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描述

价格(含税)

库存

操作

薄膜电阻 2MΩ ±0.1% 400mW

型号：TNPW12062M00BEEA 编号：C1854583

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

特性：卓越的耐湿性(85°C;85%RH)。在不同环境条件下具有出色的整体稳定性(≤0.05%;70°C下额定功率1000h)。通过AEC Q200认证。单批次日期代码(可选)。根据ASTM B 809验证的耐硫性。应用：汽车。工业设备。测试和测量设备。医疗设备

数据手册

5+
￥1.5426
50+
￥1.2176
150+
￥1.0784
500+
￥0.9046
2500+
￥0.8273
5000+
￥0.7808

有货

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10uF ±10% 25V

型号：593D106X9025C2TE3 编号：C132690

封装：CASE-C-6032-28(mm)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低等效串联电阻(ESR)。模制外壳,有五种外壳代码可供选择。端接:100%雾锡标准,也提供锡/铅端接。高纹波电流承载能力。与“大批量”自动拾放设备兼容。通过EIA 717认证。应用：工业。电信基础设施

数据手册

5+
￥1.5427
50+
￥1.2539
150+
￥1.1301
500+
￥0.838
2500+
￥0.7693
5000+
￥0.728

有货

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电压:40V 电流:3A

型号：SS34-E3/57T 编号：C13354

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装，适合自动贴装。保护环用于过压保护。低功耗，高效率。符合RoHS标准。低正向压降。高浪涌能力。应用：用于低压高频逆变器。续流

数据手册

5+
￥1.5886
50+
￥1.2711
150+
￥1.135
850+
￥0.9463
2550+
￥0.8707
5100+
￥0.8253

有货

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等级:X1,Y1 2.2nF ±20% 760V 500V

型号：VY1222M47Y5UQ6TV0 编号：C499511

封装：插件,P=10mm

品牌：VISHAY(威世)

电容器由陶瓷圆盘组成,圆盘两侧镀银。连接引线由直径为0.6 mm的镀锡铜包钢制成。电容器可提供垂直(直列)扭绞引线,引线间距为10.0 mm或12.5 mm。封装采用符合UL 94 V-0的阻燃环氧树脂。

数据手册

5+
￥1.5945
50+
￥1.2925
150+
￥1.163
500+
￥0.8524
2500+
￥0.7805
5000+
￥0.7374

有货

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薄膜电阻 100kΩ ±0.1% 400mW

型号：TNPW1206100KBEEA 编号：C844469

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

特性：卓越的耐湿性(85 °C; 85 % RH)。在不同环境条件下具有出色的整体稳定性 ≤ 0.05 %(70 °C下额定功率1000小时)。通过AEC Q200认证。单批次日期代码(可选)。根据ASTM B 809验证具有先进的抗硫性。应用：汽车。工业设备

数据手册

5+
￥1.8057
50+
￥1.4264
150+
￥1.2638
500+
￥1.061
2500+
￥0.9706
5000+
￥0.9164

有货

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电压:100V 电流:5A

型号：SS5P10-M3/86A 编号：C46986

封装：TO-277A

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形：典型高度为 1.1mm。适合自动贴装。有过压保护的保护环。低正向压降，低功率损耗。高效率。低热阻。应用：开关模式电源的高频整流器。续流二极管

数据手册

5+
￥1.8059
50+
￥1.4649
150+
￥1.3187
1500+
￥1.0097
3000+
￥0.9285
4500+
￥0.8798

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:13A

型号：SI4835DDY-T1-GE3 编号：C144976

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-30V,-13A, 0.018Ω@-10V

数据手册

5+
￥1.9213
50+
￥1.5443
150+
￥1.3551
500+
￥1.1535
2500+
￥1.0637
5000+
￥1.0099

有货

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薄膜电阻 1kΩ ±0.1% 400mW

型号：TNPW12061K00BEEA 编号：C844471

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

特性：卓越的耐湿性(85°C;85%相对湿度)。在不同环境条件下具有出色的整体稳定性 ≤ 0.05%(70°C下额定功率1000小时)。通过AEC Q200认证。可选单批次日期代码。经过ASTM B 809验证的先进抗硫性。材料分类:有关合规性定义请参考相关文档。应用：汽车。工业设备

