使用集成散热器。通过 AEC Q200 认证
    • 1+

      ¥22.18
    • 10+

      ¥19.11
    • 30+

      ¥17.29
    • 100+

      ¥15.44
    • 500+

      ¥14.59
  • 有货
  • 特性:TrenchFET Gen IV功率MOSFET,符合AEC-Q101标准。 100%进行Rg和UIS测试。 厚度1.6mm
    • 1+

      ¥23.66
    • 10+

      ¥20.81
    • 30+

      ¥19.02
    • 100+

      ¥17.19
    • 500+

      ¥16.36
    • 1000+

      ¥16
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET封装,热阻低。 最高结温175℃。 低RDS(on),可最大程度降低传导功率损耗。 与逻辑电平栅极驱动兼容。 100%汞和UIs测试。应用:电池保护。 电机驱动控制
    数据手册
    • 1+

      ¥26.6
    • 10+

      ¥23.31
    • 30+

      ¥19.59
    • 100+

      ¥17.62
  • 有货
  • 提供 ±2 ppm/°C 跟踪和低至 0.01% 的比率公差,尺寸小,适用于所有表面贴装应用。标准 SOT 23 封装格式,具有统一和常见的标准电阻分压器比率,便于大多数需要匹配电阻元件的应用进行选择。
    数据手册
    • 1+

      ¥30.48
    • 10+

      ¥26.3
    • 30+

      ¥23.82
    • 100+

      ¥21.31
    • 500+

      ¥20.15
    • 1000+

      ¥19.63
  • 有货
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