威世模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SQ7414CENW-T1_GE3 编号：C727497

封装：PowerPAK-1212-8W

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。低热阻PowerPAK 1212-8封装，高度1.07 mm。PWM优化。100%进行Rg和UIS测试。通过AEC-Q101认证。可焊侧翼端子

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1+
￥2.79
10+
￥2.22
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500+
￥1.52
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型号：IHLP1616BZER4R7M11 编号：C553980

封装：SMD,4.5x4.1mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：屏蔽结构。在该封装尺寸下具有最低的 DCR/μH,无铅。能够处理高瞬态电流尖峰,无 RoHS 饱和,符合卤素标准。由于复合结构,超低嗡嗡声。高达 1 MHz 至 2 MHz 的出色 DC/DC 能量存储;在自谐振频率 (SRF) 以下的滤波电感应用(参见“标准电气规格”表)。应用：PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。高电流负载点 (POL) 转换器

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￥2.85
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￥2.6

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型号：IRLL110TRPBF 编号：C128228

封装：SOT-223

品牌：VISHAY(威世)

N沟道

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￥2.89
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型号：SI9407BDY-T1-GE3 编号：C141567

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行IGS测试。符合RoHS指令2002/95/EC。应用：初级侧开关

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￥3.12
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￥2.48
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￥2.21
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型号：IHLP2525CZERR47M01 编号：C845034

封装：SMD,6.9x6.5mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：此封装尺寸下高度最低(3.0 mm)。屏蔽结构。高达 5 MHz 的出色 DC/DC 储能能力。高达自谐振频率(SRF)的滤波电感应用(参见“标准电气规格”表)。此封装尺寸下最低的每微亨直流电阻(DCR/μH)。可处理高瞬态电流尖峰而不饱和。应用：PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。高电流负载点(POL)转换器

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￥3.12
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￥2.52
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￥2.26
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型号：WSL12065L000FEA18 编号：C413484

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

特性：全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有处理技术可产生极低的电阻值(低至 0.0005 Ω)。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感:0.5 nH 至 5 nH。低热电动势 (< 3μV/°C)。通过 AEC Q200 认证

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￥3.24
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￥2.27
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￥1.91
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￥1.75
1000+
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型号：BY448TAP 编号：C506648

封装：SOD-57

品牌：VISHAY(威世)

特性：玻璃钝化结。密封封装。材料分类。应用：高压整流。水平偏转电路中的高效二极管

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￥3.25
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型号：SFH6106-3T 编号：C118291

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于高达 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。规格可能会有所变化。

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￥3.3
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￥2.56
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￥2.24
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型号：SI2325DS-T1-GE3 编号：C60773

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-150V

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￥3.3
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型号：TCUT1350X01 编号：C5183017

封装：SMD-6P,5.5x4mm

品牌：VISHAY(威世)

是一款紧凑型透射式传感器，包括一个红外发射器和两个光电晶体管探测器，面对面安装在表面贴装封装中。特别设计用于满足高工作温度要求，工作温度范围为 -40℃ 至 +125℃。

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1+
￥3.62
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￥3.28
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￥3.1
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￥2.93
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￥2.52
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型号：SI4599DY-T1-GE3 编号：C141629

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤。TrenchFET功率MOSFET。100% Rg测试。100% UIS测试。应用：液晶显示器背光源逆变器。全桥转换器

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￥3.65
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型号：SISA14DN-T1-GE3 编号：C727488

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试

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￥2.41

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型号：SI7149ADP-T1-GE3 编号：C554002

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET，低导通电阻，低压降。扩展的VGS最大额定值：25V。 100% Rg和UIS测试。应用：电池、负载和适配器开关。笔记本电脑

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￥4.33
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型号：BPW34 编号：C85128

封装：插件,P=5.1mm

品牌：VISHAY(威世)

BPW34 是一款 PIN 光电二极管，采用微型、扁平、顶视、透明塑料封装，具有高速和高辐射灵敏度。它对可见光和近红外辐射敏感。BPW34S 采用管装，规格与 BPW34 类似

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￥4.49
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￥3.92
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￥3.52

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型号：SISS27DN-T1-GE3 编号：C506609

封装：PowerPAK1212-8S

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。低热阻PowerPAK封装，尺寸小，厚度仅0.75mm。100%进行Rg和UIS测试。应用：笔记本电脑和移动计算。适配器开关

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￥3.85
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型号：T55V107M016C0050 编号：C2158270

封装：CASE-V-7343-20(mm)

品牌：VISHAY(威世)

钽电解电容器是在体积效率、稳定的电气参数、高可靠性和长使用寿命是主要考虑因素的应用中的首选。钽/钽氧化物/二氧化锰系统的稳定性和耐高温性使固体钽电容器成为当今表面贴装组装技术的合适选择。

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1+
￥4.77
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￥3.49
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500+
￥2.81
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￥2.68

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型号：SIR182DP-T1-RE3 编号：C467943

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。针对最低的RDS-Qoss FOM进行了调整。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。初级侧开关

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1+
￥5.15
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￥4.67
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￥3.63
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￥3.55

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型号：IHLP4040DZER1R0M01 编号：C845068

封装：SMD,10.8x10.2mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：屏蔽结构。频率范围高达5.0 MHz。在该封装尺寸中,具有最低的DCR/μH。处理高瞬态电流尖峰时不会饱和。由于采用复合结构,嗡嗡声极低。IHLP设计。应用：PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。高电流负载点(POL)转换器

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￥5.78
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￥4.63
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￥3.49
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￥3.14
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型号：SQJ457EP-T1_GE3 编号：C511548

封装：PowerPAKSO-8L

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试

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￥5.8
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￥3.09
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￥2.91

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型号：ILD213T 编号：C435834

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 是由砷化镓红外发光二极管和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件可传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 采用标准的 SOIC - 8 小外形表面贴装封装，非常适合空间有限的高密度应用

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