数据手册

5+
￥1.9263
50+
￥1.5206
150+
￥1.3467
500+
￥1.1297
2500+
￥1.0331
5000+
￥0.9751

有货

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10mΩ ±1% 1W

型号：WSLP1206R0100FEA 编号：C844910

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

数据手册

5+
￥1.9549
50+
￥1.5822
150+
￥1.4225
500+
￥1.0752
2500+
￥0.9864
4000+
￥0.9332

有货

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汽车级P沟道60 V（D-S）、175 °C MOSFET

型号：SQ2361CEES-T1_GE3 编号：C29267586

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。典型ESD保护：800V。通过AEC-Q101认证。100%进行Rg和UIS测试

5+
￥2.2109
50+
￥1.7637
150+
￥1.572
500+
￥1.3329
3000+
￥1.2264
6000+
￥1.1625

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:2.9A

型号：SI2302CDS-T1-E3 编号：C141544

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

5+
￥2.3249
50+
￥1.854
150+
￥1.6522
500+
￥1.4004
3000+
￥1.1418

有货

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DC输入隔离电压(rms):5300V

型号：SFH6156-3T 编号：C118293

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。该耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用塑料贴片封装。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

数据手册

5+
￥2.3981
50+
￥1.896
150+
￥1.6807
1000+
￥1.4122
2000+
￥1.2927
5000+
￥1.2209

有货

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薄膜电阻 100Ω ±0.1% 400mW

型号：TNPW1206100RBEEA 编号：C844470

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

特性：卓越的耐湿性(85°C;85%相对湿度)。在不同环境条件下具有出色的整体稳定性 ≤ 0.05%(70°C下额定功率1000小时)。通过AEC Q200认证。可选单批次日期代码。经过ASTM B 809验证的先进抗硫性。材料分类:有关合规性定义请参考相关文档。应用：汽车。工业设备

数据手册

1+
￥2.54
10+
￥2.03
30+
￥1.81
100+
￥1.54
500+
￥1.42
1000+
￥1.34

有货

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2.2uH ±20% 3.25A

型号：IHLP1616BZER2R2M11 编号：C844980

封装：SMD,4.5x4.1mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：屏蔽结构。在此封装尺寸中具有最低的DCR/μH。能处理高瞬态电流尖峰而不饱和。由于采用复合结构,具有超低嗡嗡声。高达1 MHz至2 MHz的出色DC/DC能量存储。高达自谐振频率(SRF)的滤波电感应用(参见“标准电气规格”表)。应用：PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。高电流负载点(POL)转换器

数据手册

1+
￥2.55
10+
￥2.22
30+
￥2.07
100+
￥1.9
500+
￥1.82
1000+
￥1.77

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:4A

型号：SI2306BDS-T1-E3 编号：C727384

封装：SOT-23-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：有无卤选项。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg测试

数据手册

5+
￥2.5794
50+
￥2.0864
150+
￥1.8751
500+
￥1.4206
3000+
￥1.3032
6000+
￥1.2328

有货

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3mΩ ±1% 2W

型号：WSL10203L000FEA 编号：C844481

封装：1020

品牌：VISHAY(威世)

数据手册

1+
￥2.65
10+
￥2.14
30+
￥1.92
100+
￥1.65
500+
￥1.53
1000+
￥1.46

有货

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22uF ±20% 16V

型号：T55B226M016C0070 编号：C2159203

封装：CASE-B-3528-21(mm)

品牌：VISHAY(威世)

钽电解电容器是在体积效率、稳定的电气参数、高可靠性和长使用寿命是主要考虑因素的应用中的首选。钽/钽氧化物/二氧化锰系统的稳定性和耐高温性使固体钽电容器成为当今表面贴装组装技术的合适选择。

数据手册

1+
￥2.79
10+
￥2.13
30+
￥1.85
100+
￥1.49
500+
￥1.34
1000+
￥1.24

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:14.9A

型号：SI4825DDY-T1-GE3 编号：C143671

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤。 TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。 100% UIS测试。应用：负载开关。笔记本适配器开关

数据手册

1+
￥2.79
10+
￥2.21
30+
￥1.97
100+
￥1.66
500+
￥1.52
1000+
￥1.44

有货

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电压:100V 电流:6A

型号：VS-12CWQ10FNTR-M3 编号：C241867

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：VISHAY(威世)

表面贴装、中心抽头的肖特基整流器系列，专为需要低正向压降和小 PCB 板占位面积的应用而设计。典型应用包括磁盘驱动器、开关电源、转换器、续流二极管、电池充电和反接电池保护。

数据手册

1+
￥3.02
10+
￥2.41
30+
￥2.14
100+
￥1.82
500+
￥1.67
1000+
￥1.58

有货

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N沟道 60V 4.3A

型号：SQ2362CES-T1_GE3 编号：C23534791

封装：SOT-23-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：SOT-23 (TO-236)封装。 TrenchFET功率MOSFET，通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试。无铅和无卤

1+
￥3.09
10+
￥2.48
30+
￥2.22
100+
￥1.9
500+
￥1.75
1000+
￥1.67

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:30A

型号：SIR464DP-T1-GE3 编号：C469518

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。应用：DC/DC转换。低端开关

数据手册

1+
￥3.12
10+
￥2.48
30+
￥2.2
100+
￥1.86
500+
￥1.64
1000+
￥1.55

有货

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高速红外发光二极管，940 nm，表面发射技术

型号：VSMY12940 编号：C499559

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

作为SurfLightTM产品系列的一部分，VSMY12940是一款940 nm红外顶视发光二极管，基于GaAlAs表面发射芯片技术，具有极高的辐射强度、高光功率和高速度。它采用透明无色、带内置透镜的PCB基封装（适用于表面贴装（SMD））进行模塑成型。

数据手册

1+
￥3.27
10+
￥2.69
30+
￥2.44
100+
￥2.13
500+
￥1.78
1000+
￥1.69

有货

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10mΩ ±1% 500mW

型号：WSL2010R0100FEA 编号：C844897

封装：2010

品牌：VISHAY(威世)

数据手册

1+
￥3.39
10+
￥2.75
30+
￥2.47
100+
￥2.13
500+
￥1.67
1000+
￥1.58

有货

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22uF ±20% 6.3V

型号：T58MM226M6R3C0500 编号：C2158410

封装：0603

品牌：VISHAY(威世)

特性：低等效串联电阻(ESR)。100%浪涌电流测试。加速电压调节。高纹波电流能力。高体积效率。在工作温度、电压和频率范围内电容稳定。应用：去耦、平滑、滤波。无线网卡中的大容量储能

数据手册

1+
￥3.67
10+
￥2.99
30+
￥2.65
100+
￥2.31
500+
￥2.11
1000+
￥2

有货

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1个P沟道耐压:80V 电流:2.2A

型号：SQ2337ES-T1_GE3 编号：C428742

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Power MOSFET。 AEC-Q101 Qualified。 100% Rg and UIS Tested。材料分类：有关合规性定义请参阅相关文档

数据手册

1+
￥3.67
10+
￥3.01
30+
￥2.72
100+
￥2.37
500+
￥2.21
1000+
￥2.12

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:3.3A

型号：IRF610PBF 编号：C2630

封装：TO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,200V,3.3A,1.5Ω@10V

数据手册

1+
￥3.74
10+
￥3.01
50+
￥2.56
100+
￥2.17
500+
￥2
1000+
￥1.9

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:5.6A

型号：IRF510PBF 编号：C727603

封装：TO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装在功率耗散水平约为50W的所有商业-工业应用中普遍受到青睐。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。

数据手册

1+
￥3.89
10+
￥3.22
50+
￥2.7
100+
￥2.37
500+
￥2.17
1000+
￥2.07

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:0.69A

型号：IRFL9110TRPBF 编号：C727523

封装：SOT-223

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。其独特的封装设计使得它能像其他SOT或SOIC封装一样便于自动拾放，此外，由于散热片采用了加大的接片，还具有改善热性能的优势

数据手册

1+
￥4.09
10+
￥3.24
30+
￥2.88
100+
￥2.43
500+
￥2.23
1000+
￥2.11

有货

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100mΩ ±1% 3W

型号：WSR3R1000FEA 编号：C511044

封装：4527

品牌：VISHAY(威世)

特性：模制高温封装。全焊接结构,适用于各种无铅电流感应、分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低的电阻值(低至0.001Ω)。结构上具有抗硫性,不受高硫环境影响。采用实心金属镍铬或锰铜合金电阻元件,具有低TCR(<20 ppm/°C)。极低电感:0.5 nH至5 nH。出色的频率响应,可达50 MHz。低热电动势(<3 μV/°C)。通过AEC Q200认证

1+
￥4.16
10+
￥3.38
30+
￥2.98
100+
￥2.6
500+
￥2.36
1500+
￥2.24

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:4.5A

型号：IRF830PbF 编号：C2573

封装：TO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,500V,4.5A,1.5Ω@10V

数据手册

1+
￥4.44
10+
￥3.64
50+
￥2.97
100+
￥2.58
500+
￥2.34
1000+
￥2.22

有货

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